CMOS Static RAM 1 Meg (128K x 8-Bit) Revolutionary Pinout IDT71124
发布时间：
2018-07-31
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
IDT（艾迪悌）
型号：
IDT71124; IDT 71124; 71124S12YG; 71124S15YGI
加工定制
布莫让支持超微型单级/多级、微型单级/多级、超微型 TEC 封装产品定制，最小晶粒高度：0.3 mm； 最小横截面：0.2 mm； 最小节距：0.15 mm；能做到最小尺寸 1mm*1mm, 最高级数可达到 7 级。
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资料平台
| 数据手册 - 英文 |
IDT71124 CMOS Static RAM1 Meg
APRIL 2013
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品停产通知（PDN）SR-08-04
Rev. 02
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| 产品勘误说明 - 英文 |
勘误表通知IDT77V011
Revision 10/22/01
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| 数据手册 - 英文 |
7位，75Ω，数字步进衰减器F1977数据表
Rev 1
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品/工艺变更通知单（PCN）TB-0609-02
REV. 00
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| 产品勘误说明 - 英文 |
勘误表通知IDT77010
Revision 6/24/2002
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| 数据手册 - 英文 |
7位0.25dB宽带数字步进衰减器F1956数据表
Rev 2
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品/工艺变更通知（PCN）A1107-01R1
12/5/2011
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| 产品勘误说明 - 英文 |
勘误表通知IDT79RC32T351
Revision 4/30/2002
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| 产品勘误说明 - 英文 |
勘误表通知IDT79RC32T351
Revision 11/19/2002
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| 数据手册 - 英文 |
TripleChannel Synchronous Step-Down Switcher with Integrated FET IDTP9120
March 12, 2014
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
71V424S10YG产品/工艺变更通知（PCN）
7/22/2011
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| 产品勘误说明 - 英文 |
勘误表通知IEN03-02
Rev. 01
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| 数据手册 - 英文 |
IDT P9122: Two Channel Synchronous Step-Down Switcher with Integrated FET
2018/02/16
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品/工艺变更通知单（PCN）I0309-01
REV. 00
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| 产品勘误说明 - 英文 |
勘误表通知IEN03-04
Revision 5/21/2003
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| 数据手册 - 英文 |
4通道5Gbps PCIe®信号中继器
REV70511
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
I0307-05产品/工艺变更通知单（PCN）
8/15/2003
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| 产品勘误说明 - 英文 |
勘误表通知IDT79RC32T355
Revision 11/19/2002
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| 产品勘误说明 - 英文 |
勘误表通知IDT79RC32T355
Revision 4/30/2002
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| 产品勘误说明 - 英文 |
勘误表通知IDT79RC32T355
Revision 1/22/02
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| 产品勘误说明 - 英文 |
勘误表通知IDT79RC32T355
Revision 2/28/02
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| 产品勘误说明 - 英文 |
勘误表通知IDT79RC32T355
Revision 1/30/02
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| 技术文档 - 英文 |
第三代通用频率转换器
0214
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| 数据手册 - 英文 |
WP15WBD-RK双向数据传输评估套件P9221-R3和P9242-R3数据表用户手册
November 21, 2018
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品/工艺变更通知（PCN）I0303-03
REV. 00
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| 产品勘误说明 - 英文 |
勘误表通知IDT79RC32V332
Revision 3/20/02
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| 数据手册 - 英文 |
8V54816A 16端口，双向M-LVDS时钟交叉点交换机数据表
December 18, 2015
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品/工艺变更通知单
5/24/2004
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| 数据手册 - 英文 |
9DB833 PCIE GEN1–3八输出差分缓冲器产品介绍
MAY 25, 2018
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品/工艺变更通知单L0404-02
8/24/2004
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| 数据手册 - 英文 |
9DB1233 12 PCIe Gen3输出差分缓冲器产品介绍
Rev 00
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品/工艺变更通知单（PCN）A-0607-01
REV. 00
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| 技术文档 - 英文 |
8通道5Gbps PCIe®2.1信号中继器
REV90511
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
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应用/方案
IDT®热设备分析和设计注意事项应用说明80B8030\U AN002\U 03 2009年8月5日
本资料由IDT提供，主要针对半导体产品进行热分析和设计考虑。内容包括热运动、散热器标准、热管理、FCBGA热模型以及散热器的物理要求。资料详细讨论了热传导路径、热流、热管理策略、热模型方程以及散热器安装和接口材料的选择。
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使用IDT的集成VCXO产品IDT应用说明MAN05
本文介绍了IDT公司开发的集成电压控制晶体振荡器（VCXO）技术，该技术将VCXO功能集成到时钟合成器产品中。VCXO振荡器电路与外部晶振配合，允许输出时钟频率在100ppm范围内变化。文章详细讨论了晶振的选择、规格、封装和布局考虑因素，以及如何确定固定中心电容器的值。此外，还提供了关于温度稳定性、老化、等效串联电阻和绝对拉力范围等性能参数的详细信息。
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IDT时钟缓冲器提供超低的附加相位抖动从计算和多媒体部门的集成设备技术，公司的应用说明
本应用笔记介绍了IDT时钟缓冲器在数字消费和通信应用中的使用，重点在于其超低附加相噪特性。文中详细解释了测量附加相噪的理论，并总结了多个IDT时钟缓冲器的附加相噪结果。此外，还讨论了输入到输出传播延迟和输出到输出偏移等AC参数，并提供了针对零延迟缓冲器的应用笔记链接。测量结果显示，IDT时钟缓冲器在25MHz、100MHz和125MHz频率下的附加相噪极低，适用于各种系统设计。
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【产品】128K x8 高速CMOS静态RAM IDT71124，JEDEC引脚排列可降低噪声
IDT（Renesas收购）推出的IDT71124是一个128K x8的1,048,576位高速静态RAM。它采用高性能，高可靠性的CMOS技术来制造。这项最先进的技术与创新的电路设计技术相结合，为高速存储需求提供了一种经济高效的解决方案。 JEDEC中心电源/ GND引脚分配减少了噪声产生并提高了系统性能。
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零总线掉头（ZBT）SRAMS与延迟写SRAMS的应用比较
本文对比了零总线周转（ZBT）SRAM和晚写SRAM的性能差异。ZBT SRAM通过消除总线上的空闲周期，实现了100%的数据总线利用率，而晚写SRAM在读写交替时存在空闲周期，导致总线利用率降低。文章详细比较了两种SRAM的读写时序、时钟边沿使用和数据总线利用率等方面的差异。
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IDT 82V3391同步以太网WAN PLL
该资料介绍了IDT 82V3391同步以太网WAN锁相环（PLL）的特性和应用。该芯片是一款集成定时源，适用于Stratum 3、Stratum 4E、Stratum 4、SMC、EEC-Option 1和EEC-Option 2时钟。它支持宽带接入、SONET、SDH、同步以太网、光传输和无线系统的同步。IDT 82V3391具有低抖动输出、1PPS输入和输出选项、自动无中断切换等功能，适用于2G、3G和4G无线回程、运营商以太网传输、服务提供商核心和接入交换机等应用。
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EVAL\u SDK\u 4\u 1快速入门指南
本指南提供了IDT Evaluation Software Development Kit (EVAL_SDK_4_1)的基本使用指南。该开源软件可从my.IDT.com免费下载，提供C语言API和示例测试代码，适用于IDT所有基于sRIO的设备，包括70K2000预处理器交换机(PPS)、80KSW0001 PPS Gen 2、80KSW0002中央数据包交换机(CPS-16)、80KSW0003 (CPS-8)、80KSW0004 (CPS-12)和10G串行缓冲器(80KSBR201)。指南概述了软件分层、API接口，以及如何设置和运行示例测试的快速说明。软件环境为德州仪器的Code Composer Studio (CCS) 3.3、飞思卡尔的CodeWarrior版本5.7.0或更高版本。目标板可以是IDT的AMC70K2000、德州仪器的TMS320C6455 DSK或Mezzanine板、飞思卡尔的MSC8144 ADS板，或带有适当德州仪器/飞思卡尔DSP设备的定制板。CPS/PPS设备可能位于AMC70K2000、IDT的PPS/CPS评估载体（即“南瓜板”如EVC80KSW0002）或定制板上。EVAL_SDK还支持IDT的串行缓冲器子模块。本指南中提到的大多数硬件均可从IDT的合作伙伴Silicon Turnkey Express (STx)购买。有关IDT设备的其他文档，请访问my.IDT.com上的相关设备门户页面。如需其他支持，请直接联系技术支持。联系信息见文档末尾。
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如何在IDT PCI Express®交换机评估板上启用热插拔实现
本文档详细介绍了如何在IDT PCIe交换机的评估板上实现热插拔功能。内容包括热插拔环境的软件和硬件元素，如用户界面、热插拔服务、系统驱动程序和设备驱动程序，以及热插拔控制器、卡槽电源切换逻辑、卡复位逻辑等硬件组件。文档还提供了如何初始化I/O扩展器、配置EEPROM以及进行热插拔操作的具体步骤。此外，还讨论了热移除和热添加的流程，以及如何为下游桥接器分配资源。
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【产品】高速1K x 8双端口静态RAM 71V30S/L，可以用作独立的8位双端口SRAM
IDT（Renesas收购）推出的71V30S/71V30L是高速1K x 8双端口静态RAM，可以用作独立的8位双端口SRAM。该器件提供两个独立的端口，具有独立的控制功能，地址和I / O引脚，允许独立，异步地访问存储器中的任何位置。 由/CE控制的自动掉电功能允许每个端口的片上电路进入非常低的待机功耗模式。系列产品使用CMOS高性能技术制造, 通常仅以375mW的功率工作。
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【产品】65536位、8K×8高速静态RAM 7164S/7164L，采用COMS工艺制造
IDT(Renesas收购) 7164S/7164L是65536位、8K×8高速静态RAM。产品采用高性能、高可靠性的CMOS工艺制造。IDT7164S/7164L的地址访问时间最快可达20ns。同时其内部电路设计可以实现低功耗待机模式的切换。当引脚CS1为高电平或引脚CS2为低电平时，电路将自动进入并保持在低功耗待机模式。IDT7164L版本还可以使用2V电源实现电池备份保留数据的功能。
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【产品】采用CMOS高性能技术的高速64Kx8双端口静态RAM 7008，仅需750mW功率
IDT（Renesas收购）的7008是一款高速64K x 8双端口静态RAM。可用作独立的512K位双端口RAM或者16位及更高字节系统的主/从双端口RAM组合，可实现全速无差错操作，无需额外的离散逻辑。两个独立的端口分别具有独立的控制，地址和I / O引脚，允许对存储器中任何位置的读写进行独立的异步访问，允许每个端口的片上电路进入功耗非常低的待机模式。
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PCI Express®系统互连软件体系结构应用说明AN-531
本文档为IDT应用笔记AN-531，主要介绍了PCI Express系统互联的软件架构。内容包括PCI Express系统互联的硬件架构、软件架构分层、RP和EP的软件架构、地址翻译、数据传输等。文档详细描述了PCI Express系统互联的原理和实现方法，适用于对PCI Express系统互联感兴趣的读者。
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IDT®Tsi578串行RapidIO交换机用户手册
本手册详细介绍了IDT Tsi578 Serial RapidIO交换机的功能、特性和操作。内容包括功能概述、串行RapidIO接口、多播引擎、内部交换网络、I2C接口、性能、JTAG接口以及时钟、复位和上电选项等。手册旨在为用户提供全面的技术指导，确保正确使用和配置Tsi578交换机。
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sRIO热插拔应用说明-552
本应用笔记旨在为IDT的预处理交换机（PPS）和中央数据包交换机（CPS）系列交换机提供热插拔解决方案。PPS专为无线电信应用设计，而CPS是纯串行RapidIO（sRIO）交换机，适用于无线电信、IPTV基础设施和其他多处理器应用。笔记详细介绍了sRIO协议背景、热插拔挑战、IDT热插拔支持功能，包括软件辅助错误恢复寄存器和端口重置选项。此外，还提供了多种热插拔场景的解决方案，包括硬件重置和软件辅助错误恢复机制。
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【产品】CMOS静态RAM IDT71016，1Mbit （64Kx16bit）
IDT（Renesas收购）推出的IDT71016（71016S）是容量为1,048,576位的高速静态RAM，结构为64K x16。它采用高性能，高可靠性CMOS技术制造。 这是最先进的技术与创新的电路设计技术相结合，为满足高速存储需求提供了经济高效的解决方案。
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