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Low Skew 1 to 10 Clock Buffer 74FCT3807S DATA SHEET
发布时间: 2018-07-31
类型: 数据手册,规格书、Datasheet;PDF下载
品牌:
IDT(艾迪悌)
型号:
74FCT3807S; 74FCT3807SNDGI; 74FCT3807SNDGI8; 74FCT3807SPGGI; 74FCT3807SPGGI8; 74FCT3807SQGI; 74FCT3807SQGI8; 74FCT3807SPYGI; 74FCT3807SPYGI8
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加工定制
励知提供一阶至任意层互联全系列HDI板定制加工,核心工艺包括3mil/3mil精细线路、4mil激光微孔及1:1盲孔,支持化学沉金、OSP、金手指等十余种表面处理与多种阻焊颜色选择。
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励知可定制高达36层PCB,适用FR4、无卤、PI及Rogers等高频材料。具备3mil/3mil精细线路、8mil钻孔及16:1厚径比能力,提供化学沉金、镀硬金等超10种表面处理与7种阻焊颜色,并支持高频混压、背钻、埋阻容等特殊工艺。
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资料平台
数据手册 - 英文
低偏差1至10时钟缓冲器
REVISION A
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产品变更通知及停产信息 - 英文
A1809-02产品/工艺变更通知单(PCN)
December 26, 2018
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数据手册 - 英文
74FCT3807S Low Skew 1 to 10 Clock Buffer
REVISION A
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产品变更通知及停产信息 - 英文
A1808-01产品/工艺变更通知单(PCN)
REV. 01
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数据手册 - 英文
IDT74FCT3807/A 3.3V CMOS 1到10时钟驱动器数据表
OCTOBER 2014
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产品变更通知及停产信息 - 英文
产品/工艺变更通知单(PCN)PCN#:TB1503-01
July 22, 2015
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数据手册 - 英文
3.3V CMOS 1到10时钟驱动器
JULY 2006
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数据手册 - 英文
3.3V CMOS 1到10时钟驱动器
OCTOBER 2014
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产品变更通知及停产信息 - 英文
产品/工艺变更通知单(PCN)PCN#:TB1503-01(R1)
October 23, 2015
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数据手册 - 英文
3.3V CMOS1-TO-10 CLOCK DRIVER IDT74FCT3807/A
October 16, 2014
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产品变更通知及停产信息 - 英文
产品停产通知(PDN)PDN#:逻辑-00-08
5/22/00
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数据手册 - 英文
IDT70V9179L HIGH-SPEED 3.3V 32K x 9 SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM
FEBRUARY 2018
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产品变更通知及停产信息 - 英文
产品/工艺变更通知单(PCN)PCN#:TB0808-04
26-Oct-2008
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数据手册 - 英文
IDT70V9179L高速3.3V 32K x 9 SYNCHRONO US流水线双端口静态RAM数据表
FEBRUARY 2018
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产品变更通知及停产信息 - 英文
A1905-02产品/工艺变更通知(PCN)
11-Jun-2019
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数据手册 - 英文
IDT70V9189/79L高速3.3V 64/32K x 9同步流水线双端口静态RAM数据表
01/29/09
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产品变更通知及停产信息 - 英文
产品停产通知#CQ‐17‐04
August25,2017
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技术文档 - 英文
时钟分配概述
REVC
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数据手册 - 英文
IDT70V9389/289L HIGH-SPEED 3.3V 64K x18/x16 SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM
MARCH 2018
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产品变更通知及停产信息 - 英文
产品/工艺变更通知单(PCN)PCN#:L0203-09R2
8/16/2004
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技术文档 - 英文
扇形分叉缓冲器
REVA
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数据手册 - 英文
低偏差1到2时钟缓冲器
REVISION A
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产品变更通知及停产信息 - 英文
产品/工艺变更通知单(PCN)PCN#:L0203-09R1
May 29, 2003
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数据手册 - 英文
74FCT38072S低偏差1到2时钟缓冲区数据表
REV A
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产品变更通知及停产信息 - 英文
产品/工艺变更通知单
3/28/2005
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产品变更通知及停产信息 - 英文
产品/工艺变更通知单
May 29, 2003
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产品变更通知及停产信息 - 英文
产品/工艺变更通知单
8/16/2004
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产品变更通知及停产信息 - 英文
产品/工艺变更通知单
26-Oct-2008
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产品变更通知及停产信息 - 英文
产品/工艺变更通知单
2015/07/03
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产品变更通知及停产信息 - 英文
产品/工艺变更通知单
7/27/2005
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数据手册 - 英文
低偏差1至4时钟缓冲器74FCT38074S数据表
REVISION A
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技术论坛
以下IDT的1:4 LVCMOS缓冲器有什么区别:553S,551S,651S,621S和524S,74FCT38074S和5PB1104?
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应用/方案
IDT时钟缓冲器提供低附加相位抖动
本应用笔记介绍了IDT时钟缓冲器在数字消费和通信应用中的低附加相噪特性。详细解释了测量附加相噪的理论,并总结了IDT几种常用时钟缓冲器的附加相噪结果。强调了时钟信号完整性对同步系统的重要性,并指出设计者需优化布局、使用清洁电源和遵循推荐的去耦和终止方案。资料中提供了Agilent 5052A相噪分析仪的测试设置和SMA100A时钟发生器的相位噪声测量结果,以及IDT时钟缓冲器在不同频率下的附加相噪测量数据。
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IDT时钟缓冲器提供低附加相位抖动应用说明
本应用笔记介绍了IDT时钟缓冲器在数字消费和通信应用中的低附加相噪特性。详细解释了测量IDT时钟缓冲器附加相噪的理论,并总结了多个常用IDT时钟缓冲器的附加相噪结果。此外,还讨论了同步系统中时钟信号完整性的重要性,以及设计者如何通过优化布局、使用清洁电源和遵循推荐的去耦和终止方案来满足EMI和时序预算。资料中提供了IDT时钟缓冲器的相位噪声测量结果,并展示了其在不同频率下的低附加相噪性能。
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IDT时钟缓冲器提供低附加相位抖动AN-804应用说明
本文介绍了IDT时钟缓冲器在数字消费和通信应用中的低附加相噪特性。文章详细解释了测量IDT时钟缓冲器附加相噪的理论,并总结了多种IDT时钟缓冲器的附加相噪结果。此外,还讨论了输入到输出传播延迟和输出到输出偏移等缓冲器的其他AC参数。文章强调了时钟信号完整性在同步系统中的重要性,并指出设计者需要优化板级布局、使用清洁电源,并遵循推荐的去耦和终止方案。最后,文章提供了IDT时钟缓冲器在不同频率下的附加相噪测量数据,证实了IDT时钟缓冲器家族的超低附加相噪特性。
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【产品】高速CMOS八路总线收发器IDT74FCT621T/AT,输入输出漏电流不超过1µA
IDT(Renesas收购)推出IDT74FCT621T/IDT74FCT621AT八路总线收发器,在发送和接收方向上均具有与同相开漏总线兼容的输出。 B总线输出灌电流达64mA,从而提供非常出色的电容驱动特性。 系列八路总线收发器设计用于数据总线之间的异步双向通信。 器件控制功能的实现允许最大的时序灵活性。
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【产品】16位高速、低功耗寄存收发器74FCT16952T,输出偏斜小于250ps
IDT(Renesas收购)推出的74FCT16952T,是一种16位高速、低功耗寄存收发器。经过组织可用作两个独立的8位D型寄存收发器,具有独立的输入和输出控制,用于对任意方向的数据流进行独立控制。也可通过将独立收发器的控制引脚绑在一起来实现完全的16位操作。其输出缓冲器具有断电禁用功能,当用作背板驱动器时允许板的“热插入”。该产品的工作温度范围为-40℃至+85℃,符合工业级温度环境要求。
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【产品】采用先进的双金属CMOS技术构建的八通道收发器74FCT3245,STND和A两种速度可供选择
IDT(Renesas收购)推出的74FCT3245八通道收发器,采用先进的双金属CMOS技术构建。这些高速,低功耗收发器适合于两条总线(A和B)之间的异步通信。方向控制引脚(DIR)控制数据流的方向。输出使能引脚(OE)会覆盖方向控制并禁用两个端口。所有输入均具有迟滞设计,以改善噪声容限。
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IDT时钟缓冲器提供超低的附加相位抖动从计算和多媒体部门的集成设备技术,公司的应用说明
本应用笔记介绍了IDT时钟缓冲器在数字消费和通信应用中的使用,重点在于其超低附加相噪特性。文中详细解释了测量附加相噪的理论,并总结了多个IDT时钟缓冲器的附加相噪结果。此外,还讨论了输入到输出传播延迟和输出到输出偏移等AC参数,并提供了针对零延迟缓冲器的应用笔记链接。测量结果显示,IDT时钟缓冲器在25MHz、100MHz和125MHz频率下的附加相噪极低,适用于各种系统设计。
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来自计算机和多媒体部门的集成设备技术公司的申请说明
本应用笔记介绍了IDT时钟缓冲器在数字消费和通信应用中的性能,特别关注其超低附加相噪特性。内容涵盖了相噪测量的理论、测量设置、附加相噪的测量结果,以及不同IDT时钟缓冲器在不同频率和电压下的附加相噪(RMS)值。该笔记强调了IDT时钟缓冲器在保持时钟信号完整性和系统性能方面的优势。
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来自计算机和多媒体部门的集成设备技术公司的申请说明
本应用笔记介绍了IDT时钟缓冲器在数字消费和通信应用中的性能,重点阐述了其超低附加相噪特性。内容涵盖了附加相噪的测量理论、测量设置、以及IDT时钟缓冲器在不同频率和电压下的附加相噪测量结果。此外,还讨论了附加相噪对系统性能的影响,并强调了IDT时钟缓冲器在保持时钟信号完整性方面的优势。
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【产品】20位缓冲器74FCT163827,输入可以由3.3V或5V器件驱动
IDT(Renesas收购)推出的74FCT163827, 是一种20位缓冲器,为宽数据/地址路径或承载奇偶校验的总线提供高性能总线接口缓冲。74FCT163827具有串联限流电阻,从而减少了对外部串联终端电阻的需求。74FCT163827的输入可以由3.3V或5V器件驱动,从而可以在3.3V / 5V混合电源系统中用作转换器。该产品的工作温度为-40℃至+85℃。
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【产品】CMOS八进制缓冲器74FCT540T,A和C两种速度可供选择
IDT(Renesas收购)推出的74FCT540T八进制缓冲器/线路驱动器,功能与FCT240T相似,不同之处在于输入和输出位于封装的相对侧。这种管脚布置使这些设备可用作微处理器的输出端口和信号板驱动,从而简化了布局并提高了电路板密度。74FCT540T的工作温度范围为-40℃~+ 85℃,满足多种工业环境的温度要求,可应用于多种工业环境。
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【产品】CMOS同相八进制收发器74FCT543T,A和C两种速度可供选择
IDT(Renesas收购)推出的74FCT543T是一个同相八进制收发器,它包含两组8D锁存器,每组都有独立的输入和输出控制。74FCT543T工作温度范围为-40℃至+85℃。
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IDT的FourPort简介™ SRAM应用说明
本文介绍了IDT的FourPort™ SRAM技术,包括其架构、工作原理和应用。FourPort™ SRAM具有四个独立端口,可同时为多个处理器提供内存访问,适用于多处理器环境和数字信号处理应用。文章详细解释了SRAM的内部结构,包括单端口和双端口SRAM的原理,以及如何通过FourPort™ SRAM实现数据的多路复用和读写操作。此外,还讨论了如何将FourPort™ SRAM与不同类型的CPU(如Z80A、68000和R3000)进行接口连接,并提供了系统设计的一些想法,包括数字信号处理应用。
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IDT的FourPort简介™ SRAM应用说明
本文介绍了IDT的FourPort™ SRAM技术,包括其架构、工作原理和应用。FourPort™ SRAM具有四个独立端口,可同时为多个处理器提供数据访问,适用于多处理器环境和数字信号处理应用。文章详细解释了SRAM的内部结构,包括单端口和双端口SRAM的原理,以及如何通过FourPort™ SRAM实现数据的多路复用和读写操作。此外,还讨论了如何将FourPort™ SRAM与不同类型的CPU(如Z80A、68000和R3000)进行接口连接,并提供了系统设计的一些想法,特别是在数字信号处理领域的应用。
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使用IDT7024和IDT7025双端口静态RAM匹配系统总线宽度应用说明AN–59
本文介绍了使用IDT7024和IDT7025双端口静态RAM实现总线宽度匹配的三种设计方法。详细描述了32位总线与16位总线、32位总线与8位总线以及16位总线与8位总线的接口。文章还讨论了字节序(大端和小端)的保持,并提供了相关图示和表格。此外,还涉及了忙逻辑仲裁、中断逻辑和信号量仲裁等高级功能。
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使用IDT7024和IDT7025双端口静态RAM匹配系统总线宽度应用说明AN–59
本文介绍了使用IDT7024和IDT7025双端口静态RAM实现总线宽度匹配的三种设计方法。详细描述了32位总线与16位总线、32位总线与8位总线以及16位总线与8位总线的接口方式。文章还讨论了字节序(大端和小端)在总线匹配方案中的重要性,并提供了相关图示和表格。此外,还涉及了忙逻辑仲裁、中断逻辑和信号量仲裁等高级功能。
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使用IDT7024和IDT7025双端口静态RAM匹配系统总线宽度应用说明
本文介绍了使用IDT7024和IDT7025双端口静态RAM实现总线宽度匹配的三种设计方法。详细描述了32位总线与16位总线、32位总线与8位总线以及16位总线与8位总线的接口。文章还讨论了字节序(大端和小端)的保持,并提供了相关图示和表格。此外,还涉及了总线匹配方案、中断逻辑和信号量仲裁等高级功能。
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使用IDT7024和IDT7025双端口静态RAM匹配系统总线宽度应用说明
本文介绍了使用IDT7024和IDT7025双端口静态RAM实现总线宽度匹配的三种设计方法。详细描述了32位总线与16位总线、32位总线与8位总线以及16位总线与8位总线的接口方案。文章还讨论了字节序(大端和小端)在总线匹配方案中的重要性,并提供了相关图示和表格。此外,还涉及了忙逻辑仲裁、中断逻辑和信号量仲裁等高级功能。
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