Chemical content 74ABT244PW
发布时间：
2018-07-26
类型：
测试报告，认证报告、性能测试报告
品牌：
Nexperia（安世半导体）
型号：
74ABT244PW; 9351 764 20112; 9351 764 20118
本技术资料详细阐述了74ABT244PW元器件的化学成分、封装类型、重量规格及焊接工艺等关键物理属性。文档深入列出了该器件的材料组成及百分比，包含多种化学物质的CAS编号、质量及占比，并针对部分专有信息或无官方CAS编号的情况进行了特别说明。此外，资料还涵盖了处理版本、存放周期及总产品重量等详细信息，同时附有免责声明，指出所有数据仅供参考，可能因制造地点不同而存在轻微偏差。该资料为用户全面了解器件的材料合规性及生产制造细节提供了权威依据。基于该器件，用户可通过世强硬创平台获取原厂授权的正品保障，平台支持相关型号的单件起订、在线下单、样品申请及批量询价服务，且库存充足。针对文中所述器件，平台提供专职FAE团队支持选型、设计验证及调试，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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资料平台
| 数据手册 - 英文 |
74ABT244八路缓冲器/线路驱动器；三态产品数据表
Rev. 4
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分74ABT244PW
2018/09/06
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分74ABT244PW
2018/03/07
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| 数据手册 - 英文 |
八进制缓冲器/线路驱动器；三态
Rev. 3
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| 测试报告 - 英文 |
74ABT244PW化学成分
2019/01/07
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS 74ABT244PW
2018/09/06
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS 74ABT244PW
2018/04/25
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS 74ABT244PW
2018/03/07
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| 测试报告 - 英文 |
74ABT244PW中国RoHS
2019/01/07
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS 74ABT244D
2018/09/06
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS 74ABT244D
2018/04/25
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS 74ABT244D
2018/03/07
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS 74ABT244DB
2018/09/06
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS 74ABT244DB
2018/04/25
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS 74ABT244DB
2018/03/10
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| 测试报告 - 英文 |
74ABT244D中国RoHS
2019/01/07
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| 测试报告 - 英文 |
74ABT244DB中国RoHS
2019/01/07
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分74ABT244D
2018/09/06
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分74ABT244D
2018/04/25
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分74ABT244D
2017/12/27
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| 测试报告 - 英文 |
74ABT244DB化学成分
2019/01/07
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分74ABT244DB
2018/09/06
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分74ABT244DB
2018/04/25
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分74ABT244DB
2018/03/10
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| 测试报告 - 英文 |
74ABT244D化学成分
2019/01/07
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| 数据手册 - 英文 |
Nexperia 74AHC1G126；74AHCT1G126 - 总线缓冲器/线驱动器；3态
v.13
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| 数据手册 - 英文 |
NEX10000UB 80 mA 双输出LCD偏置电源
Rev. 2 — 11 March 2025
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| 数据手册 - 英文 |
150 毫安，40 伏超低静态电流（5.3 微安）低压差电压调节器
Rev. 1 — 12 November 2024
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| 数据手册 - 英文 |
PTVS20VD1UL 超小型瞬态电压抑制器
v.1
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| 数据手册 - 英文 |
PMBD7000 双高速开关二极管 版本 4 — 2010年9月16日 产品数据手册
Rev. 4
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| 数据手册 - 英文 |
Nexperia PTVS6V3Z1UCL 瞬态电压抑制器
v.1
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| 数据手册 - 英文 |
Nexperia PTVS5V5Z1UPC 瞬态电压抑制器
v.1
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| 数据手册 - 英文 |
PNP中频晶体管BF824W
9397 750 05674
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| 数据手册 - 英文 |
PNP中频晶体管BF824
2004 Jan 16
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| 数据手册 - 英文 |
PNP中频晶体管BF550
2004 Jan 16
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| 数据手册 - 英文 |
74HCT241-Q100 八路缓冲器/线驱动器；3态 Rev. 2 — 2024年8月5日 产品数据手册
Rev. 2
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| 数据手册 - 英文 |
NPN达林顿晶体管PZTA14
9397 750 05641
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| 数据手册 - 英文 |
NCA9535-Q100
Rev. 2.1
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
SOT1118D塑料、无引脚散热增强型超薄小型封装，具有侧面可湿侧翼（SWF）；6个端子；0.65毫米间距；2毫米X 2毫米X 0.65毫米机身
27 November 2019
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| 数据手册 - 英文 |
NPN通用晶体管BC849W；BC850W
1999 Apr 12
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| 数据手册 - 英文 |
PNP通用晶体管BC859；BC860
2004 Jan 16
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| 数据手册 - 英文 |
PSMN1R6-30MLH N沟道30V、1.9毫欧姆、160A逻辑电平MOSFET，采用LFPAK33封装，使用NextPowerS3技术，2019年11月12日产品数据手册。
12 November 2019
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| 数据手册 - 英文 |
40V PNP BISS负载开关
PBLS4003D_3
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| 数据手册 - 英文 |
PBLS2021D 20V，1.8A PNP BISS负载开关 修订版02 — 2009年9月6日 产品数据手册
Rev. 02
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NXP半导体PBLS4005D 40V PNP BISS负载开关
PBLS4005D_3
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| 数据手册 - 英文 |
PTVSxP1BPL系列 - 600W瞬态电压抑制器
v.1 20240805
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| 数据手册 - 英文 |
四重ESD瞬态电压抑制器
1999年5月20日
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| 数据手册 - 英文 |
GANB4R8-040CBA 40V，4.8毫欧双向氮化镓（氮化镓）场效应晶体管，封装尺寸为2.1毫米x2.1毫米晶圆级芯片尺寸封装（WLCSP）2024年8月7日产品数据手册
7 August 2024
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| 数据手册 - 英文 |
BUK761R5-40E N沟道TrenchMOS标准级FET产品数据手册
7 May 2013
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
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应用/方案
高级逻辑系列（Futurebus+、ABT和多字节）的热考虑因素
本文介绍了Nexperia公司（原NXP Standard Product业务）的转型，并提供了如何更新文档中相关引用的指南。文章重点讨论了高级逻辑系列（Futurebus\+、ABT和MULTIBYTE）的热管理，包括热阻、功耗估计和热阻测量。此外，还提供了计算结温（TJ）的示例，并讨论了影响热阻的因素，如封装设计、热传导材料和空气流动。
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