QUICKSWITCH® GENERAL INFORMATION
发布时间：
2018-07-31
类型：
技术文档，技术说明、产品技术资料
品牌：
IDT（艾迪悌）
型号：
-
该数据手册详细介绍了QuickSwitch系列FET开关的通用技术信息。作为自1990年推出的经典产品，该系列器件凭借CMOS技术，具备亚纳秒级传播延迟、零额外噪声与时序偏移、无额外静态功耗等显著特性，同时拥有低导通电阻、低电容、高电流容量及极高关断电阻优势。资料深入阐述了其基本配置、导通电阻、输出电压特性及操作原理，并提供了包括绝对最大额定值、直流电气特性及开关特性在内的完整电气规格。该系列开关广泛应用于高速总线连接、热插拔、电压转换、电容隔离、逻辑替换及时钟门控等场景，是高速信号处理的理想选择。基于该方案，用户可通过世强硬创平台获取原厂授权的正品器件，相关产品支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，库存充足，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求。针对文中所述器件，平台提供专职FAE团队支持选型、设计验证及调试，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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资料平台
| 数据手册 - 英文 |
IDTF1358
Rev O
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ZLED7x20 High Current 40V LED Driver with Internal Switch
April 20, 2016
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IDT71V2546S/XS 128K x 36 3.3V Synchronous ZBT™ SRAM 2.5V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs
04/11/11
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XFP236156.250000I 156.250000MHz晶体振荡器数据表附录
December 6, 2018
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HXR5112A 12通道14Gb/s接收机简表
February 22, 2018
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IDT72401 IDT72403 CMOS PARALLEL FIFO 64 x 4
JUNE 2012
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9DMU0431 2:4 1.5V PCIe Gen1-2-3时钟多路复用器产品介绍
REVISION A
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IDT72V8981 3.3 VOLT TIME SLOT INTERCHANGE DIGITAL SWITCH 128 x 128
AUGUST 2003
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ProXO XF Family Evaluation Board User Manual
March 12, 2019
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9DBV0431 4-输出1.8V PCIe Gen1-2-3零延迟/扇出缓冲器（ZDB/FOB）数据表
REVISION E
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9ZX21200用于PCIE GE N3和QPI的12输出差分Z缓冲区产品介绍
REV D
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IDT72V295 IDT72V2105 3.3 VOLT HIGH DENSITY CMOS SUPERSYNC FIFO™ 131,072x18 262,144x18
MARCH 2018
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9DBU0531 5输出1.5V PCIe Gen1-2-3扇出缓冲区数据表
Rev.F
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ICS843021I Femtock®Crystal-to-3.3V LVPECLOCK发生器数据表
REVISION A
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IDT72V201, IDT72V211 256 x 9, 512 x 9, IDT72V221, IDT72V231 1,024 x 9, 2,048 x 9, IDT72V241, IDT72V251 4,096 x 9 and 8,192 x 9 3.3 VOLT CMOS SyncFIFO™
MARCH 2018
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843003I-01 FemtoClock®Crystal-to-3.3V LVPECL频率合成器数据表
REVISION A
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MK74CB218 DUAL 1 TO 8 BUFFALO™ CLOCK DRIVER
REV K
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
BR784H1，PSC-4349-01 784，FCBGA封装外形图
Rev 00
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ICS854S54I双2:1和1:2差分到LVDS多路复用器数据表
REVISION A
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IDTQS3390 QUICKSWITCH® PRODUCTS HIGH-SPEED CMOS QUICKSWITCH 16:8 MULTIPLEXER
OCTOBER 2014
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| 数据手册 - 英文 |
ICS613 LOW PHASE NOISE CLOCK MULTIPLIER
REV F
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5P49V5944可编程时钟发生器数据表
JULY 10,2019
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7052S/L HIGH-SPEED 2K x 8 FourPort™ STATIC RAM
JULY 2019
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IDT74FCT38074 3.3V CMOS 1-TO-4 CLOCK DRIVER
MAY 2010
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XPL536800.000000I 800.000000 MHz晶体振荡器数据表附录
2020/01/02
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9DBV0241 2-输出1.8V PCIe Gen1/2/3零延迟/扇出缓冲器，Zo=100欧姆数据表
REVISION F
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ICS9P935 DDR I/DDR II锁相环零延迟缓冲器数据表
REV H
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IDT74ALVC162244 3.3V CMOS 16-BITBUFFER/DRIVER WITH3-STATE OUTPUTS
JUNE 2009
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
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应用/方案
QUICKSWITCH®一般信息应用说明
QuickSwitch系列FET开关自1990年推出以来，以其亚纳秒级传播延迟、零附加噪声和时序偏移、无额外静态功耗等特点，成为高速总线连接和逻辑替换的理想选择。这些开关采用CMOS技术，具有低导通电阻、低电容、高电流容量和极高的关断电阻，适用于热插拔、电压转换、电容隔离、逻辑替换、时钟门控等多种应用。资料详细介绍了QuickSwitch的基本配置、导通电阻、输出电压特性、操作原理、电气特性、开关特性以及电源特性等内容。
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QUICKSWITCH®一般信息
QuickSwitch系列FET开关自1990年推出以来，以其亚纳秒级传播延迟、零附加噪声和时序偏移、无额外静态功耗等特点，成为高速总线连接和逻辑替换的理想选择。这些开关适用于热插拔、电压转换、电容隔离、逻辑替换、时钟门控等多种应用。QuickSwitch开关具有低导通电阻、低电容、高电流容量和非常高的关断电阻，使其成为总线连接的理想元件。资料详细介绍了QuickSwitch的基本配置、导通电阻、输出电压特性、操作方式以及电气特性等，为设计师提供了全面的技术信息。
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瑶芯微技术分享 | MOSFET开关过程详解
由于MOSFET是电压型器件，当驱动电压Vgs大于Vth电压就可以开通，开通就是给寄生电容充电的过程，同理，关断就是寄生电容的放电过程。本文瑶芯微介绍MOSFET开关过程。
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Tsi350™ PCI到PCI桥用户手册
本资料为Tsi350™ PCI-to-PCI Bridge用户手册，主要内容包括Tsi350的功能概述、PCI接口、地址解码、事务排序、错误处理、独占访问、PCI总线仲裁、通用I/O、时钟、PCI电源管理、复位、JTAG模块、信号和引脚分配、电气特性、寄存器以及封装信息。手册详细介绍了Tsi350的架构、数据路径、事务类型、地址解码、事务排序、错误处理机制、独占访问控制、PCI总线仲裁过程、通用I/O功能、时钟管理、电源管理、复位机制、JTAG调试接口、信号定义、电气参数、寄存器配置和封装规格。
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82P33731/33831评估板用户指南
本资料介绍了82P33731/33831评估板的用户指南，包括板的概述、组件、电源设置、输入输出连接器、软件配置和使用方法。资料详细描述了如何通过Timing Commander软件配置和编程板以生成标准频率，以及如何连接板到PC和电源。此外，还提供了板上晶振的安装、默认频率输出、与TimingCommand软件的配置步骤以及如何查看状态信息。
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电阻低至30mΩ的反向阻断式MOSFET开关KTS1677A，有效保护USB输入不受异常电源电压和浪涌电流的影响
Kinetic Technologies宣布发布新产品KTS1677A，为其日益壮大的电源保护解决方案再添新成员。这一创新保护装置支持软启动控制，具有30mΩ电阻的反向阻断式低电阻MOSFET开关，用以隔离异常电压和电流。
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【产品】R5445系列单节锂电池保护芯片内置驱动器，用于高位Nch FET开关且内置温度保护
R5445系列单节锂电池保护芯片，内置驱动器用于高位Nch FET开关且内置温度保护。R5445系列芯片是单节锂电池保护芯片，对过电压充电，欠电压放电，充电过电流，放电过电流，以及温度异常均有保护作用。此芯片能驱动外置高位Nch MOSFET开关，此芯片对电压，电流的检测精度非常高，并且能够防止0V电池再充电。
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【产品】Diotec双N沟道增强型FET MMFTN6190KDW，适用于电源管理和电机控制等领域
Diotec新推出的双N沟道增强型FET MMFTN6190KDW，采用SOT-363外壳封装，器件栅极具有ESD保护能力，低阈值电压，开关速度快等产品特性，器件符合RoHS、REACH标准。
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9ZXL1951D PCIe时钟发生器评估板用户指南
本资料为9ZXL1951D PCIe时钟发生器评估板用户指南，详细介绍了评估板的设置和连接方式，以及配套GUI软件的安装和使用。评估板通过SMBus接口可编程，具有USB到SMBus接口。指南中包含了评估板的概述、引脚功能、电源供应、连接方式、GUI软件安装和操作步骤等内容。
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8A3xxxx 48QFN EVK用户手册
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IDT®89HPES64H16G2 PCI Express®交换机用户手册
本手册详细介绍了IDT公司生产的89HPES64H16G2 PCI Express Switch的硬件和软件信息。该产品属于IDT的PRECISE系列，提供下一代I/O互连标准。手册内容涵盖设备概述、架构概述、交换核心、时钟、复位和初始化、交换分区、链路操作、SerDes、操作理论、热插拔和热插拔功能、电源管理、通用I/O、SMBus接口、多播、寄存器组织、PCI到PCI桥和专有端口特定寄存器、交换控制和管理状态寄存器、JTAG边界扫描等。
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【产品】国产通用配电优化的高侧MOSFET开关XL2026，具有内部电流限制和热关断功能
XL2026是信路达推出的针对需要电路保护的通用配电优化的高侧MOSFET开关。该芯片具有内部电流限制和热关断功能，可保护器件和负载，还可降低在故障模式下的电流消耗。当发生热关断故障时，输出将被锁定，直到故障负载被移除。移除负载或切换使能输入将重置该器件的输出。
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【产品】内置8通道FET开关的矩阵LED控制器BD18362EFV-M，输入电压5.5V~60V
ROHM的D18362EFV-M，是一款内置8通道FET开关的矩阵LED控制器。通过打开和关闭FET开关可以控制照明时序。该矩阵LED控制器内部的电荷泵，可以用作栅极驱动器的电源。由于其内置了顺序照明逻辑，即亮灯图案，因此实际应用中无需微控制器即可实现相应功能。
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U9397A/C FET固态开关（SPDT）技术概述
Keysight U9397A/C系列FET固态开关（SPDT）提供低视频泄漏、高隔离、快速切换速度和低插入损耗的性能，适用于300 kHz至18 GHz的频率范围。这些开关特别适合测量敏感设备，如混频器和放大器，具有以下特点：低视频泄漏（<10 mVpp）、高隔离（100 dB @ 8 GHz）、快速切换时间（约500 µs）和集成TTL/CMOS驱动器。
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ZSSC3018 QFN24包装规格技术简介
本资料详细介绍了ZSSC3018传感器信号调节器IC的QFN24封装规格。内容包括封装尺寸、引脚分配和布局、焊盘和着陆图案、热阻值、封装标记和板级连接。资料还提供了相关文档、术语表和文档修订历史。
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汽车应用的布局和电磁干扰建议应用说明
本文档为IDT公司发布的《汽车应用中的布局和EMI推荐》应用笔记，主要针对IDT时钟发生器的布局推荐，旨在降低电磁干扰（EMI）。文档详细讨论了汽车应用中EMI的来源、传播途径以及降低EMI的方法，包括时钟和数据路径的布局设计、电源供应的滤波和去耦等。此外，还介绍了IDT时钟器件的降低EMI特性，如频谱调制、可编程边沿速率等。
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ZBT公司sram：系统设计问题和总线计时应用说明
本文探讨了Zero Bus Turnaround (ZBT) SRAM的系统设计问题和总线时序。ZBT架构允许设计师在数据总线周期中实现100%的利用率，但同时也带来了总线争用的问题。文章详细解释了总线争用的概念、相关影响以及如何通过时钟偏斜、电感和电容等因素来减少总线争用的影响。此外，还讨论了数据手册规格、系统效应以及总线争用对系统可靠性的影响。
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微带线与带状线：串扰和均方根相位抖动应用说明
本文探讨了在PCB设计中使用不同传输线结构（微带和 stripline）以最小化串扰的影响。随着数据速率和相位噪声要求的提高，PCB上的电磁干扰（EMI）变得更加显著。文章比较了微带和 stripline 的结构、制造难度、成本和隔离性能，并通过实验评估了两种结构在特定条件下的串扰和均方根相位抖动。实验结果表明，stripline 在减少串扰和提高均方根相位抖动方面优于微带。
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无线电源LDO技术说明
本资料主要探讨了无线充电接收器IC输出端的低 dropout (LDO) 级联电池充电器时，LDO级联的行为表现。资料详细分析了CD操作频率和输出电容对电压调节器电压降的影响，并通过仿真结果进行了说明。此外，还讨论了LDO拓扑结构、环路图、噪声效应对调节的影响，以及设计建议和常见问题解答。
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【产品】150/25A的N沟道增强型FET YJP25N15B，封装为TO-220
扬杰科技的N沟道增强型FET YJP25N15B，采用TO-220的封装设计，漏源电压为150V，漏极电流为25A(Tc=25℃)。产品特点包括：分栅沟道MOSFET技术；高速电源开关，逻辑电平；增强的体二极管dv / dt功能；增强了雪崩强度；已通过100％UIS测试，100％Rg测试。
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【产品】L波段高功率单刀双掷GaAs FET开关μPG2009TB，工作范围500 MHz至2.5 GHz
Renesas的μPG2009TB是一款L波段单刀双掷（SPDT）GaAs FET开关，专为数字蜂窝或无线电话应用而开发。 该器件可在500 MHz至2.5 GHz范围内工作，具有低插入损耗、2.8 V控制电压的高隔离度和6针超小型封装（2.0×1.25×0.9 mm）的特点。
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【产品】用于检测3.5mm配件的音频耳机模拟开关SGM3798YTD，接地FET开关导通电阻典型值为110mΩ
SGMICRO（圣邦微电子）的SGM3798YTD是一款音频耳机模拟开关，通过外部控制器切换SLEEVE和RING2。接地信号通过一对低阻抗接地场效应管（FET）进行布线，对音频串扰性能的影响最小。该器件的接地FET设计允许FM信号通过，使得在移动音频应用中能够将耳机的地线用作FM天线。
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