RJK0391DPA 30V, 50A, 2.9mΩ max. N Channel Power MOS FET High Speed Power Switching Datasheet
发布时间:
2018-07-30
类型:
数据手册,规格书、Datasheet;PDF下载
品牌:
RENESAS(瑞萨电子)
型号:
RJK0391DPA; RJK0391DPA-00-J5A
加工定制
定制液冷板尺寸5mm*5mm~3m*1.8m,厚度2mm-100mm,单相液冷板散热能力最高300W/cm²。
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可定制位移传感器量程范围10~600mm,该YWD型位移传感器表面有带刻度的透明窗☐,每毫米的变化量误差不超过3ue/mm,可在静态、准静态和低频动态下工作。主要指标:非线性<0.2%;供桥电压<10v;测试精度:0.01mm。
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资料平台
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RJK0346DPA 30V,65A,2.0mΩ最大N沟道功率MOS FET高速功率开关数据表
Rev.4.00
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
关于撤销瑞萨模具材料UL认证的补充通知(QA21-010)
March 18, 2021
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RJP60F7DPK 600V-50A-IGBT高速功率开关
Rev.1.00
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RJK0353DPA 30V,35A,5.2mΩ最大N沟道功率MOS FET高速功率开关数据表
Rev.5.00
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RJH60F5BDPQ-A0 600V-40A-IGBT高速功率开关
Rev.1.00
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RJK5020DPK硅N沟道MOSFET高速功率开关
Rev.3.00
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RJH60F5DPQ-A0 600V-40A-IGBT高速功率开关
Rev.2.00
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RJK4007DPP-M0硅N沟道MOSFET高速功率开关数据表
Rev.1.00
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RJH6086BDPK 600V-45A-IGBT高速功率开关
Rev.1.00
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RJP60D0DPK硅N通道IGBT高速功率开关产品介绍
Rev.3.00
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RJH60F4DPQ-A0 600V-30 A-IGBT高速功率开关
Rev.2.00
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RJK5012DPP-A0 500V-12A-MOS FET高速功率开关
Rev.1.00
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RJH60F3DPK硅n沟道IGBT高速功率开关
Rev.2.00
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RJP60D0DPE硅N通道IGBT高速功率开关产品介绍
Rev.1.00
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RJH60F6DPK硅n沟道IGBT高速功率开关
Rev.2.00
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RJH60F0DPK硅N通道IGBT高速功率开关产品介绍
Rev.3.00
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RJP6065DPM硅n沟道IGBT高速功率开关
Rev.1.00
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RJH1CF7RDPQ-80硅N通道IGBT高速功率开关产品介绍
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RJP30H1DPD硅n沟道IGBT高速功率开关
Rev.2.00
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RJH1CF6RDPQ-80硅N通道IGBT高速功率开关产品介绍
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RJH1CF5RDPQ-80硅n沟道IGBT高速功率开关
Rev.1.00
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RJP60D0DPP-M0硅N通道IGBT高速功率开关产品介绍
Rev.1.00
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RJH1CF4RDPQ-80硅n沟道IGBT高速功率开关
Rev.1.00
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RJH60T4DPQ-A0硅N通道IGBT高速功率开关产品介绍
Rev.1.00
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RJH6088BDPK硅n沟道IGBT高速功率开关
Rev.1.00
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RJK5018DPK Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
Rev.2.00
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RJH30H2DPK-M0硅n沟道IGBT高速功率开关
Rev.2.00
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RJK6014DPP-E0 600V-16A-MOS FET高速功率开关数据表
Rev.1.00
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RJH60F7ADPK硅n沟道IGBT高速功率开关
Rev.3.00
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RJH1DF7RDPQ-80硅N通道IGBT高速功率开关产品介绍
Rev.1.00
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RJH60F4DPK硅n沟道IGBT高速功率开关
Rev.3.00
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RJK6012DPP-A0 600V-10A-MOS FET高速功率开关数据表
Rev.1.02
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RJH1BF6RDPQ-80硅n沟道IGBT高速功率开关
Rev.1.00
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RJP60D0DPM硅N通道IGBT高速功率开关产品介绍
Rev.2.00
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RJH6087BDPK硅n沟道IGBT高速功率开关
Rev.1.00
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RJK5015DPK硅N沟道MOSFET高速功率开关
Rev.3.00
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RJP63K2DPP-M0硅n沟道IGBT高速功率开关
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2SK2225 1500V-2A-MOS FET高速功率开关
Rev.4.00
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2SK2225 1500V-2A-MOS FET高速功率开关
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RJH1BF7RDPQ-80硅n沟道IGBT高速功率开关
Rev.1.00
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RJP6085DPK硅n沟道IGBT高速功率开关
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RJP60F5DPK 600V-40A-IGBT高速电源切换数据表
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RJH60F5DPK硅n沟道IGBT高速功率开关
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RJH60F6BDPQ-A0 600V-45A-IGBT高速电源切换数据表
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RJP30E2DPK-M0硅n沟道IGBT高速功率开关
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RJH60F6DPQ-A0 600 V-45 A-IGBT高速电源切换数据表
Rev.2.00
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据,覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器,超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据,不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持,更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务,贯穿硬件创新全链路,让研发更容易,让采购更便宜。
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应用/方案
AS059太阳能电池板跟踪器和清洁系统
本资料介绍了Renesas Electronics Corporation的太阳能板追踪和清洁系统,旨在提高太阳能板的发电效率。系统通过追踪太阳位置以最大化收集太阳能,并使用清洁系统保持面板清洁。系统采用MCU驱动追踪和清洁电机,并使用Wi-Fi、Bluetooth LE和LTE模块实现远程操作和云连接。资料详细介绍了系统组件、关键特性和应用领域。
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【产品】提供QSOP和SOIC封装的高速CMOS四路总线开关QS3125,最大耗散功率仅0.5W
瑞萨电子公司(Renesas)的全资子公司IDT推出高速CMOS四路总线开关QS3125。器件提供一组四个高速低电阻CMOS开关,这些开关将输入连接到输出,而没有传播延迟,也不会产生额外的接地反弹噪声。 单个使能端(/OE)用于打开开关。该器件不会给系统增加噪声,接地反弹,传播延迟或显著功耗,是信号和控制开关的理想选择。产品还可以用于模拟开关应用,例如视频等。
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60V/5A N沟道MOS场效应管SL05N06Z,具有低导通电阻、高开关速度、低开关损耗等特点
SL05N06Z是一款N沟道MOS场效应管,具有出色的性能参数,其具有较高漏源电压(60V)和一定的电流承受能力(5.0A),非常适合用于中压中功率的电路设计中。此外,其较低的导通电阻(58mΩ@10V,3A)和较低的阈值电压(1.7V@250μA)保证了其在工作状态下能降低功率损耗。该器件在各种电子设备和电路中都能发挥重要作用,为电子设备和系统的性能提升和能效改进提供了强大支持。
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【产品】TO-220F塑封封装N沟道MOS场效应管BRCS65R190FAG,具有650V超结功率场效应管
蓝箭电子推出的TO-220F塑封封装N沟道MOS场效应管BRCS65R190FAG,具有650V超结功率场效应管,RDS(on)×Qg很低,100%雪崩测试的特征。该器件适用于开关电源、不间断电源、功率因数校正等,其VDSS值650V,ID值为20A。
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