SPRD4504-C -Ch: 24A_代理商_研发采购服务

SPRD4504-C -Ch: 24A, 40V, RDS(O) 30mΩ P-Ch: -21A, -40V, RDS(O) 40mΩ & P-Ch Enhancement Mode Power MOSFET

发布时间： 2018-07-30

类型：数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载

品牌：

SECOS

型号：

SPRD4504-C

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数据手册 - 英文	SSG4510 N-Ch: 3.5 A, 100 V, RDS(ON) 112 mΩΩΩΩ P-Ch: -2.5A, -100 V, RDS(ON) 200 mΩΩΩΩ N & P-Ch Enhancement Mode Power MOSFET Rev. C	下载
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应用/方案

【应用】N和P沟道增强型功率MOSFET HM4606D用在电动玩具车中，典型导通阻抗达到26mΩ

电动玩具车作为玩具市场的爆品，应用到了多个电机驱动，需要用到MOS管进行功率控制。虹美功率半导体N和P沟道增强型功率MOSFET HM4606D非常适合此类应用，其拥有超小的导通阻抗和超大的热散功耗，具有超高的性价比。

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【产品】铨力半导体推出采用SOP-8封装的N和P沟道增强型MOSFET AP2714SD，功率和电流处理能力高

铨力半导体推出一款采用SOP-8封装的N和P沟道增强型MOSFET——AP2714SD，具有高功率和电流处理能力，无铅产品，适用于PWM应用、负载开关、电源管理应用。

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【产品】无卤素无铅的N、P沟道二合一增强型功率MOSFET RM4503S，具有出色的RDS(ON)和低栅极电荷

RM4503S是丽正国际推出的采用先进沟槽技术的N沟道P沟道二合一增强型MOSFET，提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。其N沟道漏源电压为30V，漏极电流为10A，P沟道漏源电压为-30V，漏极电流为-9.1A，具有高功率和高电流处理能力。

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【产品】采用SOP-8封装的N和P沟道增强型MOSFET AP2716SD，适用于脉冲宽度调制应用、电源管理等领域

铨力半导体推出具有无铅产品认证的N和P沟道增强型MOSFET AP2716SD，采用SOP-8封装。适用于脉冲宽度调制应用、负载开关、电源管理。具有高功率和电流处理能力。

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【产品】N沟道和P沟道一体的增强型功率MOSFET RM3003S6，采用SOT23-6L封装

RM3003S6 是丽正国际推出的一款采用SOT23-6L封装的N沟道和P沟道一体的增强型功率MOSFET，该器件使用先进的沟槽技术和设计，可以提供优良的低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷。该器件适合应用于电池保护或者其他的开关电路设计。

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【产品】采用SOP-8封装的N和P沟道增强型MOSFET AP4606B，具有高功率和电流处理能力

铨力半导体推出N和P沟道增强型MOSFET AP4606B，采用SOP-8封装，无铅产品认证，具有高功率和电流处理能力。适用于脉冲宽度调制（PWM）应用、负载开关、电源管理应用。

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【产品】集成N沟道和P沟道的增强型功率MOSFET RM2020ES9，导通电阻小，SOT-363-6L封装

丽正国际推出的增强型功率MOSFET，型号：RM2020ES9，内部集成N沟道和P沟道各一个MOSFET, 采用先进的沟道技术，提供优良的RDS(ON)和低栅极电荷，两个互补MOSFET可设计为一个电平位移（电平转换）的高边开关，也可应用于其它应用。采用SOT-363-6L封装。

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【产品】互补增强模式MOS场效应管AP4606，N和P沟道漏源电压均为30V，可用于高功率DC/DC转换

铨力半导体推出的AP4606互补增强型MOSFET是一款SOP-8塑封封装互补增强模式MOS场效应管。其N沟道和P沟道的漏源电压均为30V，用于高功率DC/DC转换和功率开关，适用于作负载开关或脉宽调制应用。

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【产品】±30V N沟道和P沟道增强型功率MOSFET RM3075S8，采用SOP-8封装

丽正国际推出的RM3075S8是一款增强型功率MOSFET芯片，集成一个P沟道增强型MOSFET和一个N沟道增强型MOSFET，该器件使用先进的沟槽技术来提供出色的RDS（ON）和低栅极电荷。 SOP-8封装普遍适用于所有商业工业表面贴装应用，并且适合逆变器、通用半桥以及低压应用（如DC / DC变换器）的高、低压侧开关。

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