APT20M45BVR(G) 200V, 56A, 0.045Ω
发布时间：
2018-07-30
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
MICROSEMI（美高森美）
型号：
APT20M45BVR
加工定制
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| 数据手册 - 英文 |
APT20GN60B APT20GN60S APT20GN60B（G）APT20 GN60S（G）600V
Rev B
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Microsemi Corporation产品停产通知（PDN）编号：PPS1109070825
rev 3
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超快软恢复整流二极管双模ISOTO®封装
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超快软恢复整流二极管双模ISOTO®封装
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超快软恢复整流二极管双模ISOTO®封装
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超快软恢复整流二极管双模ISOTO®封装
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超快软恢复整流二极管双模ISOTO®封装
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碳化硅半导体产品
05/18
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碳化硅半导体产品
05,17
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APT20GN60BDQ2 APT20GN60SDQ2 APT20GN60BDQ2（G）APT20 GN60SDQ2（G）
Rev A
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Microsemi公司产品停产通知（PDN）编号：DPT0F081A1113
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超快软恢复双整流二极管
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超快软恢复双整流二极管
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APT20M16B2FLL APT20M16LFLL 200V 100A 0.016Ω POWER MOS 7 R FREDFET
Rev C
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
Microsemi公司产品停产通知（PDN）编号：DPT0F081A1230
rev 3
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| 数据手册 - 英文 |
1200V APT25GN120B APT25GN120S APT25GN120BG*APT25 GN120SG*
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MSC2X/APT2X标准零件编号变更通知（19-054）
November 20, 2019
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典型APD15G、T25G、T220V、BSCR12产品
Rev A
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| 数据手册 - 英文 |
APT22F120B2 APT22F120L 1200V, 23A, 0.70Ω Max, trr≤270ns N-Channel FREDFET
Rev D
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
Microsemi公司产品停产通知（PDN）编号：PPS1109060D12
rev 3
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| 技术文档 - 英文 |
Microsemi电源组合2018
2019/04/23
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| 数据手册 - 英文 |
APT20GN60BDQ1 APT20GN60SDQ1 APT20GN60BDQ1（G）APT20 GN60SDQ1（G）600V
Rev B
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
Microsemi DPG（电源离散和模块业务部门）
November2017
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APT24M80B APT24M80S800V, 25A, 0.39Ω Max N-Channel MOSFET
Rev C
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APT24F50B APT24F50S 500V, 24A, 0.24Ω Max, trr≤210ns N-Channel FREDFET
Rev E
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APT29F100B2 APT29F100L 1000V, 30A, 0.44Ω Max, trr≤270ns N-Channel FREDFET
Rev D
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APT23F60B APT23F60S 600V, 24A, 0.29Ω Max, trr≤220ns N-Channel FREDFET
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世强AI
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应用/方案
【产品】N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管SL18N50F，漏源电压500V，导通电阻仅0.32Ω
SLKOR推出的SL18N50F是一款低导通电阻、低阈值电压、快速开关速度的高压N沟道MOS管，适用于各种高压开关应用，如电源管理、电机驱动和开关模块等。其TO-220F封装，也使其在PCB设计中具有良好的散热性能，从而保证器件的高可靠性。
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【产品】1200V/55A的高压N沟道增强型单SiC功率MOSFET S2M0040120K，具有正温度特性
S2M0040120K是SMC推出的一款采用TO-247-4封装的高压N沟道增强型单SiC功率MOSFET。该器件在极端温度下具有非常低的总导通损耗和非常稳定的开关特性，在具有挑战性的环境下，对于能源敏感型应用和高频应用来讲是理想之选。
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双SiC MOSFET驱动器参考设计
本资料为Microsemi公司提供的双SiC MOSFET驱动器参考设计，旨在为工程师提供SiC器件评估的工程工具。设计特点包括高隔离、可调输出、短路保护、故障信号和欠压锁定保护。资料详细介绍了设计描述、固件、可选设计选项、I/O设置、电气特性、板安装和快速启动指南。
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