APT11F80B APT11F80S 600V, 12A, 0.9Ω Max trr≤210ns N-Channel FREDFET
发布时间：
2018-07-30
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
MICROSEMI（美高森美）
型号：
APT11F80B; APT11F80S; APT11F80B_S
资料平台
| 数据手册 - 英文 |
APT18F60B APT18F60S 600V, 19A, 0.37Ω Max, trr≤200ns N-Channel FREDFET
Rev D
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
Microsemi公司产品停产通知（PDN）编号：DPT0F081A1230
rev 3
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
高压肖特基二极管双芯片ISOTO®封装
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
高压肖特基二极管双芯片ISOTO®封装
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超快软恢复整流二极管
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超快软恢复整流二极管
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超快软恢复整流二极管
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超快软恢复整流二极管
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超快软恢复整流二极管
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超快软恢复整流二极管
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超快软恢复整流二极管
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超快软恢复整流二极管
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超快软恢复整流二极管
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超快软恢复整流二极管
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超快软恢复整流二极管
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超快软恢复整流二极管
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超快软恢复整流二极管
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超快软恢复整流二极管
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超快软恢复整流二极管
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APT12M80B APT12M80S 800V, 13A, 0.80Ω Max N-Channel MOSFET
Rev C
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
Microsemi Corporation产品停产通知（PDN）编号：PPS1109070825
rev 3
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APT15GP60B APT15GP60S 600V POWER MOS 7® IGBT
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Microsemi公司产品，工艺变更通知编号：PPS105130C32
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1200V APT13GP120B APT13GP120S APT13GP120BG*APT13GP120SG*功率MOS 7®IGBT
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
Microsemi公司产品停产通知（PDN）编号：PPS1109060D12
rev 3
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APT18M80B APT18M80S 800V, 19A, 0.53Ω Max N-Channel MOSFET
Rev C
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
Microsemi公司产品停产通知（PDN）编号：DPT0F081A1113
rev 3
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| 数据手册 - 英文 |
APT17F80B APT17F80S 800V, 18A, 0.58Ω Max, trr≤250ns N-Channel FREDFET
Rev C
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APT15GN120BDQ1 APT15GN120SDQ1 APT15GN120BDQ1（G）APT15 GN120SDQ1（G）1200V
Rev C
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| 数据手册 - 英文 |
APT13F120B APT13F120S 1200V, 14A, 1.2Ω Max trr, ≤250ns N-Channel FREDFET
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APT14M120B APT14M120S 1200V, 14A, 1.10Ω Max N-Channel MOSFET
Rev C
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APT1204R7BFLL APT1204R7SFLL 1200V 3.5A 4.700Ω POWER MOS 7 R FREDFET
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APT14M100B APT14M100S 1000V, 14A, 0.88Ω Max N-Channel MOSFET
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600V APT15GT60BR APT15GT60BRG*霹雳IGBT®
Rev D
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APT106N60B2_LC6 600V 106A 0.035Ω超结MOSFET
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600V APT15GT60BRDQ1 APT15GT60BRDQ1G*霹雳IGBT®
Rev B
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APT102GA60B2 APT102GA60L
Rev C
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APT17F100B APT17F100S 1000V, 17A, 0.78Ω Max, trr≤245ns N-Channel FREDFET
Rev D
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APT15GT120BR APT15GT120SR APT15GT120BR(G) APT15GT120SR(G) 1200V Thunderbolt IGBT®
Rev E
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超软恢复整流二极管
Rev B
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超软恢复整流二极管
Rev C
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APT14F100B APT14F100S 1000V, 14A, 0.98Ω Max, trr≤240ns N-Channel FREDFET
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应用/方案
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长晶科技N沟道增强型功率场效应晶体管CJAC50SN03采用了SGT技术，该先进的技术专门用于最小化导通状态电阻，提供卓越的开关性能，并在雪崩和换相模式下承受高能量脉冲，使得该器件非常适用于高效快速开关应用中。
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群芯微推出的N沟道增强型功率MOSFET QX2302系列，器件采用沟槽式DMOS技术，这种先进的技术专为最大限度地降低导通电阻、提供卓越的开关性能以及在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲而量身定制，这些器件非常适合高效的快速开关应用领域。
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HI-SEMICON推出的500V 5A N沟道功率MOSFET SFX5N50系列采用先进技术制造，适用于需要高功率密度和出色效率的应用中，如功率因数校正(PFC) 、开关模式电源(SMPS) 、不间断电源(UPS)、LED照明电源等领域。
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【产品】650V/1.9A美浦森SLD2N65UZ/SLU2N65UZ N沟道MOSFET，具有快速开关特性
美浦森推出的SLD2N65UZ/SLU2N65UZ是两款漏源电压高达650V的N沟道MOSFET。这种功率MOSFET采用平面条纹DMOS技术，特别为最小化导通电阻，提供卓越的开关性能以及在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲而设计。
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