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RJK0305DPB-02 30V, 30A, 8.0mΩmax Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching Datasheet
发布时间: 2018-07-30
类型: 数据手册,规格书、Datasheet;PDF下载
品牌:
RENESAS(瑞萨电子)
型号:
RJK0305DPB-02; RJK0305DPB-02#J0
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加工定制
定制液冷板尺寸5mm*5mm~3m*1.8m,厚度2mm-100mm,单相液冷板散热能力最高300W/cm²。
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可定制位移传感器量程范围10~600mm,该YWD型位移传感器表面有带刻度的透明窗☐,每毫米的变化量误差不超过3ue/mm,可在静态、准静态和低频动态下工作。主要指标:非线性<0.2%;供桥电压<10v;测试精度:0.01mm。
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产品变更通知及停产信息 - 英文
Renesas(瑞萨电子)产品计划停产及停产通知(SAF-B-18-0001/0002)
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数据手册 - 英文
RJK0456DPB 40V,50A,3.2mΩ最大硅N沟道功率MOS FET功率开关数据表
Rev.3.00
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RQK0204TGDQA硅n沟道MOS FET功率开关
Rev.5.00
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RJK1055DPB 100V,23A,17mΩ最大硅N沟道功率MOS FET功率开关数据表
Rev.2.00
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RJF0611DPE硅n沟道MOS FET系列功率开关
Rev.1.00
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RJK0454DPB 40V,40A,4.9mΩ最大硅N沟道功率MOS FET功率开关数据表
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RJF0611JPD硅n沟道MOS FET系列功率开关
Rev.2.00
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RJK1056DPB 100V,25A,14mΩ最大硅N沟道功率MOS FET功率开关数据表
Rev.2.00
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RJF0611JPE硅n沟道MOS FET系列功率开关
Rev.2.00
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RJK0355DSP Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching
Rev.3.01
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RJF0611DPD硅n沟道MOS FET系列功率开关
Rev.1.00
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RJK0354DSP硅N沟道功率MOS FET功率开关数据表
Rev.2.00
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RJF0605JPD硅n沟道MOS FET系列功率开关
Rev.3.00
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RJK0455DPB 40V,45A,3.8mΩ最大硅N沟道功率MOS FET功率开关数据表
Rev.3.00
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RJF0605DPD硅n沟道MOS FET系列功率开关
Rev.1.00
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数据手册 - 英文
RJK0332DPB-01硅N沟道功率MOS FET功率开关数据表
Rev.5.00
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RJF0608JSP 60V-5A-N沟道MOS FET功率开关
Rev.1.00
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RJK0655DPB 60V,35A,6.7mΩ最大硅N沟道功率MOS FET功率开关数据表
Rev.2.00
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RJH60F0DPQ-A0 硅 N 沟道绝缘栅双极晶体管 快速电源开关
修订版本1.00
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RJK0656DPB 60V,40A,5.6mΩ最大硅N沟道功率MOS FET功率开关数据表
Rev.2.00
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技术文档 - 中文
RJH60F6BDPQ-A0 600V-45A-绝缘栅双极晶体管 快速电源开关
修订版本1.00
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数据手册 - 英文
RJK0301DPB-02 30V,60A,2.8mΩ最大硅N沟道功率MOS FET功率开关数据表
Rev.9.01
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RJH1CF6RDPQ-80 硅 N 沟道绝缘栅双极晶体管 快速电源开关
修订版本1.00
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数据手册 - 英文
RJK0654DPB 60V,30A,8.3mΩnax。硅N沟道功率mosfet功率开关数据表
Rev.2.00
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RJH1CF7RDPQ-80 硅 N 沟道绝缘栅双极晶体管 快速电源开关
修订版本1.00
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应用/方案
ISL9440BEVAL1Z评估板:三重PWM降压同步降压控制器和一个LDO
本资料介绍了ISL9440BEVAL1Z评估板,该板集成了ISL9440B四输出控制器,包含三个PWM同步降压控制器和一个低 dropout 线性稳压器控制器。ISL9440B提供可编程软启动、独立使能功能和集成过压/过流/过温保护。该控制器采用电流模式控制架构和内部补偿网络,以最小化外围组件。ISL9440B的强栅极驱动器能够驱动PWM1和PWM2的20A电流,PWM3的15A电流。资料还提供了电气规格、典型性能曲线和PCB布局信息。
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ISL9440BEVAL1Z评估板:三重PWM降压同步降压控制器和一个LDO用户手册
本资料介绍了ISL9440BEVAL1Z评估板,该板集成了ISL9440B四输出控制器,包含三个PWM同步降压控制器和一个低 dropout 线性稳压器控制器。ISL9440B提供可编程软启动、独立使能功能和集成过压/过流/过温保护。该控制器采用电流模式控制架构和内部补偿网络,以最小化外围组件。ISL9440B的强栅极驱动器能够驱动PWM1和PWM2的20A电流,PWM3的15A电流。资料还提供了电气规格、典型性能曲线和PCB布局信息。
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ISL8126EVAL1Z评估板用户手册
本资料介绍了ISL8126EVAL1Z评估板的硬件描述、电路描述、性能评估等内容。ISL8126是一款集成两路同步降压PWM控制器,适用于双独立输出或双相单输出调节器。评估板用于演示2相单输出应用,包括输入输出规格、快速启动步骤、电路描述、性能曲线等。资料还提供了评估板的物料清单和硬件信息。
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ISL8126EVAL1Z评估板
本资料介绍了ISL8126EVAL1Z评估板的硬件描述、电路描述、性能评估等内容。该评估板用于展示ISL8126双同步降压PWM控制器在两相单输出应用中的性能。资料中详细说明了评估板的设置步骤、性能参数、电路图、物料清单等,并提供了典型性能曲线和注意事项。
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ISL9519TQFNEVAL2Z评估板设置程序
本资料介绍了ISL9519电池充电控制器评估板的设置程序。ISL9519是一款高度集成的电池充电控制器,适用于锂离子/锂离子聚合物电池,具有SMBus接口,可控制系统电压、充电电流和输入电流限制。评估板包括USB到SMBus接口,允许用户从个人电脑控制ISL9519。资料详细说明了评估板的硬件连接、软件安装、驱动程序配置以及用户界面操作。
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ISL8105AEVAL1Z评估板用户手册
本资料为ISL8105AEVAL1Z评估板的用户手册,详细介绍了该评估板在DC/DC应用中,使用ISL8105A控制器进行VIN=12V、VOUT=1.8V、IOUT=10A操作的特性和性能。手册内容包括评估板的配置、启动过程、输出性能、效率、过流保护、原理图、物料清单、PCB层等信息。
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使用ISL8105AEVAL1Z PWM控制器评估板应用说明
本资料为Intersil公司发布的关于ISL8105AEVAL1Z PWM控制器评估板的详细应用笔记。内容涵盖了ISL8105A控制器在DC/DC转换应用中的操作,包括输入电压、输出电压、输出电流等参数的设置和性能表现。资料详细介绍了软启动、输出电压纹波、瞬态响应、过流保护等功能,并提供了电路图、PCB层叠图和物料清单等详细信息。
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ISL5440XEVAL1Z评估板
本资料为ISL8105AEVAL1Z评估板的用户手册,详细介绍了该评估板在DC/DC应用中,使用ISL8105A控制器实现VIN=12V、VOUT=1.8V、IOUT=10A的运行操作。手册涵盖了评估板的配置、启动过程、输出性能、过流保护、效率等方面的内容,并提供了电路图、物料清单和PCB层信息。
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ISL8120EVAL3Z评估板设置程序
本资料介绍了ISL8120EVAL3Z评估板的设置程序,该评估板用于演示ISL8120双独立输出和DDR应用的性能。资料详细描述了评估板的电路描述、推荐设备、订购信息、电路图、物料清单、板布局和测试数据。此外,还涵盖了DDR应用的配置、输入电压UVLO和其滞后设置、rDS(ON)感应配置等内容。
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ISL8120EVAL3Z用户手册
本资料介绍了ISL8120EVAL3Z评估板的设置和操作流程,该评估板用于演示ISL8120双同步降压PWM控制器在双独立输出和DDR应用中的性能。资料详细描述了评估板的电路设计、元件清单、布线图、测试数据和注意事项。内容包括输入电压、频率、输出电压、推荐设备、电路描述、DDR应用配置、测试数据等。
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ISL8115EVAL1Z同步降压转换器用户手册
本资料介绍了ISL8115EVAL1Z同步降压转换器,该转换器采用Intersil的宽输入范围PWM控制器ISL8115。资料详细描述了ISL8115EVAL1Z的测试设置、典型性能波形、电路图、布局和物料清单。主要特点包括宽输入电压范围、快速瞬态响应、集成高速4A MOSFET栅极驱动器、可编程振荡器频率、输出过压/欠压、过流和过温保护等功能。适用于数据通信/电信和POL电源、宽输入电压范围降压稳压器和高电流密度电源。
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ISL8115EVAL1Z同步降压变换器
本资料介绍了Intersil公司生产的ISL8115EVAL1Z同步降压转换器评估板。该评估板采用ISL8115宽输入范围PWM控制器,支持2.97V至36V的宽输入电压范围,输出电压可达5.5V,负载电流可达30A。资料详细描述了评估板的电气规格、关键特性、测试设置、典型性能波形、原理图、布局和物料清单。此外,还提供了输出电压调整、同步设置和性能曲线等信息。
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ISL8120EVAL4Z评估板设置程序
本资料介绍了ISL8120EVAL4Z评估板的设置程序和性能。该评估板集成了两个电压模式同步降压PWM控制器,可用于双独立输出或双相单输出调节器。资料详细描述了评估板的电路连接、性能测试、输入电压UVLO编程、并行操作配置以及相关测试数据。
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ISL8120EVAL4Z评估板设置程序
本资料介绍了ISL8120EVAL4Z评估板的设置流程和性能。ISL8120是一款集成双电压模式同步降压PWM控制器,可用于双独立输出或双相单输出调节器。评估板用于演示2/n相单输出应用。资料中详细描述了电路连接、性能测试、输入电压UVLO编程、并行操作配置等内容。
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ISL8120EVAL4Z用户手册
本资料介绍了ISL8120EVAL4Z评估板的设置程序和性能。该评估板集成了两个电压模式同步降压PWM控制器,可用于双独立输出或2相单输出稳压器。资料详细描述了电路连接、性能测试、输入电压UVLO和其滞后设置、并行操作配置等,并提供了相应的测试数据和原理图。
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ISL6327EVAL5电压调节器耦合电感解决方案使用ISL6327和ISL6609用户手册
本文介绍了Intersil公司ISL6327电压调节器结合耦合电感器的解决方案,旨在满足现代微处理器对高性能、高效率电源的需求。该方案利用ISL6327控制器和耦合电感器输出滤波拓扑,实现精确的电压调节和快速负载瞬态响应。文章详细阐述了ISL6327的功能、特性、工作原理以及组件选择指南,并提供了ISL6327EVAL5评估板的配置和使用方法。
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使用ISL6327和ISL6609的ISL6327EVAL5电压调节器耦合电感解决方案
本文介绍了Intersil公司ISL6327电压调节器与ISL6609配合使用的耦合电感解决方案。该方案适用于高性能微处理器核心电压调节,具有精确的电压调节、多通道同步降压、快速负载瞬态响应等特点。文章详细阐述了ISL6327的特性和应用,包括数字接口、保护功能、调制方案等,并提供了ISL6327EVAL5评估板的配置和使用方法。
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ISL9519EVAL1Z评估板
本资料为ISL9519EVAL1Z评估板的用户手册,介绍了ISL9519锂离子电池充电控制器的功能和使用方法。评估板包含USB到SMBus接口,允许用户通过个人电脑控制ISL9519。手册详细说明了评估板的硬件连接、软件安装、驱动程序配置以及用户界面操作,包括如何启用输出、设置充电电流、输入电流限制和系统电压等。此外,还提供了评估板的原理图、布局图和物料清单。
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ISL9519EVAL1Z评估板设置程序
本资料为ISL9519EVAL1Z评估板的设置程序,介绍了ISL9519锂离子电池充电控制器的基本功能和使用方法。内容包括所需材料、硬件连接、软件安装、用户界面操作以及故障排除等。资料详细说明了如何通过USB接口从个人电脑控制ISL9519,并提供了电路图和布局图供参考。
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ISL9519EVAL1Z评估板用户手册
本资料为ISL9519EVAL1Z评估板的用户手册,介绍了ISL9519锂离子电池充电控制器及其评估板的硬件连接、软件安装和操作方法。手册详细说明了评估板的组成、所需测试材料和设备,以及如何通过USB接口从个人电脑控制ISL9519。此外,还包括了软件安装步骤、用户界面控制说明、故障排除指南和评估板的原理图及布局信息。
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【产品】1500V/2.5A适用于高速电源开关设计的N沟道MOSFET 2SK1317
Renesas公司推出的一款N沟道MOSFET产品——2SK1317-E,支持高速开关操作,具备高击穿电压、无二次击穿、低驱动电流以及出色的温度稳定性,其漏源电压VDSS为1500V,沟道的上限温度为150℃,漏极电流低至2.5A,非常适用于高速电源开关、开关稳压器、DC-DC转换器以及电动机驱动器等应用的设计。
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【应用】具备快速开关速度的双路SPST单电源开关用于无线应变计系统开关设计,泄漏电流低至8nA
针对无线应变计中的开关模块,本文推荐采用Intersil(Renesas收购)公司推出的一款双路SPST单电源开关ISL54061,采用+1.8V~+6.5V的单电源供电,导通电阻可低至0.56Ω,功耗低至8nA,并且具备快速的开关速度,采用微型10Ld 1.8mmx1.4mm μTQFN或10Ld 3mmx3mm TDFN封装,可有效满足无线应变计的低功耗和小尺寸需求。
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【产品】适用于照明/加热器应用的硅N沟道MOSFET电源开关RJF0605JPD、RJF0605DPD
RJF0605JPD和RJF0605DPD是Renesas公司生产的两款硅N沟道MOSFET系列电源开关,适用于照明/加热器应用,以及动力总成应用和24V电池系统应用。两者都采用相同的DPAK(S)封装,引脚兼容标准功率MOSFET封装。
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【应用】高转化效率的DC/DC电源开关稳压器,助力雷达/声呐系统电源管理
Intersil(Renesas子公司)生产的ISL8560MR,是一款降压型DC/DC电源开关稳压器,采用内功率DMOS晶体管,具备非常高的效率和开关速度。
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【产品】应用于稳压电池系统的硅P沟道MOSFET电源开关芯片HAF1010RJ
Renesas公司的硅P沟道MOS FET系列电源开关芯片HAF1010RJ,可检测结温,在栅极区内置有过热关断电路用于过热保护。
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