SSG4411-C -8A, -30V, RDS(O") 32mΩP-Ch Enhancement Mode Power MOSFET
发布时间：
2018-07-30
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
SECOS
型号：
SSG4411-C
加工定制
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SSG4411-C-8A，-30V，R-DS（ON）32mΩP沟道增强型功率MOSFET
Rev. B
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SSPR48P02-C P沟道增强型功率MOSFET
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SSG4407J-C P沟道增强型功率MOSFET
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SSG08P04-C P沟道增强型功率MOSFET
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SSD50P04-C P沟道增强型功率MOSFET
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SSG4835PR-C P沟道增强型功率MOSFET
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SSPR21P06-C P沟道增强型功率MOSFET
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SSG13P03-C-13A，-30V，R-DS（ON）15mP沟道增强型功率MOSFET
Rev. D
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SSG13P03-C-13A，-30V，RDS（ON）15mP沟道增强型功率MOSFET
Rev. B
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SSD26P10-C P沟道增强型功率MOSFET
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SSD45P03-C P沟道增强型功率MOSFET
Rev. A
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SSG4407J-C-11A、-30V、R-DS（ON）15mΩP沟道增强型功率MOSFET
Rev. F
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SSG2305A-C P沟道增强型功率MOSFET
Rev. A
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SSPR48P02-C-48A、-20V、RDS（ON）10mΩP通道增强型功率MOSFET
Rev. B
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SSD9435-C-20A，-30V，R-DS（ON）50mΩP沟道增强型功率MOSFET
Rev. D
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SSD35P06-C-35A，-60V，RDS（O！）25mm P沟道增强型功率MOSFET
Rev. A
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SSG1A6P15-C-1.6A，-150V，R-DS（ON）780mΩP通道增强型功率MOSFET
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SSG13P03-C-13A，-30V，RDS（ON）15mΩP通道增强型功率MOSFET
Rev. E
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SSPR21P06-C-21A、-60V、RDS（ON）40mΩP通道增强型功率MOSFET
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SSG9435BDY-C-5.3A，-30V，RDS（ON）36mΩP通道增强型功率MOSFET
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SMG2315-C-1.5A，-100V，RDS（ON）240mm P沟道增强型功率MOSFET
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SSU98P03-C-98A，-30V，R-DS（ON）7.5mP沟道增强型功率MOSFET
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SSG8503-C P-ch增强型功率MOSFET
Rev. A
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SSPRDJ6560-C N沟道：6.8A、60V、R-DS（ON）45mΩP沟道：-5.1A、-60V、R-DS（ON）82mΩN和P沟道增强型功率MOSFET
Rev. A
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SSG4407S-C-14A，-30V，R-DS（ON）9mP沟道增强型功率MOSFET
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SSPS7331P-C-13.4A，-30V，RDS（ON）13mΩP通道增强型功率MOSFET
Rev. E
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SSG4435J-C-7.3A、-30V、R-DS（ON）24mP沟道增强型功率MOSFET
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SSPRDJ4511-C N沟道：8.2A、100V、R-DS（ON）150mΩP沟道：-6.9A、-100V、R-DS（ON）210mΩN和P沟道增强型功率MOSFET
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SSG13P04J-C-13A，-40V，R-DS（ON）15mP沟道增强型功率MOSFET
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SPRD8503-C N沟道：36A、30V、R-DS（ON）12mΩP沟道：-33A、-30V、R-DS（ON）14mΩN和P沟道增强型功率MOSFET
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SSPRDJ4411-C-16A、-30V、R-DS（ON）32mΩ双通道P沟道增强型功率MOSFET
Rev. A
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SSPRDJ4503A-C N沟道：25.8A，30V，R-DS（ON）18mΩP沟道：-20.7A，-30V，R-DS（ON）28mΩN和P沟道增强型功率MOSFET
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SSI3139J-C-0.66A，-20V，RDS（ON）520mΩ双通道P通道增强型功率MOSFET
Rev. B
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SSPR50P03-C-50A，-30V，R-DS（ON）9mΩP沟道增强型功率MOSFET
Rev. A
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SUM2P02-C-0.86A、-20V、RDS（ON）200MΩ双通道P沟道增强型功率MOSFET
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SSPS7331P-C-13.4 A、-30 V、R-DS（ON）13 MP沟道增强型功率MOSFET
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SSG5509A-C N和P沟道增强型功率MOSFET
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SSPRD11P02-C双通道P沟道增强型功率MOSFET
Rev. B
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SSPRD11P02-C双通道P沟道增强型功率MOSFET
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SSG4501-C N和P沟道增强型功率MOSFET
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SPRD4503-C N和P沟道增强型功率MOSFET
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SSG4559J-C N和P沟道增强型功率MOSFET
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SSDE8404-C N和P沟道增强型功率MOSFET
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应用/方案
【产品】连续漏极电流达-4.1A的P沟道增强型功率MOSFET BLM3407，适用于负载开关及PWM应用
上海贝岭推出的P沟道增强型功率MOSFET BLM3407系列，器件采用先进的沟槽工艺技术，提供出色的漏源导通电阻RDS(ON)，低栅极电荷以及低至4.5V的栅极电压等特性，器件适用于负载开关及PWM应用领域。
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【应用】P沟道增强型功率MOSFET NCE60P82AD用在5G基站RRU上，最大可支持150W的功率
5G基站中RRU上的-48V供电系统中部分原理框图，在二级DCDC转换电路中，需要一个PMOS管，主要参数要求为：VDS为-60.00V，VGS 范围支持±20.00 V，ID @在25°C 下最高能到-78.00A，满足工业级标准，封装要求为TO-263，推荐国产品牌。据此推荐了国产品牌新洁能（NCEP0WER）的P沟道增强型功率MOSFET NCE60P82AD。
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【应用】P沟道增强型功率MOSFET HM9435B可用于负载开关，栅极阈值电压典型值低至-0.7V
虹美功率半导体推出的P沟道增强型功率MOSFET HM9435B漏源导通电阻小，栅极阈值电压低，采用SOP-8贴片封装，可以增强负载开关的通流能力，提高负载开关的工作效率，降低了负载开关成本，非常适合作为负载开关器件。
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【产品】采用SOT-23封装的P沟道增强型功率MOSFET SW380P03V7T，栅极电荷低至21nC
SW380P03V7T是芯派科技推出的一款采用先进的SAMWIN技术生产的P沟道增强型功率MOSFET，该技术使得器件具有更好的特性，包括快速开关时间、低导通电阻、低栅极电荷、特别是出色的雪崩特性。
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【产品】采用SOP-8封装的P沟道增强型功率MOSFET RM4953，适合于负载开关、PWM应用和电源管理
丽正国际（RECTRON）推出一款采用SOP-8封装的P沟道增强型功率MOSFET RM4953。该器件采用先进的沟槽技术，具有出色的R-DS(ON)、低栅极电荷和工作时栅极电压低至4.5V的特性，适合于负载开关或PWM应用。
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【产品】P沟道增强型功率MOSFET 30P55K，最大脉冲漏极电流高达-134A，耗散功率最大值为24.8W
富满电子推出的型号为30P55K的P沟道增强型功率MOSFET，器件为TO-252封装，采用先进的沟槽技术，提供出色的RDS(ON)，低栅极电荷，该器件适用于PWM应用，负载开关和电源管理等应用领域。
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【产品】-30V/-4.2A的P沟道增强型功率MOSFET AM3401，采用SOT-23封装
AiT推出的AM3401是一款P沟道增强型功率MOSFET，采用先进的沟槽技术，提供卓越的RDS(ON)，低栅极电荷，操作栅极电压低至2.5V。这款产品适用于负载开关或PWM应用。
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