Chemical content 74ABT16244ADGG
发布时间：
2018-07-26
类型：
测试报告，认证报告、性能测试报告
品牌：
Nexperia（安世半导体）
型号：
74ABT16244ADGG; 9352 033 00118; 9352 033 00112
本数据手册详细介绍了74ABT16244ADGG型号元器件的化学成分及材料构成。资料内容涵盖了该器件的封装类型、总产品重量、制造地点以及各部分材料的组成百分比，并提供了详细的CAS编号信息。在技术参数方面，手册明确了无铅焊接工艺的处理周期、MSL（潮湿敏感度）等级及PPT等级等关键指标，旨在为用户提供全面的产品合规性与物理属性参考。此外，资料还包含了相关的免责声明，指出所有信息仅供参考，Nexperia不对信息的准确性或完整性做出保证。Nexperia在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该资料，用户可通过平台获取原厂授权的正品器件，相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。平台专职FAE团队可提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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资料平台
| 数据手册 - 英文 |
74ABT16244A 16位缓冲器/线路驱动器；三态产品数据表
Rev. 9
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分74ABT16244ADGG
2019/02/25
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分74ABT16244ADGG
2018/09/06
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分74ABT16244ADGG
2018/03/07
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| 数据手册 - 英文 |
16位缓冲器/线路驱动器；3状态
Rev. 8
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| 测试报告 - 英文 |
74ABT16244ADGG化学成分
2019/01/07
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| 测试报告 - 英文 |
74ABT16244ADGG中国RoHS
2019/01/07
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS 74ABT16244ADGG
2018/09/06
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS 74ABT16244ADGG
2018/04/25
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS 74ABT16244ADGG
2018/03/07
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS 74ABT16244ADL
2018/09/06
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS 74ABT16244ADL
2018/04/25
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS 74ABT16244ADL
2018/03/10
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| 测试报告 - 英文 |
74ABT16244ADL中国RoHS
2019/01/07
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| 测试报告 - 英文 |
74ABT16244ADL化学成分
2019/01/07
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分74ABT16244ADL
2018/09/06
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分74ABT16244ADL
2018/04/25
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分74ABT16244ADL
2018/03/10
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| 数据手册 - 英文 |
Nexperia 74AHC1G126；74AHCT1G126 - 总线缓冲器/线驱动器；3态
v.13
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| 数据手册 - 英文 |
NEX10000UB 80 mA 双输出LCD偏置电源
Rev. 2 — 11 March 2025
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| 数据手册 - 英文 |
150 毫安，40 伏超低静态电流（5.3 微安）低压差电压调节器
Rev. 1 — 12 November 2024
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| 数据手册 - 英文 |
PTVS20VD1UL 超小型瞬态电压抑制器
v.1
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| 数据手册 - 英文 |
PMBD7000 双高速开关二极管 版本 4 — 2010年9月16日 产品数据手册
Rev. 4
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| 数据手册 - 英文 |
Nexperia PTVS6V3Z1UCL 瞬态电压抑制器
v.1
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| 数据手册 - 英文 |
Nexperia PTVS5V5Z1UPC 瞬态电压抑制器
v.1
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| 数据手册 - 英文 |
PNP中频晶体管BF824W
9397 750 05674
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| 数据手册 - 英文 |
PNP中频晶体管BF824
2004 Jan 16
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| 数据手册 - 英文 |
PNP中频晶体管BF550
2004 Jan 16
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| 数据手册 - 英文 |
74HCT241-Q100 八路缓冲器/线驱动器；3态 Rev. 2 — 2024年8月5日 产品数据手册
Rev. 2
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| 数据手册 - 英文 |
NPN达林顿晶体管PZTA14
9397 750 05641
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| 数据手册 - 英文 |
NCA9535-Q100
Rev. 2.1
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
SOT1118D塑料、无引脚散热增强型超薄小型封装，具有侧面可湿侧翼（SWF）；6个端子；0.65毫米间距；2毫米X 2毫米X 0.65毫米机身
27 November 2019
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| 数据手册 - 英文 |
NPN通用晶体管BC849W；BC850W
1999 Apr 12
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| 数据手册 - 英文 |
PNP通用晶体管BC859；BC860
2004 Jan 16
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| 数据手册 - 英文 |
PSMN1R6-30MLH N沟道30V、1.9毫欧姆、160A逻辑电平MOSFET，采用LFPAK33封装，使用NextPowerS3技术，2019年11月12日产品数据手册。
12 November 2019
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| 数据手册 - 英文 |
40V PNP BISS负载开关
PBLS4003D_3
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| 数据手册 - 英文 |
PBLS2021D 20V，1.8A PNP BISS负载开关 修订版02 — 2009年9月6日 产品数据手册
Rev. 02
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| 数据手册 - 英文 |
NXP半导体PBLS4005D 40V PNP BISS负载开关
PBLS4005D_3
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| 数据手册 - 英文 |
PTVSxP1BPL系列 - 600W瞬态电压抑制器
v.1 20240805
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| 数据手册 - 英文 |
四重ESD瞬态电压抑制器
1999年5月20日
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| 数据手册 - 英文 |
GANB4R8-040CBA 40V，4.8毫欧双向氮化镓（氮化镓）场效应晶体管，封装尺寸为2.1毫米x2.1毫米晶圆级芯片尺寸封装（WLCSP）2024年8月7日产品数据手册
7 August 2024
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| 数据手册 - 英文 |
BUK761R5-40E N沟道TrenchMOS标准级FET产品数据手册
7 May 2013
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| 数据手册 - 英文 |
PZTA42-Q NPN高压晶体管产品数据表
v.1
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| 数据手册 - 英文 |
bsn20 n沟道增强型场效应晶体管产品规格
Rev. 03
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| 数据手册 - 英文 |
PNU650150AEJ 650 V、15 A超快恢复整流器产品数据手册
v.1
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| 测试报告 - 英文 |
74LV1T125GV中国RoHS
2019/09/04
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| 数据手册 - 英文 |
74LVC1G99产品数据表
Rev. 11
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| 数据手册 - 英文 |
74LVC2G240产品数据表
Rev. 11
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| 测试报告 - 英文 |
74LVCH244ADB-Q100化学成分
2019/08/16
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有没有SOT-23的肖特基二极管，AAK类型的，正向电流在1A左右的。
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