RJK0301DPB-02 30V, 6_代理商_研发采购服务

RJK0301DPB-02 30V, 60A, 2.8mΩ max. Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching Datasheet

发布时间： 2018-07-30

类型：数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载

品牌：

RENESAS（瑞萨电子）

型号：

RJK0301DPB-02; RJK0301DPB-02#J0

资料下载

加工定制

可定制位移传感器量程范围10~600mm，该YWD型位移传感器表面有带刻度的透明窗☐，每毫米的变化量误差不超过3ue/mm，可在静态、准静态和低频动态下工作。主要指标：非线性<0.2%；供桥电压<10v；测试精度：0.01mm。

立即提交位移传感器量程定制 >>

资料平台

产品变更通知及停产信息 - 英文	Renesas（瑞萨电子）产品计划停产及停产通知（SAF-B-18-0001/0002）	下载
数据手册 - 英文	HAT2256R硅N沟道功率MOSFET功率开关 Rev.4.01	下载
技术文档 - 英文	RQK0204TGDQA硅n沟道MOS FET功率开关 Rev.5.00	下载
数据手册 - 英文	HAT2276R硅N沟道功率MOSFET功率开关 Rev.3.01	下载
技术文档 - 英文	RJF0611DPE硅n沟道MOS FET系列功率开关 Rev.1.00	下载
数据手册 - 英文	HAT2280R硅N沟道功率MOSFET功率开关 Rev.2.01	下载
技术文档 - 英文	RJF0611JPD硅n沟道MOS FET系列功率开关 Rev.2.00	下载
数据手册 - 英文	HAT2275R硅N沟道功率MOSFET功率开关 Rev.4.01	下载
技术文档 - 英文	RJF0611JPE硅n沟道MOS FET系列功率开关 Rev.2.00	下载
数据手册 - 英文	HAT2254R硅N沟道功率MOSFET功率开关 Rev.1.01	下载
技术文档 - 英文	RJF0611DPD硅n沟道MOS FET系列功率开关 Rev.1.00	下载
数据手册 - 英文	RJK0355DSP Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching Rev.3.01	下载
技术文档 - 英文	RJF0605JPD硅n沟道MOS FET系列功率开关 Rev.3.00	下载
数据手册 - 英文	RJK0354DSP硅N沟道功率MOS FET功率开关数据表 Rev.2.00	下载
技术文档 - 英文	RJF0605DPD硅n沟道MOS FET系列功率开关 Rev.1.00	下载
数据手册 - 英文	RJK0656DPB 60V，40A，5.6mΩ最大硅N沟道功率MOS FET功率开关数据表 Rev.2.00	下载
技术文档 - 英文	RJF0608JSP 60V-5A-N沟道MOS FET功率开关 Rev.1.00	下载
数据手册 - 英文	RJK0455DPB 40V，45A，3.8mΩ最大硅N沟道功率MOS FET功率开关数据表 Rev.3.00	下载
技术文档 - 中文	RJH60F0DPQ-A0 硅 N 沟道绝缘栅双极晶体管快速电源开关修订版本1.00	下载
数据手册 - 英文	RJK0332DPB-01硅N沟道功率MOS FET功率开关数据表 Rev.5.00	下载
技术文档 - 中文	RJH60F6BDPQ-A0 600V-45A-绝缘栅双极晶体管快速电源开关修订版本1.00	下载
数据手册 - 英文	RJK0655DPB 60V，35A，6.7mΩ最大硅N沟道功率MOS FET功率开关数据表 Rev.2.00	下载
技术文档 - 中文	RJH1CF6RDPQ-80 硅 N 沟道绝缘栅双极晶体管快速电源开关修订版本1.00	下载
数据手册 - 英文	HAT2198R硅N沟道功率MOS FET功率开关 Rev.2.01	下载
技术文档 - 中文	RJH1CF7RDPQ-80 硅 N 沟道绝缘栅双极晶体管快速电源开关修订版本1.00	下载
数据手册 - 英文	RBN75H65T1FPQ-A0 650V-75A-IGBT电源开关 Rev.1.20	下载
技术文档 - 英文	微电路，线性，直流/直流电源开关稳压器，单片硅 REV A	下载
数据手册 - 英文	RBN40H65T1FPQ-A0 650V-40V-IGBT电源开关 Rev.1.20	下载
技术文档 - 中文	RJH60F3DPQ-A0C硅 N 沟道绝缘栅双极晶体管快速电源开关修订版本1.00	下载
数据手册 - 英文	RBN50H65T1FPQ-A0 650V-50A-IGBT电源开关 Rev.1.20	下载
技术文档 - 中文	RJH60F6DPQ-A0 硅 N 沟道绝缘栅双极晶体管快速电源开关修订版本1.00	下载
数据手册 - 英文	RBN75H125S1FP4-A0 1250V-75V-IGBT电源开关 Rev.1.40	下载
技术文档 - 英文	RJF0612JPE 60V-50A-N沟道热场效应晶体管电源开关 Rev.2.00	下载
数据手册 - 英文	RBN25H125S1FPQ-A0 1250V-25V-IGBT电源开关 Rev.1.40	下载

世强AI

世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。

去使用世强AI >>

应用/方案

使用ISL8105AEVAL1Z PWM控制器评估板应用说明

本资料为Intersil公司发布的关于ISL8105AEVAL1Z PWM控制器评估板的详细应用笔记。内容涵盖了ISL8105A控制器在DC/DC转换应用中的操作，包括输入电压、输出电压、输出电流等参数的设置和性能表现。资料详细介绍了软启动、输出电压纹波、瞬态响应、过流保护等功能，并提供了电路图、PCB层叠图和物料清单等详细信息。

阅读原文 >>

ISL5440XEVAL1Z评估板

本资料为ISL8105AEVAL1Z评估板的用户手册，详细介绍了该评估板在DC/DC应用中，使用ISL8105A控制器实现VIN=12V、VOUT=1.8V、IOUT=10A的运行操作。手册涵盖了评估板的配置、启动过程、输出性能、过流保护、效率等方面的内容，并提供了电路图、物料清单和PCB层信息。

阅读原文 >>

ISL8120EVAL3Z用户手册

本资料介绍了ISL8120EVAL3Z评估板的设置和操作流程，该评估板用于演示ISL8120双同步降压PWM控制器在双独立输出和DDR应用中的性能。资料详细描述了评估板的电路设计、元件清单、布线图、测试数据和注意事项。内容包括输入电压、频率、输出电压、推荐设备、电路描述、DDR应用配置、测试数据等。

阅读原文 >>

ISL8120EVAL3Z评估板设置程序

本资料介绍了ISL8120EVAL3Z评估板的设置程序，该评估板用于演示ISL8120双独立输出和DDR应用的性能。资料详细描述了评估板的电路描述、推荐设备、订购信息、电路图、物料清单、板布局和测试数据。此外，还涵盖了DDR应用的配置、输入电压UVLO和其滞后设置、rDS(ON)感应配置等内容。

阅读原文 >>

ISL8120EVAL4Z用户手册

本资料介绍了ISL8120EVAL4Z评估板的设置程序和性能。该评估板集成了两个电压模式同步降压PWM控制器，可用于双独立输出或2相单输出稳压器。资料详细描述了电路连接、性能测试、输入电压UVLO和其滞后设置、并行操作配置等，并提供了相应的测试数据和原理图。

阅读原文 >>

ISL8120EVAL4Z评估板设置程序

本资料介绍了ISL8120EVAL4Z评估板的设置程序和性能。该评估板集成了两个电压模式同步降压PWM控制器，可用于双独立输出或双相单输出调节器。资料详细描述了评估板的电路连接、性能测试、输入电压UVLO编程、并行操作配置以及相关测试数据。

阅读原文 >>

ISL8120EVAL4Z评估板设置程序

本资料介绍了ISL8120EVAL4Z评估板的设置流程和性能。ISL8120是一款集成双电压模式同步降压PWM控制器，可用于双独立输出或双相单输出调节器。评估板用于演示2/n相单输出应用。资料中详细描述了电路连接、性能测试、输入电压UVLO编程、并行操作配置等内容。

阅读原文 >>

ISL6327EVAL5电压调节器耦合电感解决方案使用ISL6327和ISL6609用户手册

本文介绍了Intersil公司ISL6327电压调节器结合耦合电感器的解决方案，旨在满足现代微处理器对高性能、高效率电源的需求。该方案利用ISL6327控制器和耦合电感器输出滤波拓扑，实现精确的电压调节和快速负载瞬态响应。文章详细阐述了ISL6327的功能、特性、工作原理以及组件选择指南，并提供了ISL6327EVAL5评估板的配置和使用方法。

阅读原文 >>

使用ISL6327和ISL6609的ISL6327EVAL5电压调节器耦合电感解决方案

本文介绍了Intersil公司ISL6327电压调节器与ISL6609配合使用的耦合电感解决方案。该方案适用于高性能微处理器核心电压调节，具有精确的电压调节、多通道同步降压、快速负载瞬态响应等特点。文章详细阐述了ISL6327的特性和应用，包括数字接口、保护功能、调制方案等，并提供了ISL6327EVAL5评估板的配置和使用方法。

阅读原文 >>

【产品】1500V/2.5A适用于高速电源开关设计的N沟道MOSFET 2SK1317

Renesas公司推出的一款N沟道MOSFET产品——2SK1317-E，支持高速开关操作，具备高击穿电压、无二次击穿、低驱动电流以及出色的温度稳定性，其漏源电压VDSS为1500V，沟道的上限温度为150℃，漏极电流低至2.5A，非常适用于高速电源开关、开关稳压器、DC-DC转换器以及电动机驱动器等应用的设计。

阅读原文 >>

【应用】具备快速开关速度的双路SPST单电源开关用于无线应变计系统开关设计，泄漏电流低至8nA

针对无线应变计中的开关模块，本文推荐采用Intersil（Renesas收购）公司推出的一款双路SPST单电源开关ISL54061，采用+1.8V~+6.5V的单电源供电，导通电阻可低至0.56Ω，功耗低至8nA，并且具备快速的开关速度，采用微型10Ld 1.8mmx1.4mm μTQFN或10Ld 3mmx3mm TDFN封装，可有效满足无线应变计的低功耗和小尺寸需求。

阅读原文 >>

【产品】适用于照明/加热器应用的硅N沟道MOSFET电源开关RJF0605JPD、RJF0605DPD

RJF0605JPD和RJF0605DPD是Renesas公司生产的两款硅N沟道MOSFET系列电源开关，适用于照明/加热器应用，以及动力总成应用和24V电池系统应用。两者都采用相同的DPAK(S)封装，引脚兼容标准功率MOSFET封装。

阅读原文 >>

【应用】高转化效率的DC/DC电源开关稳压器，助力雷达/声呐系统电源管理

Intersil（Renesas子公司）生产的ISL8560MR，是一款降压型DC/DC电源开关稳压器，采用内功率DMOS晶体管，具备非常高的效率和开关速度。

阅读原文 >>

【产品】应用于稳压电池系统的硅P沟道MOSFET电源开关芯片HAF1010RJ

Renesas公司的硅P沟道MOS FET系列电源开关芯片HAF1010RJ，可检测结温，在栅极区内置有过热关断电路用于过热保护。

阅读原文 >>

东南电子应用在打印机上的KDC-A04电源开关

东南电子的KDC-A04电源开关可用于打印机电源控制，具备高分断可靠性、大电流承受能力和长寿命等特点。

阅读原文 >>

【应用】硅N沟道功率MOSFET HM1N50MR为适配器提供高效设计方案，漏源电压VDS为500V

针对适配器应用方案硅N沟道功率MOSFET选型，笔者推荐虹美功率半导体的HM1N50MR。它通过自对准平面技术降低了传导损耗，提高了雪崩能量，改善了开关性能；这一性能使得适配器能够高效率将电流输出到电子设备，缩短了充电时间，减少了人们等待时间。

阅读原文 >>

资料加工定制资料平台世强AI 应用/方案