3.3V CMOS Static RAM 4 Meg (512K x 8-Bit) IDT71V424S IDT71V424L
发布时间：
2018-07-31
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
IDT（艾迪悌）
型号：
IDT71V424S; IDT71V424L; IDT71V424; 71V424S10YG; 71V424L12PHGI
加工定制
布莫让支持超微型单级/多级、微型单级/多级、超微型 TEC 封装产品定制，最小晶粒高度：0.3 mm； 最小横截面：0.2 mm； 最小节距：0.15 mm；能做到最小尺寸 1mm*1mm, 最高级数可达到 7 级。
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资料平台
| 数据手册 - 英文 |
IDT71V424S IDT71V424L 3.3V CMOS静态RAM 4兆欧（512K x 8位）数据表
SEPTEMBER 2013
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品/工艺变更通知单（PCN）SR-0403-02
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品/工艺变更通知单（PCN）SR-0402-02
REV. 00
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产品/工艺变更通知单（PCN）TB-0609-02
REV. 00
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产品/工艺变更通知单（PCN）SR-0212-02
REV. 00
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产品/工艺变更通知单（PCN）A-0605-03
REV. 00
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A2001-02（R1）选择包装产品变更通知（PCN）将装配位置从台湾OSET转移到台湾Greatek
2/27/2020
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产品停产通知（PDN）SR-09-08R1
Rev.02
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产品/工艺变更通知单（PCN）SR0008-03
REV. 05
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产品/工艺变更通知（PCN）A1107-01R1
12/5/2011
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71V424S10YG产品/工艺变更通知（PCN）
7/22/2011
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
集成设备技术公司6024 Silver Creek Valley Road，San Jose，CA-95138产品/工艺变更通知（PCN）PCN#：A-0508-02
09/05/05
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
集成设备技术公司6024 Silver Creek Valley Road，San Jose，CA-95138产品/工艺变更通知（PCN）PCN#：A-0504-02R2
08/03/05
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产品停产通知（PDN）SR-10-07
Rev. 02
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Integrated Device Technology，Inc.2975 Stender Way，Santa Clara，CA-95054产品/工艺变更通知（PCN）PCN#：A-0504-02
5/2/2005
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产品/工艺变更通知（PCN）A-0506-03所有产品在托盘中装运
REV. 00
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A-0610-01产品/工艺变更通知单（PCN）
October 9, 2006
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产品/工艺变更通知（PCN）A0610-01R2
REV. 00
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A0610-01R1产品/工艺变更通知单（PCN）
March 2, 2007
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产品/工艺变更通知单（PCN）PCN#：TB-0504-01
5/2/2005
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| 数据手册 - 英文 |
IDT71V416S 3.3V CMOS Static RAM 4 Meg (256K x 16-Bit)
NOVEMBER 2016
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3.3V CMOS静态RAM 1兆（64K x 16位）IDT71V016SA
AUGUST 2013
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3.3V CMOS Static RAM 4 Meg (256K x 16-Bit) IDT71V416S IDT71V416L
NOVEMBER 2016
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IDT71V416S DT71V416L 3.3V CMOS Static RAM4 Meg
NOVEMBER 2016
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IDT71V016SA 3.3V CMOS Static RAM 1 Meg (64K x 16-Bit)
08/13/13
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3.3V CMOS静态RAM 1兆（128K x 8位）中心电源和接地引脚排列IDT71V124SA
FEBRUARY 2013
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IDT71V428S IDT71V428L 3.3V CMOS静态RAM4 Meg（1M x 4位）数据表
JULY 2014
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IDT71V124SA 3.3V CMOS Static RAM 1 Meg (128K x 8-Bit) Center Power & Ground Pinout
02/19/13
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用于奔腾的IDT71215 BiCMOS静态RAM240K（16K x 15位）缓存标记RAM™ 处理器IDT71215
OCTOBER 1999
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IDT71V321S/L HIGH SPEED 3.3V 2K X 8 DUAL-PORT STATIC RAM WITH INTERRUPTS
JANUARY 2018
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70V26S/L HIGH-SPEED 3.3V 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM
07/26/19
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| 数据手册 - 英文 |
IDT70V9389/289L HIGH-SPEED 3.3V 64K x18/x16 SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM
MARCH 2018
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DAC1008D650双通道10位DAC；最高650 MSPS；通过JESD204A接口实现2倍、4倍或8倍插值
Rev. 04
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81006i VCXO-to-6 LVCMOS输出
REVISION B
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ICS85214I低偏斜、1至5、差分至HSTL扇出缓冲器
REVISION B
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IDT54/74FCT273T/AT/CT快速CMOS八通道D触发器，具有主复位功能
JUNE 2002
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IDT54/74FCT299T/AT/CT快速CMOS 8输入通用移位寄存器
6/24/2002
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IDT54/74FCT646T/AT/CT快速CMOS八通道收发器/寄存器（3态）
JUNE 2002
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IDT54/74FCT541T/AT/CT快速CMOS八通道缓冲器/线路驱动器
JUNE 2002
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IDT72V73250 3.3 VOLT TIME SLOT INTERCHANGE DIGITAL SWITCH
12/04/2012
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IDT74LVC16374A 3.3V CMOS 16-BITEDGE-TRIGGERED D-TYPEFLIP-FLOP WITH 3-STATE OUTPUTS,5 VOLT TOLERANT I/O
AUGUST 2015
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IDTQS3861 QUICKSWITCH® PRODUCTSHIGH-SPEED CMOS 10-BITBUS SWITCH WITHFLOW-THROUGH PINOUT
JANUARY 2013
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844N255I FemtoClock® NG Crystal-to-LVDS Clock Synthesizer
April 28, 2016
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应用/方案
【产品】低功耗3.3V CMOS快速SRAM IDT71V256SA，32Kx8-Bit
IDT（Renesas收购）IDT71V256SA是一个262144位高速静态RAM，构成为32Kx8-Bit。 采用高性能、高可靠性的CMOS工艺制作。 该CMOS快速SRAM IDT71V256SA具有优异的低功耗特性，同时保持了很高的性能。 在台式机设计中，地址访问时间快于12ns，是3.3V二次缓存的理想选择。
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VersaClock系列概述
IDT的VersaClock系列提供超过20款可编程时钟发生器，支持多种输出类型和电压范围。该系列具备低功耗、灵活性和高性能特点，适用于多种应用，如计算、消费、通信和工业领域。VersaClock产品支持即时I2C配置，并可通过Timing Commander软件进行编程和监控。
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设计提示：IDT PCIe®Gen2交换机中的时钟体系结构
本文介绍了IDT PCIe Gen2交换机的时钟架构。内容包括全球参考时钟输入、端口参考时钟输入、全局时钟锁相环（PLL）的设计，以及时钟信号的调制和频率选择。此外，还讨论了时钟信号的电气规格、散布频谱时钟（SSC）的应用和EMI的降低。
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82V3910 WANPLL–应用程序员接口参考手册
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8V9705x评估板用户指南
本指南介绍了IDT 8V9705x评估板的使用，该板用于评估8V97051、8V97051L、8V97053和8V97053L IDT宽带射频合成器。通过USB连接PC和IDT Timing Commander软件，用户可以配置和编程设备以生成具有最佳性能的频率。指南涵盖了硬件连接、软件配置和默认启动条件。
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文档控制门户用户学习指南
本指南旨在为IDT文档控制门户的用户提供操作指南，涵盖文档控制门户的设置、文档操作、版本控制、工作流程、搜索功能以及管理技巧。指南详细介绍了文档库的结构、文件命名规范、上传和编辑文档的方法，以及如何设置版本控制和工作流程。此外，还包括如何使用搜索功能、管理权限和设置元数据导航等内容。
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