APT100F50J 500V, 103A, 0.036Ω Max, trr≤390ns N-Channel FREDFET
发布时间：
2018-07-30
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
MICROSEMI（美高森美）
型号：
APT100F50J
资料平台
| 数据手册 - 英文 |
APT10035B2FLL(G) APT10035LFLL(G) 1000V 28A 0.37 Ω POWER MOS 7 R FREDFET
Rev C
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
Microsemi公司产品停产通知（PDN）编号：DPT0F081A1230
rev 3
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
高压肖特基二极管双芯片ISOTO®封装
Rev D
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
高压肖特基二极管双芯片ISOTO®封装
Rev C
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| 技术文档 - 英文 |
超软恢复整流二极管
Rev B
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| 技术文档 - 英文 |
超软恢复整流二极管
Rev C
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| 数据手册 - 英文 |
APT10090BFLL APT10090SFLL 1000V 12A 0.950Ω功率MOS 7 FREDFET
Rev D
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
Microsemi公司产品，工艺变更通知编号：PPS105130C32
Rev 3
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超快软恢复整流二极管
Rev A
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超快软恢复整流二极管
Rev B
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超快软恢复整流二极管
Rev J
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超快软恢复整流二极管
Rev D
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超快软恢复整流二极管
Rev D
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超快软恢复整流二极管
Rev D
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超快软恢复整流二极管
Rev D
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超快软恢复整流二极管
Rev B
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超快软恢复整流二极管
Rev C
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超快软恢复整流二极管
Rev M
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超快软恢复整流二极管
Rev C
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超快软恢复整流二极管
Rev B
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超快软恢复整流二极管
Rev G
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| 技术文档 - 英文 |
超快软恢复整流二极管
Rev E
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超快软恢复整流二极管
Rev E
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超快软恢复整流二极管
Rev B
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超快软恢复整流二极管
Rev B
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超快软恢复整流二极管
Rev B
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| 数据手册 - 英文 |
APT10090BLL APT10090SLL 1000V 12A 0.950Ω功率MOS 7 MOSFET
Rev D
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
Microsemi Corporation产品停产通知（PDN）编号：PPS1109070825
rev 3
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| 数据手册 - 英文 |
APT100GT60B2R（G）APT100GT60LR（G）600V，100A，VCE（ON）=2.1V典型Thunderbolt IGBT®
Rev C
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
Microsemi公司产品停产通知（PDN）编号：PPS1109060D12
rev 3
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APT1004RKNG 1000V 3.6A 4.00N沟道增强型高压功率MOSFET
Rev D
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
Microsemi公司产品停产通知（PDN）编号：DPT0F081A1113
rev 3
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| 技术文档 - 英文 |
Microsemi电源组合2018
2019/04/23
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| 数据手册 - 英文 |
APT1004RBN 1000V 4.4A 4.00ΩAPT1004R2BN 1000V 4.0A 4.20ΩN沟道增强型高压功率MOSFET
Rev C
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| 数据手册 - 英文 |
APT1001RBNR 1000V 11.0A 1.00N沟道增强型高压功率MOSFET
Rev B
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| 数据手册 - 英文 |
APT10045B2FLL(G) APT10045LFLL(G) 1000V 23A 0.46Ω POWER MOS 7 R FREDFET
Rev D
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| 数据手册 - 英文 |
APT1001R1BNG 1000V 10.5A 1.10N沟道增强型高压功率MOSFET
Rev D
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| 数据手册 - 英文 |
1200V APT100GN120B2 APT100GN120B2G*
Rev A
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APT100D60B2 600V 100A超快软恢复整流二极管
Rev A
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| 数据手册 - 英文 |
APT100D60BG 600V 100A超快软恢复整流二极管
Rev A
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APT1001RBN 1000V 11.0A 1.00N沟道增强型高压功率MOSFET
Rev B
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| 数据手册 - 英文 |
APT15D120BG数据表超快软恢复整流二极管
Revision C
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| 数据手册 - 英文 |
APT100GLQ65JU2
Rev 0
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| 数据手册 - 英文 |
APT100GLQ65JU3
Rev 0
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| 数据手册 - 英文 |
APT10026JFLL 1000V 30A0.28 Ω POWER MOS 7 R FREDFET
Rev C
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世强AI
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应用/方案
【产品】N沟道增强型MOSFET CJAC50SN03适用于高效快速开关，雪崩和换相模式下可承受高能量脉冲
长晶科技N沟道增强型功率场效应晶体管CJAC50SN03采用了SGT技术，该先进的技术专门用于最小化导通状态电阻，提供卓越的开关性能，并在雪崩和换相模式下承受高能量脉冲，使得该器件非常适用于高效快速开关应用中。
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【产品】20V/3A的N沟道增强型功率MOSFET QX2302系列，采用沟槽式DMOS技术，具有快速开关特性
群芯微推出的N沟道增强型功率MOSFET QX2302系列，器件采用沟槽式DMOS技术，这种先进的技术专为最大限度地降低导通电阻、提供卓越的开关性能以及在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲而量身定制，这些器件非常适合高效的快速开关应用领域。
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【产品】具备超低漏源导通电阻的N通道增强模式功率MOSFET RC3420，漏极直流电流5.5A
正芯推出的N通道增强模式功率MOSFET RC3420采用先进的沟道技术与设计，具有出色的RDS(ON)与低栅极电荷，漏源电压20V，漏源直流电流5.5A，可用于功率开关应用、硬开关与高频电路、不间断电源等领域。
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【产品】650V/1.9A美浦森SLD2N65UZ/SLU2N65UZ N沟道MOSFET，具有快速开关特性
美浦森推出的SLD2N65UZ/SLU2N65UZ是两款漏源电压高达650V的N沟道MOSFET。这种功率MOSFET采用平面条纹DMOS技术，特别为最小化导通电阻，提供卓越的开关性能以及在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲而设计。
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【产品】互补增强模式MOS场效应管AP4606，N和P沟道漏源电压均为30V，可用于高功率DC/DC转换
铨力半导体推出的AP4606互补增强型MOSFET是一款SOP-8塑封封装互补增强模式MOS场效应管。其N沟道和P沟道的漏源电压均为30V，用于高功率DC/DC转换和功率开关，适用于作负载开关或脉宽调制应用。
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