USING IDT7024 AND IDT7025 DUAL-PORT STATIC RAMs TO MATCH SYSTEM BUS WIDTHS APPLICATION NOTE AN–59
发布时间:
2018-07-31
类型:
应用笔记或设计指南,设计参考、应用指南
品牌:
IDT(艾迪悌)
型号:
IDT7024; IDT7025; IDT74FCT138; IDT74FCT139
该应用笔记详细阐述了利用IDT7024和IDT7025双端口静态RAM实现系统总线宽度匹配的三种设计方法。资料重点分析了32位总线与16位总线、32位总线与8位总线以及16位总线与8位总线之间的接口技术,并深入探讨了字节序(大端和小端)的保持策略,辅以相关图示和表格以增强理解。此外,文章还涵盖了忙逻辑仲裁、中断逻辑和信号量仲裁等高级功能,为多总线系统设计提供了全面的技术参考。IDT在世强硬创平台上由世强先进(深圳)科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该方案,用户可通过平台获取原厂授权的正品器件,相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价,且库存充足。平台专职FAE团队可提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持,覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求,有助于缩短供应链响应周期,加速产品开发与上市。
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| 数据手册 - 英文 |
HIGH-SPEED 8K x 16 DUAL-PORTSTATIC RAM IDT7025S/L
JULY 2012
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品/工艺变更通知单(PCN)TB-0510-02
REV. 00
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HIGH-SPEED 4K x 16 DUAL-PORTSTATIC RAM IDT7024S/L
JUNE 2013
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产品/工艺变更通知单(PCN)SM-0112-03
REV. 00
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IDT7025S/L HIGH-SPEED8K x 16 DUAL-PORTSTATIC RAM
MARCH 2018
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产品/工艺变更通知单(PCN)A-0305-04
Rev. 01
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IDT7024S/L HIGH-SPEED4K x 16 DUAL-PORTSTATIC RAM
MAY 2018
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产品停产通知
5/22/2000
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7025S/L高速8K x 16双端口静态RAM数据表
OCTOBER 2019
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品/工艺变更通知单(PCN)A-0309-06
REV.1
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| 数据手册 - 英文 |
7025S/L HIGH-SPEED 8K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM
10/07/19
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| 数据手册 - 英文 |
7025S/L HIGH-SPEED 8K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM
OCTOBER 2019
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品/工艺变更通知单(PCN)A-0309-04
REV. 00
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IDT49FCT805BTDB产品/工艺变更通知(PCN)
4-Aug-2006
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7024S/L HIGH-SPEED 4K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM
DECEMBER 2019
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产品/工艺变更通知单(PCN)PCN#:A-0607-06
29-Sep-2006
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| 数据手册 - 英文 |
IDT54/74FCT139T/AT/CT快速CMOS 1-of-4解码器,带使能功能
6/20/2002
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IDT10206-PL84-ASM产品/工艺变更通知(PCN)
21-Mar-2006
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IDT54/74FCT138T/AT/CT快速CMOS 1-of-8解码器,带使能
6/20/2002
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品/工艺变更通知单(PCN)TB-0609-03
REV. 00
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ICS1892Y-10产品/工艺变更通知单(PCN)
11-Jan-2007
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产品/工艺变更通知单
May 29, 2003
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产品/工艺变更通知单
8/16/2004
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产品/工艺变更通知(PCN)A0603-04 TQFP和PQFP产品(见随附的受影响零件清单)
REV. 00
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产品停产通知(PDN)逻辑-00-09
5/22/2001
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产品/工艺变更通知单(PCN)PCN#:L0203-09R1
May 29, 2003
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A0610-01R1产品/工艺变更通知单(PCN)
March 2, 2007
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
A-0610-01产品/工艺变更通知单(PCN)
October 9, 2006
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产品停产通知(PDN)PDN#:逻辑-00-07
5/22/00
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产品/工艺变更通知单(PCN)PCN#:L0203-09R2
8/16/2004
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世强AI
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应用/方案
使用IDT7024和IDT7025双端口静态RAM匹配系统总线宽度应用说明
本文介绍了使用IDT7024和IDT7025双端口静态RAM实现总线宽度匹配的三种设计方法。详细描述了32位总线与16位总线、32位总线与8位总线以及16位总线与8位总线的接口。文章还讨论了字节序(大端和小端)的保持,并提供了相关图示和表格。此外,还涉及了总线匹配方案、中断逻辑和信号量仲裁等高级功能。
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使用IDT7024和IDT7025双端口静态RAM匹配系统总线宽度应用说明
本文介绍了使用IDT7024和IDT7025双端口静态RAM实现总线宽度匹配的三种设计方法。详细描述了32位总线与16位总线、32位总线与8位总线以及16位总线与8位总线的接口方案。文章还讨论了字节序(大端和小端)在总线匹配方案中的重要性,并提供了相关图示和表格。此外,还涉及了忙逻辑仲裁、中断逻辑和信号量仲裁等高级功能。
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使用IDT7024和IDT7025双端口静态RAM匹配系统总线宽度应用说明AN–59
本文介绍了使用IDT7024和IDT7025双端口静态RAM实现总线宽度匹配的三种设计方法。详细描述了32位总线与16位总线、32位总线与8位总线以及16位总线与8位总线的接口方式。文章还讨论了字节序(大端和小端)在总线匹配方案中的重要性,并提供了相关图示和表格。此外,还涉及了忙逻辑仲裁、中断逻辑和信号量仲裁等高级功能。
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多端口存储器应用说明AN-253简介
本文介绍了多端口存储器的概念和应用。主要内容包括多端口SRAM的结构、工作原理以及不同类型的多端口存储器(如异步双端口SRAM、同步双端口SRAM、FourPort™ SRAM、SARAM™和Bank-Switchable™双端口SRAM)的特点和区别。此外,还提到了相关应用笔记的介绍。
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【产品】高速84K x 16双端口静态RAM 7025S/7025L,提供84脚PGA等不同封装类型
IDT(Renesas收购)推出的7025S/7025L是高速84K x 16双端口静态RAM。产品设计用作独立的128K位双端口RAM或结合使用MASTER / SLAVE双端口RAM,用于32位或更多位字系统。 使用IDT MASTER / SLAVE双端口RAM在32位或更广泛的内存系统应用中,这种方法可实现全速、无错误的操作,而无需其他离散逻辑进行配合。
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【产品】高速32K x 18双端口静态RAM IDT7037,15/20ns高速访问
IDT(Renesas收购)推出的IDT7037是高速32K x 18双端口静态RAM。产品设计用作独立的576K位双端口RAM或结合使用MASTER / SLAVE双端口RAM,用于36位或更多位字系统。使用IDT MASTER / SLAVE双端口RAM在36位或更广泛的内存系统应用中,这种方法可实现全速、无错误的操作,而无需其他离散逻辑进行配合。
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【产品】高速8K x 9双端口静态RAM(SRAM)IDT7015,适用于18位或更多位数的存储系统应用
IDT(Renesas收购)推出的IDT7015是一款高速的8K x 9双端口静态RAM(SRAM)。IDT7015设计用于18位或更多位数系统的独立双端口RAM或MASTER/SLAVE双端口RAM的组合。在18位或更广泛的存储系统应用中使用IDT MASTER/SLAVE双端口RAM方法可实现全速、无误的操作,而无需其他离散逻辑。
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双端口中断扩展应用说明
本文介绍了在扩展双端口宽度时,如何从每个端口获得额外的中断。主要内容包括双端口中断生成机制、深度扩展和宽度扩展下的中断配置方法,以及如何通过地址线反转和芯片使能分离来实现额外的中断。此外,还讨论了在多宽度扩展中使用16kx8双端口实现32位系统时的中断配置。
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IDT四端口™ SRAM促进多处理器设计应用说明AN-43
IDT FourPort™ SRAM是一种兼具复杂四总线互连网络和快速“并行”内存功能的芯片,可显著简化多处理器和多ALU系统的创建,以加速DSP、图形、控制和涉及大量向量处理任务的任务。该芯片允许四个处理器同时随机异步读取或写入同一SRAM数组中的四个位置,从而提高并行处理能力。此外,它还详细介绍了基于多端口SRAM的多处理器阵列的设计和操作,包括控制协议、负载平衡和与TMS320C2x处理器的硬件接口示例。
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IDT7052-76253 IDT四端口™ SRAM促进多处理器设计应用说明
IDT FourPort™ SRAM是一种兼具复杂四总线互连网络和快速“并行”内存功能的芯片,适用于多处理器和多功能算术逻辑单元(ALU)系统的设计,以加速数字信号处理(DSP)、图形、控制和涉及大量向量处理任务的任务。该芯片允许四个处理器同时随机异步地读取或写入同一SRAM数组中的四个位置,从而提高了并行处理能力。此外,它还详细介绍了基于多端口SRAM的多处理器阵列的设计和操作,包括控制协议、负载平衡和硬件接口示例。
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IDT7052 IDT四端口™ SRAM促进多处理器设计应用说明
IDT FourPort™ SRAM是一种兼具复杂四总线互连网络和快速“并行”内存功能的芯片,适用于多处理器和多功能算术逻辑单元(ALU)系统的设计,以加速数字信号处理(DSP)、图形、控制和涉及大量向量处理任务的任务。该芯片允许四个处理器同时随机异步地读取或写入同一SRAM数组中的四个位置,从而提高了并行处理能力。此外,它还详细介绍了基于多端口SRAM的多处理器阵列的设计和操作,包括控制协议、负载平衡和硬件接口示例。
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【产品】高速8/4Kx18(8/4Kx16)位双端口静态RAM 70V35/34S/L(70V25/24S/L)
IDT(Renesas收购)推出的IDT70V35 / 34(IDT70V25 / 24)是高速8 / 4K x 18(8 / 4Kx16)位双端口静态RAM。IDT70V35 / 34(IDT70V25 / 24)可用作独立的双端口RAM或结合使用MASTER / SLAVE双端口RAM,用于36位(32位)或更多位系统,可以实现全速、无错误的操作,而不需要额外的离散逻辑。
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【产品】高速4K x 8位双端口静态RAM 71342,待机功耗低至1mW
IDT(Renesas收购)推出的71342,是一个高速4K x 8位双端口静态RAM,含有一个完全独立的信号量逻辑块以协助在端口之间进行仲裁。该逻辑块含有未分配的标志,可以由任何一方访问,但是,任何时候只有一方可以控制该标志。由CE和SEM控制的自动断电功能允许每个端口的片上电路进入非常低的待机功耗模式(CE和SEM均为高电平)。
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【产品】高速16K x16位双端口静态RAM 7026S/7026L,待机功耗低至1mW
IDT(Renesas收购)推出的7026S/7026L,是一种高速16K x16位双端口静态RAM,可用作独立的双端口RAM或结合使用MASTER / SLAVE双端口RAM,用于32位或更多位系统。由CE控制的自动断电功能允许每个端口的片上电路进入非常低的待机电源模式。该芯片的军用级版本符合最新的MIL-PRF-38535 QML标准。
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双端口中断扩展应用注释AN-70
本技术笔记介绍了在扩展双端口宽度时,从每个端口获取额外中断的简单技术。许多双端口允许一侧向另一侧生成中断,用于信号数据就绪、数据溢出等消息。IDT的双端口在独立模式下每个部件提供两个中断。通过深度或宽度扩展,可以获得更多中断。技术笔记中详细介绍了深度扩展和宽度扩展的方法,包括如何通过外部地址解码选择多个双端口,以及如何通过反转地址线来生成额外的中断线。此外,还讨论了如何通过分离每个双端口的芯片使能来实现中断,以及如何将这种方法应用于多个宽度扩展。
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带信号量仲裁的双端口sram应用说明
本文介绍了双端口SRAM的应用,特别是IDT71342芯片的信号量仲裁功能。双端口SRAM用于连接多个高性能处理器,允许它们共享同一物理内存块。文章讨论了仲裁方案,包括无仲裁、硬件和软件解决方案。重点介绍了IDT71342的信号量逻辑,它通过软件机制解决互斥问题,提高系统性能。此外,还讨论了信号量在视频显示系统和缓存环境中的应用。
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带信号量仲裁的双端口sram应用说明AN-14
本文介绍了双端口SRAM的应用,特别是IDT71342芯片的信号量仲裁功能。文章讨论了双端口SRAM在多处理器系统中的应用,以及如何通过不同的仲裁方案解决数据完整性问题。重点介绍了IDT71342如何通过软件机制实现信号量,以实现处理器对共享内存的互斥访问,并提供了相关软件和硬件设计的示例。
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【产品】高速1K x 8双端口静态RAM 71V30S/L,可以用作独立的8位双端口SRAM
IDT(Renesas收购)推出的71V30S/71V30L是高速1K x 8双端口静态RAM,可以用作独立的8位双端口SRAM。该器件提供两个独立的端口,具有独立的控制功能,地址和I / O引脚,允许独立,异步地访问存储器中的任何位置。 由/CE控制的自动掉电功能允许每个端口的片上电路进入非常低的待机功耗模式。系列产品使用CMOS高性能技术制造, 通常仅以375mW的功率工作。
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【产品】高速2K x 8双端口静态RAM 71321SA/LA和71421SA/LA,用于处理器间通信
IDT(Renesas收购)推出的7133SA/7133LA和7143SA/7143LA系列是高速2K x 16双端口静态RAM。7133SA/LA系列设计用作独立的16位双端口RAM,或者作为MASTER双端口RAM结合使用7143SA/LA系列SLAVE双端口RAM,用于32位或更多位字系统。
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【产品】高速4Kx8位双端口静态RAM IDT7134,设计用于不需要片上硬件端口仲裁的系统
IDT(Renesas收购)推出的5962-89764(IDT 7134)是一种高速4Kx8位双端口静态RAM,设计用于不需要片上硬件端口仲裁的系统。这部分适用于那些不能忍受等待状态或当双方同时访问同一双端口RAM位置时,能够在外部仲裁或承受争用的系统。由CE控制的自动断电功能,允许每个端口的片上电路进入一个非常低的待机功耗模式。军用级产品符合MIL-PRF-38535 QML标准。
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