APT23F60B APT23F60S 600V, 24A, 0.29Ω Max, trr≤220ns N-Channel FREDFET
发布时间：
2018-07-30
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
MICROSEMI（美高森美）
型号：
APT23F60B; APT23F60S; APT23F60B_S
资料平台
| 数据手册 - 英文 |
APT20GN60B APT20GN60S APT20GN60B（G）APT20 GN60S（G）600V
Rev B
|
下载 |
| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
Microsemi Corporation产品停产通知（PDN）编号：PPS1109070825
rev 3
|
下载 |
| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
超快软恢复整流二极管双模ISOTO®封装
Rev D
|
下载 |
| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
超快软恢复整流二极管双模ISOTO®封装
Rev E
|
下载 |
| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
超快软恢复整流二极管双模ISOTO®封装
Rev D
|
下载 |
| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
超快软恢复整流二极管双模ISOTO®封装
Rev F
|
下载 |
| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
超快软恢复整流二极管双模ISOTO®封装
Rev D
|
下载 |
| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
超快软恢复整流二极管双模ISOTO®封装
Rev C
|
下载 |
| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
超快软恢复整流二极管双模ISOTO®封装
Rev D
|
下载 |
| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
超快软恢复整流二极管双模ISOTO®封装
Rev H
|
下载 |
| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
超快软恢复整流二极管双模ISOTO®封装
Rev B
|
下载 |
| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
超快软恢复整流二极管双模ISOTO®封装
Rev F
|
下载 |
| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
超快软恢复整流二极管双模ISOTO®封装
Rev D
|
下载 |
| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
超快软恢复整流二极管双模ISOTO®封装
Rev H
|
下载 |
| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
超快软恢复整流二极管双模ISOTO®封装
Rev I
|
下载 |
| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
超快软恢复整流二极管双模ISOTO®封装
Rev E
|
下载 |
| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
超快软恢复整流二极管双模ISOTO®封装
Rev G
|
下载 |
| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
超快软恢复整流二极管双模ISOTO®封装
Rev E
|
下载 |
| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
超快软恢复整流二极管双模ISOTO®封装
Rev G
|
下载 |
| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
超快软恢复整流二极管双模ISOTO®封装
Rev G
|
下载 |
| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
超快软恢复整流二极管双模ISOTO®封装
Rev F
|
下载 |
| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
超快软恢复整流二极管双模ISOTO®封装
Rev F
|
下载 |
| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
超快软恢复整流二极管双模ISOTO®封装
Rev C
|
下载 |
| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
超快软恢复整流二极管双模ISOTO®封装
Rev B
|
下载 |
| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
超快软恢复整流二极管双模ISOTO®封装
Rev B
|
下载 |
| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
超快软恢复整流二极管双模ISOTO®封装
Rev D
|
下载 |
| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
超快软恢复整流二极管双模ISOTO®封装
Rev D
|
下载 |
| 技术文档 - 英文 |
碳化硅半导体产品
05/18
|
下载 |
| 技术文档 - 英文 |
碳化硅半导体产品
05,17
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
APT20GN60BDQ2 APT20GN60SDQ2 APT20GN60BDQ2（G）APT20 GN60SDQ2（G）
Rev A
|
下载 |
| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
Microsemi公司产品停产通知（PDN）编号：DPT0F081A1113
rev 3
|
下载 |
| 技术文档 - 英文 |
超快软恢复双整流二极管
Rev E
|
下载 |
| 技术文档 - 英文 |
超快软恢复双整流二极管
Rev B
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
APT20M16B2FLL APT20M16LFLL 200V 100A 0.016Ω POWER MOS 7 R FREDFET
Rev C
|
下载 |
| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
Microsemi公司产品停产通知（PDN）编号：DPT0F081A1230
rev 3
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
APT22F120B2 APT22F120L 1200V, 23A, 0.70Ω Max, trr≤270ns N-Channel FREDFET
Rev D
|
下载 |
| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
MSC2X/APT2X标准零件编号变更通知（19-054）
November 20, 2019
|
下载 |
| 技术文档 - 英文 |
典型APD15G、T25G、T220V、BSCR12产品
Rev A
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
APT20GN60BDQ1 APT20GN60SDQ1 APT20GN60BDQ1（G）APT20 GN60SDQ1（G）600V
Rev B
|
下载 |
| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
Microsemi公司产品停产通知（PDN）编号：PPS1109060D12
rev 3
|
下载 |
| 技术文档 - 英文 |
Microsemi电源组合2018
2019/04/23
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
APT24M80B APT24M80S800V, 25A, 0.39Ω Max N-Channel MOSFET
Rev C
|
下载 |
| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
Microsemi DPG（电源离散和模块业务部门）
November2017
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
1200V APT25GN120B APT25GN120S APT25GN120BG*APT25 GN120SG*
Rev E
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
APT24F50B APT24F50S 500V, 24A, 0.24Ω Max, trr≤210ns N-Channel FREDFET
Rev E
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
APT29F100B2 APT29F100L 1000V, 30A, 0.44Ω Max, trr≤270ns N-Channel FREDFET
Rev D
|
下载 |
世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
去使用世强AI >>
应用/方案
Adaptec®SmartRAID 3100系列：24i/8i16e/16i/8i8e/8i/8e/4i 12 Gbps PCIe Gen3 SAS/SATA RAID适配器
Adaptec SmartRAID 3100系列提供12 Gbps PCIe Gen3 SAS/SATA RAID适配器，适用于数据中心、企业IT和消费级服务器环境。该系列适配器支持maxCache 4.0 SSD缓存技术，提高读写性能和IOPS，同时具备先进的缓存保护和数据保护功能。此外，该系列适配器支持多种RAID级别，提供高I/O事务和高带宽处理解决方案，降低能耗和维护成本。
阅读原文 >>
耐辐射FPGA空间解决方案
Microsemi公司提供一系列针对太空应用的辐射容错FPGA，包括RTG4™、RTAX™-S/SL、RTAX-DSP、RT ProASIC®3和RTSX-SU。这些FPGA具有高可靠性、低功耗和辐射耐受性，适用于低地球轨道、深空等环境。Microsemi还提供从二极管、晶体管、功率转换器到ASIC、射频组件、振荡器、定时产品和混合信号集成电路等辐射硬化解决方案。此外，公司提供Libero®集成设计环境（IDE）工具和版本，以及针对系统关键FPGA的知识产权核心，如MIL-STD-1553B IP核心和数字信号处理IP核心。
阅读原文 >>
开关技术™ PFX/PFX-I PCIe Gen3扇出交换机系列产品简介
Switchtec™ PFX/PFX-I PCIe Gen3 Fanout Switch Families包括PM853x PFX和PM857x PFX-I系列，提供96/80/64/48/32/24xG3 PCIe Gen3扇出交换机。这些交换机支持高达96个通道，24个虚拟交换分区，48个非透明桥接器，每个端口都有热插拔和意外插拔控制器。特点包括高性能非阻塞交换，高级错误处理，全面诊断和调试能力，以及支持多种接口和连接器。
阅读原文 >>
双SiC MOSFET驱动器参考设计
本资料为Microsemi公司提供的双SiC MOSFET驱动器参考设计，旨在为工程师提供SiC器件评估的工程工具。设计特点包括高隔离、可调输出、短路保护、故障信号和欠压锁定保护。资料详细介绍了设计描述、固件、可选设计选项、I/O设置、电气特性、板安装和快速启动指南。
阅读原文 >>
