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HIGH-SPEED 64K x 16 DUAL-PORTSTATIC RAM IDT7028L
发布时间: 2018-07-31
类型: 数据手册,规格书、Datasheet;PDF下载
品牌:
IDT(艾迪悌)
型号:
IDT7028L; IDT7028; IDT7028PF; IDT7028s; 7028L15PFG; T7028L20PFGI
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加工定制
豪帮高科拥有25年经验,具备36000平智能工厂与16条SMT/DIP产线。掌握高精度贴装(±30μm)、“三阶缓冲焊接”等核心技术,通过IATF16949认证,为汽车电子等领域提供高可靠PCBA解决方案,出厂合格率100%。
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资料平台
数据手册 - 英文
IDT7028L HIGH-SPEED64K x 16 DUAL-PORTSTATIC RAM
JUNE 2018
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产品变更通知及停产信息 - 英文
产品/工艺变更通知单(PCN)TB-0510-02
REV. 00
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数据手册 - 英文
HIGH-SPEED 32K x 16 DUAL-PORTSTATIC RAM IDT7027S/L
AUGUST 2015
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产品变更通知及停产信息 - 英文
产品/工艺变更通知单(PCN)SM-0112-03
REV. 00
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数据手册 - 英文
HIGH-SPEED 8K x 16 DUAL-PORTSTATIC RAM IDT7025S/L
JULY 2012
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产品变更通知及停产信息 - 英文
产品/工艺变更通知单(PCN)A-0305-04
Rev. 01
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数据手册 - 英文
HIGH-SPEED 16K X 16 DUAL-PORTSTATIC RAM IDT7026S/L
AUGUST 2015
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产品变更通知及停产信息 - 英文
产品/工艺变更通知单(PCN)A-0309-06
REV.1
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数据手册 - 英文
IDT7025S/L HIGH-SPEED8K x 16 DUAL-PORTSTATIC RAM
MARCH 2018
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产品变更通知及停产信息 - 英文
产品/工艺变更通知单(PCN)SM 0008-04
REV. 05
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数据手册 - 英文
HIGH-SPEED 4K x 16 DUAL-PORTSTATIC RAM IDT7024S/L
JUNE 2013
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产品变更通知及停产信息 - 英文
产品/工艺变更通知单(PCN)A-0309-04
REV. 00
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数据手册 - 英文
HIGH-SPEED 16K x 16 DUAL-PORTSTATIC RAM WITH INTERRUPT IDT70261S/L
JUNE 2015
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产品变更通知及停产信息 - 英文
ICS1892Y-10产品/工艺变更通知单(PCN)
11-Jan-2007
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数据手册 - 英文
IDT7026S/L HIGH-SPEED16K X 16 DUAL-PORTSTATIC RAM
MARCH 2018
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产品变更通知及停产信息 - 英文
IDT49FCT805BTDB产品/工艺变更通知(PCN)
4-Aug-2006
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数据手册 - 英文
IDT7027S/L HIGH-SPEED32K x 16 DUAL-PORTSTATIC RAM
JUNE 2018
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产品变更通知及停产信息 - 英文
产品/工艺变更通知单(PCN)TB-0609-03
REV. 00
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数据手册 - 英文
IDT7024S/L HIGH-SPEED4K x 16 DUAL-PORTSTATIC RAM
MAY 2018
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产品变更通知及停产信息 - 英文
产品/工艺变更通知(PCN)A0603-04 TQFP和PQFP产品(见随附的受影响零件清单)
REV. 00
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数据手册 - 英文
7027S/L HIGH-SPEED 32K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM
JUNE 2019
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产品变更通知及停产信息 - 英文
IDT10206-PL84-ASM产品/工艺变更通知(PCN)
21-Mar-2006
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数据手册 - 英文
7026S/L HIGH-SPEED 16K X 16 DUAL-PORT STATIC RAM
08/29/19
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数据手册 - 英文
7026S/L HIGH-SPEED16K X 16 DUAL-PORTSTATIC RAM
AUGUST 2019
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产品变更通知及停产信息 - 英文
产品/工艺变更通知单(PCN)PCN#:A-0607-06
29-Sep-2006
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数据手册 - 英文
70261S/L HIGH-SPEED 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM WITH INTERRUPT
JULY 2019
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产品变更通知及停产信息 - 英文
A-0610-01产品/工艺变更通知单(PCN)
October 9, 2006
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产品变更通知及停产信息 - 英文
A0610-01R1产品/工艺变更通知单(PCN)
March 2, 2007
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数据手册 - 英文
7027S/L高速32K x 16双端口静态RAM数据表
JUNE 2019
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产品变更通知及停产信息 - 英文
产品/工艺变更通知单(PCN)A-0601-02
EV. 00
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数据手册 - 英文
IDT70261S/L HIGH-SPEED16K x 16 DUAL-PORTSTATIC RAM WITH INTERRUPT
JUNE 2018
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产品变更通知及停产信息 - 英文
产品/工艺变更通知单(PCN)PCN#:A1606-02
26-Aug-2016
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世强AI
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应用/方案
多端口存储器应用说明AN-253简介
本文介绍了多端口存储器的概念和应用。主要内容包括多端口SRAM的结构、工作原理以及不同类型的多端口存储器(如异步双端口SRAM、同步双端口SRAM、FourPort™ SRAM、SARAM™和Bank-Switchable™双端口SRAM)的特点和区别。此外,还提到了相关应用笔记的介绍。
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使用IDT7024和IDT7025双端口静态RAM匹配系统总线宽度应用说明
本文介绍了使用IDT7024和IDT7025双端口静态RAM实现总线宽度匹配的三种设计方法。详细描述了32位总线与16位总线、32位总线与8位总线以及16位总线与8位总线的接口。文章还讨论了字节序(大端和小端)的保持,并提供了相关图示和表格。此外,还涉及了总线匹配方案、中断逻辑和信号量仲裁等高级功能。
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使用IDT7024和IDT7025双端口静态RAM匹配系统总线宽度应用说明
本文介绍了使用IDT7024和IDT7025双端口静态RAM实现总线宽度匹配的三种设计方法。详细描述了32位总线与16位总线、32位总线与8位总线以及16位总线与8位总线的接口方案。文章还讨论了字节序(大端和小端)在总线匹配方案中的重要性,并提供了相关图示和表格。此外,还涉及了忙逻辑仲裁、中断逻辑和信号量仲裁等高级功能。
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使用IDT7024和IDT7025双端口静态RAM匹配系统总线宽度应用说明AN–59
本文介绍了使用IDT7024和IDT7025双端口静态RAM实现总线宽度匹配的三种设计方法。详细描述了32位总线与16位总线、32位总线与8位总线以及16位总线与8位总线的接口。文章还讨论了字节序(大端和小端)的保持,并提供了相关图示和表格。此外,还涉及了忙逻辑仲裁、中断逻辑和信号量仲裁等高级功能。
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使用IDT7024和IDT7025双端口静态RAM匹配系统总线宽度应用说明AN–59
本文介绍了使用IDT7024和IDT7025双端口静态RAM实现总线宽度匹配的三种设计方法。详细描述了32位总线与16位总线、32位总线与8位总线以及16位总线与8位总线的接口方式。文章还讨论了字节序(大端和小端)在总线匹配方案中的重要性,并提供了相关图示和表格。此外,还涉及了忙逻辑仲裁、中断逻辑和信号量仲裁等高级功能。
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【产品】高速16K x16位双端口静态RAM 7026S/7026L,待机功耗低至1mW
IDT(Renesas收购)推出的7026S/7026L,是一种高速16K x16位双端口静态RAM,可用作独立的双端口RAM或结合使用MASTER / SLAVE双端口RAM,用于32位或更多位系统。由CE控制的自动断电功能允许每个端口的片上电路进入非常低的待机电源模式。该芯片的军用级版本符合最新的MIL-PRF-38535 QML标准。
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【产品】高速84K x 16双端口静态RAM 7025S/7025L,提供84脚PGA等不同封装类型
IDT(Renesas收购)推出的7025S/7025L是高速84K x 16双端口静态RAM。产品设计用作独立的128K位双端口RAM或结合使用MASTER / SLAVE双端口RAM,用于32位或更多位字系统。 使用IDT MASTER / SLAVE双端口RAM在32位或更广泛的内存系统应用中,这种方法可实现全速、无错误的操作,而无需其他离散逻辑进行配合。
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【产品】高速32K x 16双端口静态RAM 7027S/7027L,提供100引脚TQFP封装和108脚PGA封装
IDT(Renesas收购)推出的7027S/7027L是高速32K x 16双端口静态RAM。产品设计用作独立的512K位双端口RAM或结合使用MASTER / SLAVE双端口RAM,用于32位或更多位系统。 使用IDT MASTER / SLAVE双端口RAM可以在32位或更广泛的内存系统中应用,这种方法可实现全速、无错误的操作,而无需其他离散逻辑进行配合。
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双端口中断扩展应用说明
本文介绍了在扩展双端口宽度时,如何从每个端口获得额外的中断。主要内容包括双端口中断生成机制、深度扩展和宽度扩展下的中断配置方法,以及如何通过地址线反转和芯片使能分离来实现额外的中断。此外,还讨论了在多宽度扩展中使用16kx8双端口实现32位系统时的中断配置。
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双端口中断扩展应用注释AN-70
本技术笔记介绍了在扩展双端口宽度时,从每个端口获取额外中断的简单技术。许多双端口允许一侧向另一侧生成中断,用于信号数据就绪、数据溢出等消息。IDT的双端口在独立模式下每个部件提供两个中断。通过深度或宽度扩展,可以获得更多中断。技术笔记中详细介绍了深度扩展和宽度扩展的方法,包括如何通过外部地址解码选择多个双端口,以及如何通过反转地址线来生成额外的中断线。此外,还讨论了如何通过分离每个双端口的芯片使能来实现中断,以及如何将这种方法应用于多个宽度扩展。
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IDT的FourPort简介™ SRAM应用说明
本文介绍了IDT的FourPort™ SRAM技术,包括其架构、工作原理和应用。FourPort™ SRAM具有四个独立端口,可同时为多个处理器提供数据访问,适用于多处理器环境和数字信号处理应用。文章详细解释了SRAM的内部结构,包括单端口和双端口SRAM的原理,以及如何通过FourPort™ SRAM实现数据的多路复用和读写操作。此外,还讨论了如何将FourPort™ SRAM与不同类型的CPU(如Z80A、68000和R3000)进行接口连接,并提供了系统设计的一些想法,特别是在数字信号处理领域的应用。
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【产品】高速3.3V 8K x 8双端口静态RAM 70V05S/70V05L,运行功率通常仅400mW
IDT(Renesas收购)推出的70V05S/L是高速3.3V 8K x 8双端口静态RAM。产品设计用作独立的64K位双端口RAM或结合使用MASTER / SLAVE双端口RAM,用于16位或更多位系统。使用IDT MASTER / SLAVE双端口RAM可以在16位或更广泛的内存系统中应用,这种方法可实现全速、无错误的操作,而无需其他离散逻辑进行配合。
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【产品】3.3V 高速64K x 8双端口静态RAM 70V08L,提供100引脚TQFP封装
IDT(Renesas收购)推出的70V08L是3.3V 高速64K x 8双端口静态RAM。产品设计用作独立的512K位双端口RAM或结合使用MASTER / SLAVE双端口RAM,用于16位或更多位字系统。 使用IDT MASTER / SLAVE双端口RAM在16位或更广泛的内存系统应用中,这种方法可实现全速、无错误的操作,而无需其他离散逻辑进行配合。
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【产品】3.3V 高速64K x 16双端口静态RAM 70V28L,提供100引脚TQFP封装
IDT(Renesas收购)推出的70V28L是3.3V 高速64K x 16双端口静态RAM。产品设计用作独立的1024K位双端口RAM或结合使用MASTER / SLAVE双端口RAM,用于32位或更多位字系统。 使用IDT MASTER / SLAVE双端口RAM在32位或更广泛的内存系统应用中,这种方法可实现全速、无错误的操作,而无需其他离散逻辑进行配合。
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用于DSP和通信应用的同步双端口静态ram
本文介绍了同步双端口静态随机存取存储器(SDPRAM)在数字信号处理(DSP)和通信应用中的使用。文章详细讨论了SDPRAM的特点,包括同时访问能力、同步和异步接口、以及流水线和直通输出选项。文章还介绍了IDT公司的一系列SDPRAM产品,包括SARAM、70914和709149,并比较了它们的性能和适用场景。此外,文章还讨论了SDPRAM在便携式电话基站和8通道卡等应用中的使用案例,以及SDPRAM在满足高带宽系统需求方面的优势。
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【产品】高速64K x 16双端口静态RAM 7028L,器件提供100引脚TQFP封装
IDT(Renesas收购)推出的7028L是高速64K x 16双端口静态RAM。产品设计用作独立的1024K位双端口RAM或结合使用MASTER / SLAVE双端口RAM,用于32位或更多位系统。 使用IDT MASTER / SLAVE双端口RAM可以在32位或更广泛的内存系统中应用,这种方法可实现全速、无错误的操作,而无需其他离散逻辑进行配合。
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【产品】高速64K x 8双端口静态RAM 7008S/7008L,提供84脚PGA、PLCC和100脚TQFP封装
IDT(Renesas收购)推出的7008S/7008L是高速64K x 8双端口静态RAM。产品设计用作独立的512K位双端口RAM或结合使用MASTER / SLAVE双端口RAM,用于16位或更多位系统。 使用IDT MASTER / SLAVE双端口RAM可以在16位或更广泛的内存系统中应用,这种方法可实现全速、无错误的操作,而无需其他离散逻辑进行配合。
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【产品】采用CMOS高性能技术的高速64Kx8双端口静态RAM 7008,仅需750mW功率
IDT(Renesas收购)的7008是一款高速64K x 8双端口静态RAM。可用作独立的512K位双端口RAM或者16位及更高字节系统的主/从双端口RAM组合,可实现全速无差错操作,无需额外的离散逻辑。两个独立的端口分别具有独立的控制,地址和I / O引脚,允许对存储器中任何位置的读写进行独立的异步访问,允许每个端口的片上电路进入功耗非常低的待机模式。
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