2301 1.5 Watt - 20 Volts, Class C Microwave 2300 MHz
发布时间：
2018-07-30
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
GHz Technology
型号：
2301; 55 BT
资料平台
| 数据手册 - 英文 |
2302 2.0瓦-20伏，C类微波2300 MHz
2017/12/04
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23077.0瓦-20伏，C类微波2300兆赫
Rev A
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23044.0瓦-20伏，C类微波2300兆赫
REV B
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2005 5.0瓦-28伏，C类微波2000 MHz
August 1996
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2124-12L 12瓦，22伏，C类微波2200-2400 MHz
REV A
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1618-35 35瓦-28伏，C类微波1600-1800 MHz
REV A
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1719-20 20瓦-28伏，C类微波1700-1900 MHz
August 1996
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2021-25 25瓦，24伏，C类微波2000-2130 MHz
August 1996
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2224-6L 6瓦，22伏，C类微波2200-2400 MHz
REV A
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2225-4L 3.5瓦，24伏，C类微波2200-2500 MHz
REV A
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20033瓦-28伏，C类微波2000 MHz
August 1996
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2010 10瓦-28伏，C类微波2000 MHz
August 1996
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1718-32L 32瓦-24伏，C类微波1750-1850 MHz
January 1996
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2324-20 20瓦，24伏，C类微波2300-2400 MHz
REV A
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2324-12L 12瓦-20伏，C类微波2300-2400 MHz
REV A
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2223-1.7 1.7瓦-24伏，C类微波2200-2300 MHz
REV A
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1719-35 35瓦-28伏，C类微波1725-1850 MHz
April 1996
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1819-35 35瓦-28伏，C类微波1750-1850 MHz
August 1996
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TAN15 15瓦，40伏，脉冲航空电子设备960-1215 MHz
December 1995
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1214-55 55瓦-28伏，脉冲雷达1200-1400 MHz
REV A
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1214-30 30瓦，28伏，脉冲雷达1200-1400 MHz
REV A
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TPR 175175瓦，50伏，脉冲航空电子设备1030-1090 MHz
February 1998
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TPR 400 400瓦，50伏，脉冲航空电子设备1030-1090 MHz
February 1998
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1617-35 35瓦，28伏，脉冲雷达1540-1660 MHz
May 1999
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TPR 500500瓦，50伏，脉冲航空电子设备1030-1090 MHz
June 1, 1994
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| 数据手册 - 英文 |
TPR 10001000瓦，45伏，脉冲航空电子设备1090 MHz
June 1997
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TCS450 450瓦，45伏，脉冲航空电子设备1030 MHz
Revision 2,
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300瓦，50伏，脉冲航空电子设备960-1215 MHz
June, 1994
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技术论坛
我想问一下这一款电容自谐振频率有多少，能支持到几ghz的应用
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MICA DIELECTRIC CAPACITOR TECHNOLOGY
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需要采购一些ECCOSORB 吸波材料 使用频段4-8GHz 和 8-12GHz
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我们的工控板项目上之前有用过CLB53302，这颗现在好像不太好买了，请问你们有没有什么可以替代的型号推荐，功能替代就可以，最好要国产的，稳定的
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加速卡项目上需要一颗3.3V供电的2:4的时钟缓冲器，需要支持LVDS输入输出形式，且输出时钟信号达到1.6Ghz，有合适推荐么？
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锁相环国产化的需求：之前使用的是TI的HMC703LP4E，宽带： DC - 8 GHz RF输，高PFD速率： 100 MHz，封装： 16 mm²
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后装车载导航上需要一颗6位数控衰减器，支持5V供电，有合适推荐么？
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军工卫星通信上需要一款LAN，频段要求：5.725G-6.725GHz，功率不小于17dBm，噪声系数小于1dB
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你好，一个智能家居项目上使用的TI的CC3200MOD WIFI模块，请问有能P2P替换的国产型号推荐吗？
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项目中需要一款芯片类的双路功分器，要求工作频率范围5GHz ~16GHz，公共端口的承受功率不小于2W，隔离度不小于15dB，插入损耗小于1 dB，是否有合适推荐？
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资产管理项目，需要一颗蓝牙SOC，需要M4的内核，蓝牙5.1协议栈、2.4 GHz射频收发器，有满足的吗？
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瑞萨RCAR S4的CPU性能是怎样的？
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Nicomatic的CMM连接器 高频的最大强度是多少？同轴触点的最大频率是多少？
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请问有没有带宽Ghz以上的激光二极管推荐，波长800nm左右
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目前有一个24GHz安防雷达的项目，需要一款用在接收通道的LNA，要求是工作频段在24GHz，噪声低于3dB，增益大于20dB，有具体的型号推荐吗？
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3.1.1 蓝牙协议分析仪
必须支持最新的蓝牙核心规范 6.0，包括对新增信道探测功能的完整解码和触发
具备捕获并导出原始 I/Q 数据的能力，以便后续处理和分析
至少配备 2 个外部天线端口，用于到达角（AoA）/ 离开角（AoD）分析。
具备高精度时间戳功能，分辨率不低于 1 纳秒。
可实时解码并显示蓝牙链路层数据包。
支持远距离（编码物理层）和 2M 物理层。
软件需包含：图形化数据包分析功能、高级触发功能，以及用于自定义分析脚本的 SDK/API
3.1.2 高精度跟踪与测距仪
精度：在实际测试环境下，测距精度需＜2 厘米。
量程：工作范围至少覆盖 50 米 ×50 米。
系统需包含：实时定位可视化软件、数据记录功能（支持 CSV、MATLAB 格式），以及用于与我方测试自动化软件集成的 API。
3.1.3 矢量网络分析仪
频率范围：必须覆盖 0-12.5 GHz
端口数量：至少 2 个端口
关键测量功能：
支持 S 参数测量（S11、S21 等）
阻抗分析：可直接测量并显示复阻抗（R+jX），包括实时显示、史密斯圆图显示
相位：具备高分辨率相位测量能力；做车载前端测试用
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你好，我们做扫描仪项目，在测试EMC过程中，在1.4GHz～2.7 GHz波段干扰比较严重，是否有合适的屏蔽材料推荐一下？
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
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应用/方案
GaN’s Technological Superiority: How EPC is Winning Against MOSFETs in Power Conversion
AI is having a huge impact on how servers and data centers are set up. Due to increasing computational complexity and thermal restrictions, power designers are being pushed to move beyond obsolete silicon-based parts. AI power conversion is commonly called a “apex predator“ application since it rewards even the smallest improvements in performance. GaN‘s better efficiency and smaller size are changing how designs are built at all voltage levels in this very competitive market.
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【技术】共源共栅放大器的概念、工作原理、应用及其优缺点介绍
共源共栅放大器用于增强模拟电路的性能。共源共栅放大器包括两个阶段，例如CE（共发射极）级和CB（公共基极）级，其中CE馈入CB。当我们将其与放大器的单级进行比较时，其组合可以具有不同的特性，例如高输入/输出隔离度，高i/p阻抗，高o/p阻抗和高带宽。合科泰半导体将在本文对共源共栅放大器的概念、工作原理、应用及其优缺点进行介绍。
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【产品】三款集电极电流仅0.02mA的NPN型硅晶体管，专用于射频放大器
2SC5345EF、2SC5345S、2SC5345UF硅晶体管是AUK（KODENSHI收购）公司推出的一系列性能优异的NPN型硅晶体管，电流变换频率高，特征频率fT为550MHz，共基极输出电容小Cob=1.4pF，响应速度快，可用于射频放大器。
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【产品】特征频率高达900MHz，小信号晶体管射频振荡器
Central小信号晶体管系列射频振荡器适用于高频信号，共基极输出电容最大仅为1.7pF，噪声系数最大仅为6dB，具有良好的信噪比。
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Roadblocks to GaN Adoption in Power Systems
In this article, the most common reasons for some customers to be slower in their embracing what is clearly a displacement technology for their older silicon-based power MOSFETs will be discussed.
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