HIGH-SPEED 2.5V 1024K x 36 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE IDT70T3509M
发布时间：
2018-07-31
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
IDT（艾迪悌）
型号：
IDT70T3509M; 70T3509M; 70T3509MS133BPG; 70T3509MS133BPGI
加工定制
整体外形尺寸小至0.6*0.3*0.3mm (DFN0603)，工作电压范围覆盖2.5V~36V，电容值低至0.2pF，浪涌能力最高可达240安培，静电等级可达空气放电、接触放电±30KV。提供免费浪涌测试仪、静电测试仪测试。
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资料平台
| 数据手册 - 英文 |
70T3509M高速2.5V 1024K x 36同步双端口静态RAM，带3.3V或2.5V接口数据表
OCTOBER 2019
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品/工艺变更通知单（PCN）SM-0402-03
REV. 00
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| 数据手册 - 英文 |
70T3509M High-Speed 2.5V 1024K x 36 Synchronous Dual-Port Static RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE
OCTOBER 2019
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| 数据手册 - 英文 |
70T3509M HIGH-SPEED 2.5V 1024K x 36 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE
07/09/19
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| 数据手册 - 英文 |
产品/工艺变更通知单
8/15/2005
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品/工艺变更通知单
1/27/2009
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| 技术文档 - 英文 |
多端口存储器产品
REVA
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
A0710-02 IDT49C465APQF产品/工艺变更通知单
14-Dec-2007
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| 数据手册 - 英文 |
HIGH-SPEED 2.5V 256/128/64K x 36 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE IDT70T3519/99/89S
MARCH 2014
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品/工艺变更通知（PCN）A0802-02
REV. 00
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| 数据手册 - 英文 |
IDT70T3519/99/89S HIGH-SPEED 2.5V256/128/64K x 36S YNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE
JUNE 2018
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品/工艺变更通知（PCN）A-0506-01 PQFP包
REV. 00
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| 数据手册 - 英文 |
HIGH-SPEED 2.5V 512K x 36 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAMWITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE IDT70T3539M
FEBRUARY 2018
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品/工艺变更通知单（PCN）A-0607-05
REV. 00
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| 数据手册 - 英文 |
70T3539M HIGH-SPEED 2.5V 512K x 36 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE
JUNE 2019
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
A0704-02产品质量产品/工艺变更通知单（PCN）
9/19/2007
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| 数据手册 - 英文 |
70T3519/99/89S高速2.5V 256/128/64K x 36同步双端口静态RAM，带3.3V或2.5V接口数据表
NOVEMBER 2019
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| 数据手册 - 英文 |
70T3519/99/89S高速2.5V 256/128/64K x 36同步双端口静态RAM，带3.3V或2.5V接口数据表
NOVEMBER 2019
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品/工艺变更通知单（PCN）SM-0504-03
REV. 00
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| 数据手册 - 英文 |
HIGH-SPEED 2.5V512K x 36 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE 70T3539M
JUNE 2019
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品/工艺变更通知（PCN）A0610-02
REV. 00
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
IDT10206-PL84-ASM产品/工艺变更通知（PCN）
21-Mar-2006
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| 数据手册 - 英文 |
70T3519/99/89S HIGH-SPEED 2.5V 256/128/64K x 36 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE
08/22/19
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品/工艺变更通知（PCN）A-0403-03 BGA封装系列
REV. 00
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品/工艺变更通知（PCN）A0610-01R2
REV. 00
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
A0610-01R1产品/工艺变更通知单（PCN）
March 2, 2007
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品/工艺变更通知（PCN）A-0506-03所有产品在托盘中装运
REV. 00
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品/工艺变更通知单（PCN）A0705-02
REV. 00
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
A-0610-01产品/工艺变更通知单（PCN）
October 9, 2006
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品/工艺变更通知单（PCN）TB-0609-03
REV. 00
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
ICS1892Y-10产品/工艺变更通知单（PCN）
11-Jan-2007
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品/工艺变更通知（PCN）A0603-04 TQFP和PQFP产品（见随附的受影响零件清单）
REV. 00
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| 测试报告 - 英文 |
PZG28材料成分声明
2009-12-11
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| 测试报告 - 英文 |
PZG28材料成分声明
2009-12-11
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| 商品功能框图 - 英文 |
PSC-4263 AM/AMG 256封装外形17 X 17毫米机身1.00毫米间距PBGA
Rev.01
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| 测试报告 - 英文 |
DMG80材料成分声明
2009-07-02
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| 商品功能框图 - 英文 |
MSC-5806-A CD 6/10载带
Rev.00
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| 数据手册 - 英文 |
IDT8T49N244I Femtock®NG双通用频率转换器
Rev.A
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
IDT82V2041E数据表更改通知
December 9, 2005
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
IDT82P2282产品介绍更改通知
Version 1.0
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气体检测仪项目，需要检测甲烷、丙烷、氢气、液化石油气等易燃气体，有合适的固态化学电阻传感器推荐吗？
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应用/方案
JTAG多芯片模块测试应用说明AN-411
本资料为IDT多芯片模块（MCM）的JTAG测试应用指南。内容包括MCM的JTAG测试流程，包括网表合并、边界扫描链拓扑定义和测试模式生成。指南使用Corelis ScanPlus™软件和IDT70T3539M MCM进行演示，并提供了MCM的BSDL文件和网表，以及如何将这些文件与PCB网表合并的说明。此外，还介绍了如何创建拓扑文件、约束文件、网表编辑文件和合并引脚库文件，以及如何使用ScanPlus™ TPG软件生成测试向量。
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JTAG测试多芯片模块应用说明AN-411
本资料为IDT多芯片模块（MCM）的JTAG测试应用指南。内容涵盖MCM的JTAG测试流程，包括网表合并、边界扫描链拓扑定义和测试模式生成。指南以Corelis ScanPlus™软件和IDT 70T3539M MCM为例，详细介绍了JTAG测试的步骤和方法。
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【产品】高速2.5V、256/128/64Kx36位同步双端口RAM IDT70T3519/99/89S
70T3519S、70T3599S、70T3589S是IDT（Renesas收购）推出的高速256/128/64Kx36位同步双端口RAM。存储器阵列利用双端口存储器单元允许同时访问来自两个端口的任何地址。 控制、数据和地址输入寄存器提供最少的设置和保持时间。通过这种方法提供的时序范围允许系统设计具有非常短的循环时间。
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【产品】采用BGA封装的高速2.5V 1024K x 36位同步双端口RAM 70T3509M
IDT（Renesas收购）的IDT70T3539M是一款具有3.3V或2.5V接口的高速1024K x 36同步双端口静态RAM，存储器阵列利用双端口存储器单元实现同时访问两个端口的任何地址，具有非常短的循环时间，可用于用于多路复用总线和总线匹配兼容性的单独字节控制，具有中断和冲突检测标志，双芯片可实现深度扩展，无需额外的逻辑。
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多端口存储器产品
本资料介绍了Integrated Device Technology（IDT）的多端口存储器产品，包括异步和同步双端口、四端口和可切换双端口存储器。这些产品适用于通信市场，包括交换机、路由器、集线器、光纤通道线卡和RAID控制器。资料详细介绍了异步双端口RAM的优势，如增加带宽、减少设计复杂性、缩短上市时间等。此外，还提供了不同型号的多端口存储器的详细规格，包括核心电压、总线宽度、密度、封装代码、I/O类型、访问时间和温度范围等。
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零总线掉头（ZBT）SRAMS与延迟写SRAMS的应用比较
本文对比了零总线周转（ZBT）SRAM和晚写SRAM的性能差异。ZBT SRAM通过消除总线上的空闲周期，实现了100%的数据总线利用率，而晚写SRAM在读写交替时存在空闲周期，导致总线利用率降低。文章详细比较了两种SRAM的读写时序、时钟边沿使用和数据总线利用率等方面的差异。
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RC32332局域网（LAN）交换机应用简介
本文介绍了局域网交换机在计算机网络中的重要性，特别是在网络速度和带宽增加的背景下。文章讨论了网络管理员面临的挑战，如用户效率统计、服务质量（QoS）和网络流量管理。针对这些挑战，文章介绍了IDT的RC32332通信处理器和BCM95615S局域网交换机参考设计，这些设计旨在提供低成本、易于管理的网络解决方案，以优化网络资源的使用并支持高带宽、低延迟的应用。文章还强调了轻量级管理交换机在桌面本地网络中的应用，以及它们如何与高性能交换机 fabrics和软件平台相结合，以实现更智能的网络管理。
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RC32351客户场所设备（CPE）集成通信处理器应用简介
本文介绍了IDT公司针对家庭用户设备（CPE）的集成通信处理器解决方案。该方案旨在满足服务提供商降低系统成本的需求，同时支持多种I/O接口，包括有线和无线。文章详细介绍了IDT的RC32351/RC32355集成通信处理器，其特点包括高性能、低功耗、小尺寸和高可配置性。此外，文章还介绍了IDT提供的参考设计平台和软件解决方案，以加速CPE市场的产品开发。
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82P2828/2821/2816/2521/2808高密度阻抗补偿刘氏全内阻抗模式应用说明
本资料为IDT应用笔记AN-524，主要讨论了在高密度LIU（线路单元）的完全内部阻抗匹配模式下，如何通过调整参考电阻值来补偿外部引入的额外阻抗，以优化接收/传输回波损耗和脉冲形状。资料详细介绍了不同阻抗匹配方案的影响，以及如何通过选择合适的参考电阻值来调整阻抗匹配，以达到最佳性能。
阅读原文 >>
