SM1200B VOLTAGE 200 V 1.0 A Schottky Barrier Rectifiers
发布时间:
2018-07-30
类型:
数据手册,规格书、Datasheet;PDF下载
品牌:
SECOS
型号:
SM1200A
本数据手册详细介绍了SM1200B和SM1200A两款1.0A肖特基势垒二极管。作为适用于表面贴装应用的半导体器件,该系列产品具有200V的电压额定值,具备低正向压降和内置应变缓解等关键技术特性。其采用金属结合构造与阻燃性UL 94V-0等级环氧树脂塑料封装,支持任意安装位置,且易于拾取和放置。在电气性能方面,器件在1A电流下的最大正向电压为0.9V(25°C),最大直流反向电流为30uA(25°C),典型结电容为50pF,工作温度范围覆盖-50°C至+150°C,能够满足严苛的电路设计需求。SMI(SMI)在世强硬创平台上由世强先进(深圳)科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该器件,用户可通过平台获取原厂授权的正品器件,相关产品支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价,且库存充足。平台专职FAE团队可提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持,覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求,有助于缩短供应链响应周期,加速产品开发与上市。
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SM1200A VOLTAGE 200 V 1.0 A Schottky Barrier Rectifiers
Rev. B
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品/工艺变更通知
2017/8/25
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产品/工艺变更通知
2017/8/25
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SM120AF~SM1200AF 20 V ~ 200 V 1.0 Amp Surface Mount Schottky Barrier Rectifiers
Rev. A
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产品/工艺变更通知SM120A
2013/8/1
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SM120AM~SM1200AM Voltage 20 ~ 200 V 1.0 AMP Surface Mount Schottky Barrier Rectifiers
Rev. B
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SM340A-C产品/工艺变更通知
2018/9/4
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SM120AF~SM1200AF 20 V~200 V 1.0 A表面贴装肖特基势垒整流器
Rev. B
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SM120AM-C〜SM1200AM-C电压20〜200V 1.0 Amp表面贴装肖特基势垒整流器
Rev. D
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SM120AM和SM1200AM 1.0安培表面贴装肖特基势垒整流器
Rev. C
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SM1200DT电压200V,1.0安培表面贴装肖特基势垒整流器
Rev. A
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SM140AR-C SM1200AR-C 1.0安培表面贴装肖特基势垒整流器
Rev. A
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SM120JD ~ SM1200JD Voltage 20 ~ 200 V 1.0 Amp Schottky Barrier Rectifiersr
Rev. B
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SM1200RT 200V、1A表面贴装肖特基势垒整流器
Rev. A
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SM120JD-C~SM1200JD-C电压20~200V 1.0安肖特基势垒整流器
Rev. C
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SM120DT~SM140DT电压20V~40V,1.0安培表面贴装肖特基势垒整流器
Rev. A
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SM120N~SM1100N 20~100V 1.0Amp表面贴装肖特基势垒整流器
Rev. A
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SM120RT~SM1100RT电压20V~100 V 1.0安培表面贴装肖特基势垒整流器
Rev. A
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SM120DT-C〜SM140DT-C电压20V~40V 1.0 Amp表面贴装肖特基势垒整流器
Rev. C
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SM120A THRU SM1100A VOLTAGE 20V ~ 100V 1.0 AMP Surface Mount Schottky Barrier Rectifiers
Rev. C
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SM120MH~SM1100MH 20~100 V 1.0安培表面贴装肖特基势垒整流器
Rev. B
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SM120B THRU SM1100BVOLTAGE 20V ~ 100V1.0AMP Surface Mount Schottky Barrier Rectifiers
Rev. A
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SM120A-C~SM1100A-C电压20V~100V 1.0安培表面贴装肖特基势垒整流器
Rev. E
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SM120A-C~SM1100A-C电压20V~100V 1.0安培表面贴装肖特基势垒整流器
Rev. D
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SMPA15120L-C 120V、15A低V-F肖特基势垒整流器
Rev. A
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MBR4040D~MBR40200D电压40V~200V 40.0安肖特基势垒整流器
Rev. B
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SCS140V-C 1A,40V肖特基势垒整流器
Rev. H
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SM320B-C~SM3100B-C电压20V~100V 3.0 Amp表面贴装肖特基势垒整流器
Rev. G
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SSE133N12SV-C 133A,120V,R-DS(ON)7mΩN沟道屏蔽栅沟槽功率MOSFET
Rev. A
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SM220DT-C~SM240DT-C电压20V~40V 2.0 Amp表面贴装肖特基势垒整流器
Rev.C
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SM220AM-C〜SM2200AM C电压20〜200V 2.0 Amp表面贴装肖特基势垒整流器
Rev. D
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SFL1060F电压600V 10.0安培低损耗超快整流器
Rev.C
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SBL10U150电压150V 10.0 Amp低VF沟槽势垒肖特基整流器
Rev. B
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SM140WTCR-C 1A,40V表面贴装肖特基势垒整流器
Rev. B
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SM320AM-C-SM3200AM-C电压20〜200V 3.0 Amp表面贴装肖特基势垒整流器
Rev.F
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SM520AM C-SM5200AM C电压20〜200V 5.0 Amp表面贴装肖特基势垒整流器
Rev.F
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SCS160V-C 1A、60V肖特基势垒整流器
Rev. F
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SSE50N20SV-C 50A,200V,RDS(ON)32mΩN沟道屏蔽栅沟槽功率MOSFET\n
Rev. A
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SPR114N04S-C 114A,40V,RDS(〇N)3.2ΩN沟道屏蔽栅极沟槽功率MOSFET
Rev. A
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QG307BM-C电压1000V 3.0 Amp表面贴装硅整流器
Rev. A
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SUF201BM-C~SUF205BM-C电压50~600V,2.0安培表面贴装超快速恢复-整流器
Rev. A
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SMPH10200L-C电压200V,10A低VF和低IR肖特基势垒整流器
Rev. A
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SBH16U200F电压200V,16A低VF和低IR沟槽势垒肖特基整流器
Rev. A
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MMDT3904-C 0.2A,60V NPN通用晶体管
Rev. E
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SSU50N20SV-C 50A,200V,RDS(ON)32mΩN沟道屏蔽栅沟槽功率MOSFET\n
Rev. A
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SSD20N06-C 20A、60V、RDS(ON)43mΩN通道增强型功率MOSFET\n
Rev. D
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SSPR28N03-C 28A、30V、RDS(ON)18mΩN通道增强型功率MOSFET
Rev. B
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SSPR21P06-C-21A、-60V、RDS(ON)40mΩP通道增强型功率MOSFET
Rev. B
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SSPR33N06S-C 33A,60V,RDS(ON)11.5mΩN沟道增强型功率MOSFET
Rev. B
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SSPR48P02-C-48A、-20V、RDS(ON)10mΩP通道增强型功率MOSFET
Rev. B
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