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7 Bit, 75 Ω, Digital Step Attenuator F1977 Data sheet
发布时间: 2018-07-31
类型: 数据手册,规格书、Datasheet;PDF下载
品牌:
IDT(艾迪悌)
型号:
F1977; F1977NBGI8; IDT; F1977NBGI
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加工定制
可定制射频隔离器/环行器(10M-40GHz),双工器/三工器(30MHz/850MHz-20GHz),滤波器(DC-20GHz),功分器,同轴负载,同轴衰减器等射频器件;可定制频率覆盖DC~110GHz,功率最高20KW。
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可定制2512KL、2512KT、2512KB、2512KH、2482L系列;粘度:3000~20万;硬度:30~40A;表干时间:5~15min;固化速度:2.4mm/24H;粘接强度:1.2~1.7Mpa;
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资料平台
数据手册 - 英文
F1977 7位,75Ω,数字步进衰减器数据表
Rev 1
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产品变更通知及停产信息 - 英文
产品/工艺变更通知单(PCN)I0309-01
REV. 00
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产品勘误说明 - 英文
勘误表通知IDT77V011
Revision 10/22/01
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数据手册 - 英文
7位0.25dB宽带数字步进衰减器F1956数据表
Rev 2
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产品变更通知及停产信息 - 英文
I0307-05产品/工艺变更通知单(PCN)
8/15/2003
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产品勘误说明 - 英文
勘误表通知IDT77010
Revision 6/24/2002
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数据手册 - 英文
Digital Step Attenuators F1951
2018/02/16
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产品变更通知及停产信息 - 英文
产品/工艺变更通知(PCN)I0303-03
REV. 00
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产品勘误说明 - 英文
勘误表通知IEN03-02
Rev. 01
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技术文档 - 英文
数字步进衰减器
REVB1
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数据手册 - 英文
TripleChannel Synchronous Step-Down Switcher with Integrated FET IDTP9120
March 12, 2014
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产品变更通知及停产信息 - 英文
产品/工艺变更通知单
5/24/2004
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产品勘误说明 - 英文
勘误表通知IEN03-04
Revision 5/21/2003
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技术文档 - 中文
数字步进衰减器(DSA)
REVB
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数据手册 - 英文
IDT P9122: Two Channel Synchronous Step-Down Switcher with Integrated FET
2018/02/16
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产品变更通知及停产信息 - 英文
产品/工艺变更通知单L0404-02
8/24/2004
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产品勘误说明 - 英文
勘误表通知IDT79RC32T355
Revision 11/19/2002
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产品勘误说明 - 英文
勘误表通知IDT79RC32T355
Revision 4/30/2002
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产品勘误说明 - 英文
勘误表通知IDT79RC32T355
Revision 1/22/02
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产品勘误说明 - 英文
勘误表通知IDT79RC32T355
Revision 2/28/02
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产品勘误说明 - 英文
勘误表通知IDT79RC32T355
Revision 1/30/02
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数据手册 - 英文
4通道5Gbps PCIe®信号中继器
REV70511
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产品变更通知及停产信息 - 英文
产品/工艺变更通知单(PCN)I0209-01
REV. 00
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产品勘误说明 - 英文
勘误表通知IDT79RC32T351
Revision 4/30/2002
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产品勘误说明 - 英文
勘误表通知IDT79RC32T351
Revision 11/19/2002
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数据手册 - 英文
WP15WBD-RK双向数据传输评估套件P9221-R3和P9242-R3数据表用户手册
November 21, 2018
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产品变更通知及停产信息 - 英文
产品/工艺变更通知单(PCN)L0407-02
REV. 00
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产品勘误说明 - 英文
勘误表通知IDT79RC32V332
Revision 3/20/02
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数据手册 - 英文
8V54816A 16端口,双向M-LVDS时钟交叉点交换机数据表
December 18, 2015
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产品变更通知及停产信息 - 英文
产品/工艺变更通知单(PCN)N0906-04
REV. 00
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数据手册 - 英文
9DB833 PCIE GEN1–3八输出差分缓冲器产品介绍
MAY 25, 2018
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产品变更通知及停产信息 - 英文
产品/工艺变更通知(PCN)G9908-06
ev. 04)
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技术文档 - 英文
第三代通用频率转换器
0214
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数据手册 - 英文
9DB1233 12 PCIe Gen3输出差分缓冲器产品介绍
Rev 00
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产品变更通知及停产信息 - 英文
产品/工艺变更通知单(PCN)I-0210-02
REV. 00
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数据手册 - 英文
CMOS Static RAM 1 Meg (128K x 8-Bit) Revolutionary Pinout IDT71124
APRIL 2013
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世强AI
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应用/方案
IDT®热设备分析和设计注意事项应用说明80B8030\U AN002\U 03 2009年8月5日
本资料由IDT提供,主要针对半导体产品进行热分析和设计考虑。内容包括热运动、散热器标准、热管理、FCBGA热模型以及散热器的物理要求。资料详细讨论了热传导路径、热流、热管理策略、热模型方程以及散热器安装和接口材料的选择。
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使用IDT的集成VCXO产品IDT应用说明MAN05
本文介绍了IDT公司开发的集成电压控制晶体振荡器(VCXO)技术,该技术将VCXO功能集成到时钟合成器产品中。VCXO振荡器电路与外部晶振配合,允许输出时钟频率在100ppm范围内变化。文章详细讨论了晶振的选择、规格、封装和布局考虑因素,以及如何确定固定中心电容器的值。此外,还提供了关于温度稳定性、老化、等效串联电阻和绝对拉力范围等性能参数的详细信息。
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数字步进衰减器(DSA)
IDT的数字步进衰减器(DSA)采用Glitch-Free专利技术,显著降低MSB转换过程中的瞬态毛刺,提高系统可靠性。产品具有低插入损耗、超低失真和强大功率处理能力,适用于多种无线通信和射频应用。DSA系列提供不同封装和频率范围,满足不同设计需求。
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零总线掉头(ZBT)SRAMS与延迟写SRAMS的应用比较
本文对比了零总线周转(ZBT)SRAM和晚写SRAM的性能差异。ZBT SRAM通过消除总线上的空闲周期,实现了100%的数据总线利用率,而晚写SRAM在读写交替时存在空闲周期,导致总线利用率降低。文章详细比较了两种SRAM的读写时序、时钟边沿使用和数据总线利用率等方面的差异。
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IDT 82V3391同步以太网WAN PLL
该资料介绍了IDT 82V3391同步以太网WAN锁相环(PLL)的特性和应用。该芯片是一款集成定时源,适用于Stratum 3、Stratum 4E、Stratum 4、SMC、EEC-Option 1和EEC-Option 2时钟。它支持宽带接入、SONET、SDH、同步以太网、光传输和无线系统的同步。IDT 82V3391具有低抖动输出、1PPS输入和输出选项、自动无中断切换等功能,适用于2G、3G和4G无线回程、运营商以太网传输、服务提供商核心和接入交换机等应用。
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IDT时钟缓冲器提供超低的附加相位抖动从计算和多媒体部门的集成设备技术,公司的应用说明
本应用笔记介绍了IDT时钟缓冲器在数字消费和通信应用中的使用,重点在于其超低附加相噪特性。文中详细解释了测量附加相噪的理论,并总结了多个IDT时钟缓冲器的附加相噪结果。此外,还讨论了输入到输出传播延迟和输出到输出偏移等AC参数,并提供了针对零延迟缓冲器的应用笔记链接。测量结果显示,IDT时钟缓冲器在25MHz、100MHz和125MHz频率下的附加相噪极低,适用于各种系统设计。
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有线宽带应用的IDT产品
IDT为有线宽带应用提供一系列产品,包括网络前端、光纤网络、光节点放大器、线路扩展器和电缆(MDU)盒。产品涵盖RF产品、时钟发生器、RF定时、同步定时和振荡器等,旨在满足从媒体流设备到光纤网络的多种应用需求。IDT的技术应用于CATV/宽带有线生态系统,提供低抖动、低功耗、高隔离和高线性度等性能,满足现代CATV/宽带应用的需求。
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IDT RF业务和产品概述
该资料概述了IDT公司在射频领域的业务和产品,包括RF开关、放大器、DSAs、混频器、IF VGAs、集成接收器调制器、RF VGAs、VVAs和集成DPD解调器等。产品特点包括高可靠性、低功耗、GaAs替代品等。资料还介绍了IDT的独特技术创新,如FlatNoise、Glitch-Free、KLIN和Zero-Distortion,以及这些技术在提高RF性能方面的优势。此外,资料还展示了IDT的数字步进衰减器、电压可变衰减器和高可靠性开关等产品的详细规格和应用。
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IDT RF业务和产品概述
IDT公司射频业务概述,包括技术创新、射频架构和产品概述。重点介绍了RF业务增长、技术路线图、市场多元化与规模扩大。技术方面,IDT专注于创新IP和产品,如Glitch-Free™、FlatNoise™、Zero-Distortion™等。产品涵盖DSA、VVA、开关、RFVGA、IFVGA等,针对不同应用场景提供高性能射频解决方案。
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数字步进衰减器
IDT的数字步进衰减器(DSAs)采用专利的Glitch-Free技术,通过减少MSB转换期间的瞬态“Glitch”,将传输和/或接收路径中的衰减设置过冲(Glitch)降低高达95%。这导致MSB转换期间的过冲振荡小于0.6dB,与竞争产品相比,竞争产品在MSB转换期间可能高达10dB的Glitch。IDT DSAs具有极高的精度,能够精确调整DSA衰减值到所需水平。这些设备具有双向特性,具有非常高的功率处理能力,在105°C时连续功率额定值为28dBm,压缩点大于34dBm。此外,IDT DSAs在2GHz时的典型插入损耗低至1.2dB,有助于提高整体系统性能和数据吞吐量。
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EVAL\u SDK\u 4\u 1快速入门指南
本指南提供了IDT Evaluation Software Development Kit (EVAL_SDK_4_1)的基本使用指南。该开源软件可从my.IDT.com免费下载,提供C语言API和示例测试代码,适用于IDT所有基于sRIO的设备,包括70K2000预处理器交换机(PPS)、80KSW0001 PPS Gen 2、80KSW0002中央数据包交换机(CPS-16)、80KSW0003 (CPS-8)、80KSW0004 (CPS-12)和10G串行缓冲器(80KSBR201)。指南概述了软件分层、API接口,以及如何设置和运行示例测试的快速说明。软件环境为德州仪器的Code Composer Studio (CCS) 3.3、飞思卡尔的CodeWarrior版本5.7.0或更高版本。目标板可以是IDT的AMC70K2000、德州仪器的TMS320C6455 DSK或Mezzanine板、飞思卡尔的MSC8144 ADS板,或带有适当德州仪器/飞思卡尔DSP设备的定制板。CPS/PPS设备可能位于AMC70K2000、IDT的PPS/CPS评估载体(即“南瓜板”如EVC80KSW0002)或定制板上。EVAL_SDK还支持IDT的串行缓冲器子模块。本指南中提到的大多数硬件均可从IDT的合作伙伴Silicon Turnkey Express (STx)购买。有关IDT设备的其他文档,请访问my.IDT.com上的相关设备门户页面。如需其他支持,请直接联系技术支持。联系信息见文档末尾。
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如何在IDT PCI Express®交换机评估板上启用热插拔实现
本文档详细介绍了如何在IDT PCIe交换机的评估板上实现热插拔功能。内容包括热插拔环境的软件和硬件元素,如用户界面、热插拔服务、系统驱动程序和设备驱动程序,以及热插拔控制器、卡槽电源切换逻辑、卡复位逻辑等硬件组件。文档还提供了如何初始化I/O扩展器、配置EEPROM以及进行热插拔操作的具体步骤。此外,还讨论了热移除和热添加的流程,以及如何为下游桥接器分配资源。
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【产品】Glitch-Free™技术7位射频衰减器F1950、F1956、F1958、F1977,步长为0.25dB
F1950、F1956、F1958和F1977是瑞萨旗下IDT公司推出的四款7位射频衰减器,四款射频衰减器均为可变增益放大器,四者均具有较高的可靠性、极低的插入损耗和失真性。四者均使用Glitch-Free™技术,使用单片硅片结构,器件的衰减水平可以确保系统增益尽可能接近目标水平来改善系统SNR和/或ACLR。
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PCI Express®系统互连软件体系结构应用说明AN-531
本文档为IDT应用笔记AN-531,主要介绍了PCI Express系统互联的软件架构。内容包括PCI Express系统互联的硬件架构、软件架构分层、RP和EP的软件架构、地址翻译、数据传输等。文档详细描述了PCI Express系统互联的原理和实现方法,适用于对PCI Express系统互联感兴趣的读者。
阅读原文 >>
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