RF AND MICROWAVE TRANSISTORS AVIONICS APPLICATIONS MSC1015MP
发布时间：
2018-07-30
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
MICROSEMI（美高森美）
型号：
MSC1015MP
资料平台
| 数据手册 - 英文 |
MSC1175M射频和微波晶体管在航空电子设备中的应用
2018/01/11
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
选择Microsemi功率晶体管产品下线通知
August 13, 2018
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| 技术文档 - 英文 |
碳化硅半导体产品
05/18
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1N6844 100 VOLTS, 20 AMPSCHOTTKY RECTIFIER CERAMIC SURFACE MOUNT
1/4/00
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| 数据手册 - 英文 |
1N6845 45 VOLTS, 40 AMP SCHOTTKY RECTIFIER CERAMIC SURFACE MOUNT
1/4/00
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| 技术文档 - 英文 |
Microsemi电源组合2018
2019/04/23
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MSC1450M RF AND MICROWAVE TRANSISTORS AVIONICS APPLICATIONS
2018/01/11
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1N6842 60 VOLTS, 10 AMPDUAL SCHOTTKY COMMON CATHODE CENTERTAP RECTIFIER
2018/01/11
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1N6843 100 VOLTS, 10 AMPDUAL SCHOTTKY COMMON CATHODE CENTERTAP RECTIFIER
11/1199
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2N6303硅PNP功率晶体管
05-25-99
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| 数据手册 - 英文 |
2N3583 5安培，250V，高压PN硅功率晶体管
05-19-99
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| 数据手册 - 英文 |
MSC100SM70JCU2升压斩波器SiC MOSFET电源模块规格书
Revision 1.0
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| 数据手册 - 英文 |
MSAF75N10C N沟道增强型功率MOSFET产品预览
2000-09-20
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MSC1090M射频和微波晶体管在航空电子设备中的应用
Revision A
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SM2337 1200伏超快恢复整流器产品预览
2000-09-20
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| 数据手册 - 英文 |
1N6840 AND 1N6841 35 and 45 VOLTS, 10 AMPDUAL SCHOTTKY COMMON CATHODECENTERTAP RECTIFIER
2018/01/11
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| 数据手册 - 英文 |
MSC130SM120JCU2升压斩波器SiC MOSFET功率模块
Revision1.0
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| 数据手册 - 英文 |
MSC130SM120JCU3降压斩波SiC MOSFET功率模块
Revision1.0
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| 数据手册 - 英文 |
PPNGZ52F120A PPNHZ52F120A 1200 Volts52 Amps 3.2 Volts vce(sat) N-CHANNEL INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
2018/01/11
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| 数据手册 - 英文 |
MSC1400M RF & MICROWAVE TRANSISTORS AVIONICS APPLICATIONS
2018/01/11
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| 数据手册 - 英文 |
2N4240 5安培、500V、高压PN硅功率晶体管
05-19-99
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| 数据手册 - 英文 |
MSC1350M RF & MICROWAVE TRANSISTORS AVIONICS APPLICATIONS
08-19-02
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| 数据手册 - 英文 |
MSC180SMA120SD 1200V、180 mΩN沟道MSIC™MOSFET
Revision A
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| 数据手册 - 英文 |
1N5807 1N5809 1N5811 JANHCE and JANKCE JANHCF and JANKCF 6 AMPSFAST RECOVERY RECTIFIER CHIP50 - 150 VOLTS
02-23-99
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| 数据手册 - 英文 |
1N5802 1N5804 1N5806 JANHCE and JANKCE JANHCF and JANKCF 2.5 AMPSFAST RECOVERY RECTIFIER CHIP 50 - 150 VOLTS
02-23-99
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| 数据手册 - 英文 |
MSARW80G20A（MX028）200伏80安37纳秒超快整流器
rev 1
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| 数据手册 - 英文 |
MSARS200S20LP MSARS200S20LRP 200 Volts 200 Amps HIGH CURRENT CAPABILITY &LOW VOLTAGE DROP STANDARD RECOVERY RECTIFIER
2018/01/11
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| 开发环境(软件/固件) - 英文 |
CoreQSGMII
Revision 1.0
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| 测试报告 - 英文 |
电离总剂量试验报告：无22T-RT4G150-CQ352-K7HWA
Rev. 0
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| 测试报告 - 英文 |
电离总剂量试验报告：无21T-RT4G150-LG1657-K7KAS
Rev. 0
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| 测试报告 - 英文 |
电离总剂量试验报告：无21T-RTAX2000S-CQ352-DJ57T1
Rev. 0
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| 测试报告 - 英文 |
电离总剂量试验报告：无21T-RTAX2000S-CQ352-DJ26Y1
Rev. 0
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| 测试报告 - 英文 |
电离总剂量试验报告：无21T-RTAX2000S-CQ352-DHK3S1
Rev. 0
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| 测试报告 - 英文 |
20T-RTAX2000S-CQ352-DH7FH1电离总剂量测试报告
Rev. 0
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| 电路原理图 - 英文 |
DVP-100-000518-001
REV 1
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| 测试报告 - 英文 |
16T-RTAX2000D-CQ352B-D8QLF1总电离剂量试验报告
February 17, 2016
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| 数据手册 - 英文 |
MX-503高精度微机控制晶体振荡器
08/2018
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| 数据手册 - 英文 |
MSC050SDA070B零恢复碳化硅肖特基二极管数据表
Revision A
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世强AI
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应用/方案
AN1824 MSCSICMDD/REF1双碳化硅MOSFET驱动器参考设计应用说明
本资料提供了一种高度隔离的碳化硅MOSFET双栅极驱动器的示例，适用于驱动半桥配置，具有死区保护和并发驱动功能。设计适用于大多数Microsemi碳化硅MOSFET离散和模块设备。该设计具有可调的-5V至+20V输出栅极驱动、超过2000V的栅极驱动器电气隔离、高达30A的峰值输出电流、大于400kHz的最大开关频率等特点。资料详细介绍了设计描述、固件、替代设计选项、IO和设置、电气特性、板安装和快速启动等内容。
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国防和安全解决方案射频模块、子系统
Microsemi公司专注于国防和安全领域的射频微波和毫米波解决方案，提供一系列高性能、高可靠性的半导体产品。产品包括低噪声放大器、表面贴装放大器、宽带放大器、超低相位噪声放大器、高功率窄带放大器、高功率宽带放大器、毫米波放大器、倍频器、上/下变频器、收发器、多功能组件等。这些产品广泛应用于无人机、雷达、通信、战场通信等领域，满足客户在国防和安全领域的需求。
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商用航空解决方案
Microsemi公司提供一系列高可靠性产品，包括集成电路、功率模块、开关器件、FPGA和SoC等，为商业航空领域提供全面的解决方案。产品应用于飞行控制、动力系统、机舱管理系统、通信雷达、电力系统等关键领域，旨在提高飞机性能、可靠性和安全性。
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M1AFS\ U嵌入式\ U套件的Microsemi电源管理解决方案
本文档介绍了Microsemi公司针对M1AFS嵌入式套件中使用的竞争对手的功率管理IC的替代方案。通过比较列表，详细说明了针对现有套件的升级改造的功率管理IC的需求。文档中提供了测试数据和图像，以展示Microsemi解决方案与竞争对手解决方案的性能对比。此外，还包括了推荐的替换IC的原理图和PCB布局。
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RT PolarFire®FPGA DDR3本机接口
本应用笔记介绍了如何使用RT PolarFire FPGA的Native Interface模式配置DDR3控制器，以实现向DDR3内存执行写和读突发操作。通过选择拨动开关的ON/OFF状态，可以设置不同的操作模式（如递增模式、走位1模式、走位0模式和递减模式）。此外，还介绍了如何使用SmartDebug工具验证写和读数据。笔记中详细描述了硬件和软件要求、设计实现步骤，以及如何通过Libero SoC和SmartDebug工具运行和验证设计。
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SmartFusion2 SoC和IGLOO2 FPGA的电路板和布局设计指南
本资料为Microsemi公司发布的关于SmartFusion2 SoC和IGLOO2 FPGA的板级和布局设计指南。内容涵盖设计考虑因素、电源设计、I/O瞬态、时钟设计、复位电路、设备编程、SerDes设计、LPDDR、DDR2和DDR3设计、用户I/O和时钟引脚配置、双电源设计、brownout检测、同时切换噪声、电源布局、SerDes布局、PLL布局、I/O电源布局、编程电源布局、高速串行链路布局、仿真考虑、DDR3布局指南、创建原理图符号等。
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SPI-DirectC V2021.2用户指南
本指南介绍了SPI-DirectC软件，用于支持Microchip微处理器的嵌入式在系统编程（ISP）。指南详细说明了如何使用SPI-DirectC在支持的Microchip设备上启用基于微处理器的嵌入式ISP，包括系统概述、数据文件生成、SPI-DirectC代码集成、必要的源代码修改、数据文件格式、源文件描述、数据文件位方向以及示例项目。指南涵盖了SPI-DirectC的安装、配置和使用，旨在帮助用户进行有效的ISP操作。
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SPI-DirectC V2021.1用户指南
SPI-DirectC v2021.1用户指南主要介绍了如何使用SPI-DirectC进行嵌入式In-System Programming（ISP）以支持Microchip的IGLOO2、SmartFusion2、PolarFire和PolarFire SoC设备。指南详细说明了系统概述、数据文件格式、源代码修改、编译器开关、硬件接口组件、数据文件位方向以及示例项目等内容，旨在帮助用户生成数据文件、集成SPI-DirectC代码并实现设备编程。
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SmartFusion®2和Igloo®2高速串行接口配置用户指南
本指南介绍了如何配置SmartFusion2和IGLOO2系列中的高速串行接口，包括协议配置、PCIe配置、通道配置、信号完整性选项、发送去加重、接收CTL均衡、电源管理设置、高速串行接口控制寄存器配置、固件和仿真级别。指南详细说明了配置步骤和参数设置，适用于Libero SoC SERDES_IF核心。
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CoreAxi4DMA控制器
本手册详细介绍了Microsemi公司提供的CoreAXI4DMAController v2.1版本，这是一个AXI4 DMA控制器，用于在AXI系统中执行内存到内存风格的DMA传输。该核心提供内置的流控制技术，以确保AXI接口的带宽得到最佳利用。此外，该核心还提供AXI4内存映射从属设备的桥接，以支持AXI4-Stream主设备。手册涵盖了核心的架构、功能描述、接口描述、寄存器映射和描述、工具流程等内容，并提供了性能和利用率数据。
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Libero®SoC V12.1及更高版本SmartTime静态时序分析仪用户指南
本资料为Microchip Technology Inc.提供的Libero® SoC v12.1及以后版本中SmartTime静态时序分析工具的用户指南。指南详细介绍了SmartTime的功能和操作方法，包括设计流程、设置配置、时序分析、生成时序报告等。SmartTime工具用于可视化设计中的时序问题，评估时序要求，创建自定义时序集，设置时序异常，以及定义与其他工具的交叉探针路径。指南涵盖了时序分析的基本概念、高级时序分析、时序报告生成等方面，旨在帮助用户有效地进行时序分析和设计验证。
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FlashPro用户指南软件v11.9
FlashPro用户指南主要介绍了Microsemi公司开发的FlashPro编程软件工具，该工具用于SmartFusion2、IGLOO2、RTG4、SmartFusion、IGLOO、ProASIC3和Fusion等设备的编程。指南涵盖了软件的安装、使用、功能特点、编程设置、操作流程以及故障排除等内容。FlashPro支持多种编程功能，包括自动链路构建、非Microsemi BSDL文件导入、多设备链路编程和串行化、生成STAPL、SVF和IEEE 1532文件等。指南还提供了详细的操作教程和故障排除信息，以帮助用户有效地使用FlashPro进行设备编程。
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