PRODUCT/PROCESS CHANGE NOTICE (PCN)
发布时间：
2018-07-31
类型：
产品变更通知及停产信息，PCN通知、停产通告
品牌：
IDT（艾迪悌）
型号：
F1701NBGI; F1751NBGI8; F1950NBGI; F1951NBGI8; F1701NBGI8; F1763NBGI; F1950NBGI8; F1953NCGI; F1751NBGI; F1763NBGI8; F1951NBGI; F1953NCGI8
本产品/工艺变更通知（PCN）详细阐述了Integrated Device Technology, Inc.（IDT）关于封装和测试设施调整的具体事宜。该通知编号为A1402-04，发布于2014年5月22日，核心内容涉及IDT将ASE Chungli, Taiwan（ASECL）确立为替代封装和测试设施。此次变更自2014年8月22日起正式生效，主要影响VFQFPN-20和VFQFPN-24两款产品。资料中不仅包含了变更的详细描述与目的，还提供了可靠性及资格总结、客户确认要求以及受影响产品编号清单等关键信息，旨在确保供应链调整的透明度与产品品质的连续性。针对文中所述IDT相关产品，IDT在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该变更通知，用户可通过世强硬创平台获取原厂授权的正品器件，相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。平台专职FAE团队将提供从选型、设计验证到调试的全方位技术支持，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市进程。
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资料平台
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射频-中频单下变频混频器
RevO
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射频-中频单下变频混频器
Rev1
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射频-中频单下变频混频器
RevO
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射频混频器
REVA1
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IDTF1751NBGI8数据表
Rev1
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数字步进衰减器
REVB1
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数字步进衰减器（DSA）
REVB
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RFto IF单下变频混频器IDTF1751NBGI数据表
Rev 1
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RF 混频器
REVA
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IDTF1701产品介绍
Rev O
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F1950 3.5 GHz互调
May 2, 2014
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F1950 3.5 GHz互调
May 2, 2014
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F1951转换AT0139
September 26, 2014
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射频到中频单下变频混频器IDTF1701NBGI数据表
Rev O
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射频到中频单下变频混频器IDTF1763NBGI数据表
Rev O
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100 MHz至4000 MHz 6位0.5 dB数字步进衰减器数据表
Rev 4
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IDTF1950 7-bit 0.25 dB Digital Step Attenuator
Rev2
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F1763低频AT0104增益平坦度
June 5, 2014
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6位数字步进衰减器
Rev 2
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6位数字步进衰减器
Rev 2
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6位数字步进衰减器F1953数据表
Rev2
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数字步进衰减器 数据手册
2018/02/17
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6位0.5 dB数字步进衰减器IDTF1951数据表100 MHz至4000 MHz
Rev 3
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Digital Step Attenuators F1951
2018/02/16
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RF Mixers 数据手册 F1150
2018/02/16
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RF 混频器 数据手册 F1150
2018/02/16
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7位0.25dB数字步进衰减器IDTF1950数据表
Rev 2
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F1956 7位0.25dB宽带数字步进衰减器数据表
Rev 2
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7位0.25dB宽带数字步进衰减器
Rev 2
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6位0.5 dB数字步进衰减器100 MHz至4000 MHz F1951产品介绍
Rev 4
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F1951位0.5 dB数字步进衰减器100 MHz至4000 MHz数据表
Rev 4
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F1953 6位数字步进衰减器400至4000兆赫数据表
September 5, 2018
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F1912产品介绍
Rev 2
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IDTF1701NBGI射频到中频单下变频混频器数据表
Rev O
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IDTF1763 IDT Zero-Distortion™ Mixer
Rev O
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F1958 7-Bit 0.25dB Digital Step Attenuator1MHz to 6GHz
November 13, 2019
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F1958 7-Bit 0.25dB Digital Step Attenuator 1MHz to 6GHz
August 22, 2018
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7位0.25dB宽带数字步进衰减器F1956数据表
Rev 2
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F1958 7位0.25dB数字步进衰减器1MHz至6GHz数据表
November 13, 2019
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F1958 7位0.25dB数字步进衰减器1MHz至6GHz数据表
November 13, 2019
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世强AI
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应用/方案
数字步进衰减器（DSA）
IDT的数字步进衰减器（DSA）采用Glitch-Free专利技术，显著降低MSB转换过程中的瞬态毛刺，提高系统可靠性。产品具有低插入损耗、超低失真和强大功率处理能力，适用于多种无线通信和射频应用。DSA系列提供不同封装和频率范围，满足不同设计需求。
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RF 混频器
IDT的RF混频器系列产品采用Zero-Distortion专利技术，显著提高接收器承受的最大信号电平，降低功耗同时保持高线性度。产品具有低噪声、高线性度、低功耗等特点，适用于多种频段和封装，并提供多种运行模式和外部电阻器选项。此外，IDT混频器采用硅半导体技术，具有高可靠性、优异的RF性能和低电流消耗等优势。
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IDT RF业务和产品概述
该资料概述了IDT公司在射频领域的业务和产品，包括RF开关、放大器、DSAs、混频器、IF VGAs、集成接收器调制器、RF VGAs、VVAs和集成DPD解调器等。产品特点包括高可靠性、低功耗、GaAs替代品等。资料还介绍了IDT的独特技术创新，如FlatNoise、Glitch-Free、KLIN和Zero-Distortion，以及这些技术在提高RF性能方面的优势。此外，资料还展示了IDT的数字步进衰减器、电压可变衰减器和高可靠性开关等产品的详细规格和应用。
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IDT RF业务和产品概述
IDT公司射频业务概述，包括技术创新、射频架构和产品概述。重点介绍了RF业务增长、技术路线图、市场多元化与规模扩大。技术方面，IDT专注于创新IP和产品，如Glitch-Free™、FlatNoise™、Zero-Distortion™等。产品涵盖DSA、VVA、开关、RFVGA、IFVGA等，针对不同应用场景提供高性能射频解决方案。
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F0448 GUI自动化应用说明
本文档提供了使用IDT的RF数字控制软件控制F0448双射频数字变增益放大器的指南。文档描述了如何下载软件、在评估板上进行适当的连接以及如何控制F0448。F0448使用串行通信模式控制23dB数字步进衰减器，并使用并行通信模式控制每个路径中的三个数字衰减器，总共六个数字衰减器。文档还提供了软件安装指南、F0448的串行和并行控制方法，以及如何通过GUI软件进行控制。
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射频产品评估解决方案数字控制软件指南应用说明
本指南详细介绍了IDT公司提供的RF产品评估解决方案（EVS）的数字控制软件。内容包括软件概述、安装步骤、硬件配置、电缆连接、软件应用、测试环境和支持设备。指南针对不同型号的EVB板提供了详细的连接方法和控制模式说明，旨在帮助客户正确设置和操作EVS硬件和软件，以评估IDT的RF产品。
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射频混频器系列产品概述
IDT的RF混频器家族采用专利Zero-Distortion技术，显著提高接收器在所需信噪比下的最大信号水平（IM3音调）。这些设备可扩展，可选择在降低功耗的同时保持高线性度。混频器可减少三阶互调（IM3）失真，提高覆盖范围，简化射频前端和软件设计。IDT混频器具有优异的带外杂散性能，内部集成RF和LO平衡变压器，IF端口配置为差分200欧姆，以驱动预ADC滤波器，提供高抑制带内2x2和3x3杂散。混频器具有强大的掉电模式，适用于现代TDD系统。所有IDT混频器均包括外部电阻选项，以进一步降低功耗。产品概述中列出了不同型号的混频器及其配置、OIP3、频率和封装信息。
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数字步进衰减器
IDT的数字步进衰减器（DSAs）采用专利的Glitch-Free技术，通过减少MSB转换期间的瞬态“Glitch”，将传输和/或接收路径中的衰减设置过冲（Glitch）降低高达95%。这导致MSB转换期间的过冲振荡小于0.6dB，与竞争产品相比，竞争产品在MSB转换期间可能高达10dB的Glitch。IDT DSAs具有极高的精度，能够精确调整DSA衰减值到所需水平。这些设备具有双向特性，具有非常高的功率处理能力，在105°C时连续功率额定值为28dBm，压缩点大于34dBm。此外，IDT DSAs在2GHz时的典型插入损耗低至1.2dB，有助于提高整体系统性能和数据吞吐量。
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【产品】用于Rx应用的超线性单通道混频器F1763，多载波系统理想选择
瑞萨电子（Renesas）收购的IDT公司推出的IDTF1763芯片是一款RF至IF单通道下变频混频器系列器件，采用Zero-Distortion™技术，可显着改善BTS在所需信噪比（SNR）下可承受的最大信号电平（IM3音调），几乎消除了三阶互调响应，具有高增益（12 dB）和低噪声系数以及出色的输出IP3（＞ +40 dBm）性能，是多载波系统的理想选择。
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【产品】Glitch-Free™技术7位射频衰减器F1950、F1956、F1958、F1977，步长为0.25dB
F1950、F1956、F1958和F1977是瑞萨旗下IDT公司推出的四款7位射频衰减器，四款射频衰减器均为可变增益放大器，四者均具有较高的可靠性、极低的插入损耗和失真性。四者均使用Glitch-Free™技术，使用单片硅片结构，器件的衰减水平可以确保系统增益尽可能接近目标水平来改善系统SNR和/或ACLR。
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