HIGH-SPEED 3.3V 8/4K x 18 DUAL-PORT 8/4K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM IDT70V35/34S/L IDT70V25/24S/L
发布时间：
2018-07-31
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
IDT（艾迪悌）
型号：
IDT70V35/34S/L; IDT70V25/24S/L; IDT70V35; IDT70V34; IDT70V25; IDT70V24; IDT70V35/34S; IDT70V35/34L; IDT70V25/24S; IDT70V25/24L; IDT70V35/34; IDT70V25/24; IDT70V35/34PF; IDT70V25/24PF; IDT70V25/24J; IDT70V35S; IDT70V35L; 70V35L15PFG; 70V35L20PFGI; IDT70V34S; IDT70V34L; 70V34L15PFG; IDT70V25S; IDT70V25L; 70V25L15PFG; 70V25L20PFGI; IDT70V24S; IDT70V24L; 70V24L15PFG; 70V24L20PFGI
加工定制
豪帮高科拥有25年经验，具备36000平智能工厂与16条SMT/DIP产线。掌握高精度贴装（±30μm）、“三阶缓冲焊接”等核心技术，通过IATF16949认证，为汽车电子等领域提供高可靠PCBA解决方案，出厂合格率100%。
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励知可定制高达36层PCB，适用FR4、无卤、PI及Rogers等高频材料。具备3mil/3mil精细线路、8mil钻孔及16:1厚径比能力，提供化学沉金、镀硬金等超10种表面处理与7种阻焊颜色，并支持高频混压、背钻、埋阻容等特殊工艺。
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资料平台
| 数据手册 - 英文 |
70V25/24S/L 8/4K x 18 DUAL-PORT 70V35/34S/L 8/4K x 16 DUAL-PORT HIGH-SPEED 3.3V STATIC RAM
OCTOBER 2019
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品/工艺变更通知单（PCN）SM-0402-03
REV. 00
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| 产品勘误说明 - 英文 |
勘误表-01-05
Revision 00
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| 数据手册 - 英文 |
HIGH-SPEED 3.3V 128/64K x 36 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE IDT70V3599/89S
OCTOBER 2014
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品/工艺变更通知单（PCN）SM-0112-03
REV. 00
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| 数据手册 - 英文 |
HIGH-SPEED 3.3V 16K x 36 SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE IDT70V3569S
FEBRUARY 2018
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品/工艺变更通知单（PCN）SM-0504-03
REV. 00
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| 数据手册 - 英文 |
IDT70V3599/89S HIGH-SPEED 3.3V 128/64K x 36 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE
JUNE 2018
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
A0710-02 IDT49C465APQF产品/工艺变更通知单
14-Dec-2007
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| 数据手册 - 英文 |
HIGH-SPEED 3.3V 32K x 36 SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE IDT70V3579S
OCTOBER 2014
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品/工艺变更通知（PCN）A0802-02
REV. 00
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| 数据手册 - 英文 |
IDT70V3579S HIGH-SPEED 3.3V 32K x 36SYNCHRONOUS PIPELINEDDUAL-PORT STATIC RAMWITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE
FEBRUARY 2018
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
IDT10206-PL84-ASM产品/工艺变更通知（PCN）
21-Mar-2006
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| 数据手册 - 英文 |
产品/工艺变更通知单
8/15/2005
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品/工艺变更通知（PCN）A0610-02
REV. 00
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| 数据手册 - 英文 |
70V3569S HIGH-SPEED 3.3V 16K x 36SYNCHRONOUS PIPELINEDDUAL-PORT STATIC RAMWITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE
AUGUST 2019
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| 数据手册 - 英文 |
70V3569S HIGH-SPEED 3.3V 16K x 36 SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE
AUGUST 2019
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品/工艺变更通知（PCN）A-0506-01 PQFP包
REV. 00
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| 数据手册 - 英文 |
70V7599S高速3.3V 128K x 36同步组可切换双端口静态RAM，带3.3V或2.5V接口数据表
OCTOBER 2019
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品/工艺变更通知（PCN）A-0506-03所有产品在托盘中装运
REV. 00
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品/工艺变更通知（PCN）A0610-01R2
REV. 00
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| 数据手册 - 英文 |
70V7519S高速3.3V 256K x 36同步组可切换双端口静态RAM，带3.3V或2.5V接口数据表
NOVEMBER 2019
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
A0610-01R1产品/工艺变更通知单（PCN）
March 2, 2007
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| 数据手册 - 英文 |
70V3599/89S HIGH-SPEED 3.3V 128/64K x 36 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE
11/05/19
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
A0704-02产品质量产品/工艺变更通知单（PCN）
9/19/2007
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| 数据手册 - 英文 |
70V7519S HIGH-SPEED 3.3V 256K x 36 SYNCHRONOUS BANK-SWITCHABLE DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE
11/01/19
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品/工艺变更通知单（PCN）A-0309-04
REV. 00
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| 数据手册 - 英文 |
70V3579S高速3.3V 32K x 36同步流水线双端口静态RAM，带3.3V或2.5V接口数据表
AUGUST 2019
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| 数据手册 - 英文 |
70V3579S高速3.3V 32K x 36同步流水线双端口静态RAM，带3.3V或2.5V接口数据表
AUGUST 2019
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品/工艺变更通知单（PCN）A-0607-05
REV. 00
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品/工艺变更通知单（PCN）TB-0609-03
REV. 00
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品/工艺变更通知（PCN）A0603-04 TQFP和PQFP产品（见随附的受影响零件清单）
REV. 00
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品/工艺变更通知（PCN）A-0403-03 BGA封装系列
REV. 00
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
A-0610-01产品/工艺变更通知单（PCN）
October 9, 2006
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品/工艺变更通知单（PCN）A-0305-04
Rev. 01
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品/工艺变更通知单（PCN）PCN#：A-0607-06
29-Sep-2006
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品/工艺变更通知单（PCN）A-0309-06
REV.1
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
IDT49FCT805BTDB产品/工艺变更通知（PCN）
4-Aug-2006
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
A0705-03产品/工艺变更通知单（PCN）
20-Dec-2007
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
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应用/方案
双端口电源讨论应用说明
本文讨论了双端口高I/O计数设备上的功耗，主要针对IDT70V3579、IDT70V3569、IDT70V3379和IDT70V3389等同步32K x 36双端口系列。文章分析了功耗增加的原因，包括速度提升、宽度增加和内部数据总线扩展。此外，还讨论了温度对电流的影响、核心电流与I/O电流的差异、功率损耗计算公式以及不同情况下的功耗。最后，提出了降低功耗的措施，如避免过大的电容负载、保持VDD/VDDQ在3.3V或以下，并确保适当的去耦策略。
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双端口电源讨论应用说明
本文讨论了双端口高I/O计数设备上的功耗，主要针对IDT70V3579、IDT70V3569、IDT70V3379和IDT70V3389等同步32K x 36双端口系列。文章分析了功耗增加的原因，包括运行速度、宽度和内部数据总线的变化。此外，还讨论了核心电流与I/O电流的差异，以及不同操作模式下的功耗计算方法。最后，提出了降低功耗的建议，如避免过大的电容负载、保持VDD/VDDQ在3.3V或以下，并确保适当的去耦策略。
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双端口电源讨论应用说明AN-255
本文讨论了IDT公司同步32K x 36双端口存储器系列（包括IDT70V3579、IDT70V3569、IDT70V3379和IDT70V3389）的功耗问题。文章详细分析了该系列器件的动态工作电流（IDD）以及I/O总线功耗，并探讨了温度对电流的影响。文章还提供了功耗计算公式，并分析了不同工作模式下的功耗情况。最后，文章提出了降低功耗的建议，包括减少电容负载、保持电源电压在合理范围内以及确保适当的去耦策略。
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【产品】高速8/4Kx18（8/4Kx16）位双端口静态RAM 70V35/34S/L（70V25/24S/L）
IDT（Renesas收购）推出的IDT70V35 / 34（IDT70V25 / 24）是高速8 / 4K x 18（8 / 4Kx16）位双端口静态RAM。IDT70V35 / 34（IDT70V25 / 24）可用作独立的双端口RAM或结合使用MASTER / SLAVE双端口RAM，用于36位（32位）或更多位系统，可以实现全速、无错误的操作，而不需要额外的离散逻辑。
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【产品】高速3.3V 8K x 8双端口静态RAM 70V05S/70V05L，运行功率通常仅400mW
IDT（Renesas收购）推出的70V05S/L是高速3.3V 8K x 8双端口静态RAM。产品设计用作独立的64K位双端口RAM或结合使用MASTER / SLAVE双端口RAM，用于16位或更多位系统。使用IDT MASTER / SLAVE双端口RAM可以在16位或更广泛的内存系统中应用，这种方法可实现全速、无错误的操作，而无需其他离散逻辑进行配合。
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低功耗双端口在高级手机应用中的应用说明AN-410
本资料探讨了IDT70P248低功耗双端口技术在高端无线手机中的应用。资料介绍了双处理器架构在满足高端手机处理需求方面的优势，包括模块化设计和降低开发成本。此外，IDT70P248提供了高带宽、低功耗的处理器间通信解决方案，并具备输入读取寄存器和输出驱动寄存器等高级功能，以增强系统的灵活性和控制能力。资料还提供了IDT70P248的功耗和性能参数，以及其在不同无线标准下的通信带宽。
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低功耗双端口在高级手机应用中的应用说明
本文介绍了IDT70P248低功耗双端口在高端手机应用中的解决方案。该方案采用双处理器架构，提高处理能力，并通过IDT70P248实现处理器间的高速通信。IDT70P248具有低功耗、高带宽、多功能等特点，可优化手机性能和续航。此外，还介绍了IDT70P248的输入读取寄存器和输出驱动寄存器，提高系统灵活性。
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低功耗双端口高级手持设备应用说明AN-410
本资料主要介绍了IDT70P248低功耗双端口解决方案在高端无线手机中的应用。该方案通过双处理器架构，提高手机处理能力，同时提供高效的处理器间通信和低功耗特性。资料详细阐述了IDT70P248在降低功耗、提供高级功能和简化设计方面的优势。
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VersaClock系列概述
IDT的VersaClock系列提供超过20款可编程时钟发生器，支持多种输出类型和电压范围。该系列具备低功耗、灵活性和高性能特点，适用于多种应用，如计算、消费、通信和工业领域。VersaClock产品支持即时I2C配置，并可通过Timing Commander软件进行编程和监控。
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设计提示：IDT PCIe®Gen2交换机中的时钟体系结构
本文介绍了IDT PCIe Gen2交换机的时钟架构。内容包括全球参考时钟输入、端口参考时钟输入、全局时钟锁相环（PLL）的设计，以及时钟信号的调制和频率选择。此外，还讨论了时钟信号的电气规格、散布频谱时钟（SSC）的应用和EMI的降低。
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