White Paper –Tuning Qi® and AirFuel®/PMA® Inductive Resonance Circuits for Optimal Efficiency
发布时间：
2018-07-31
类型：
技术文档，技术说明、产品技术资料
品牌：
IDT（艾迪悌）
型号：
-
本白皮书深入探讨了无线充电系统中Qi和AirFuel/PMA感应谐振电路的调谐方法，旨在提升系统整体效率。资料详细阐述了无线充电的工作原理，涵盖了系统设计、线圈设计、控制器IC设计以及谐振电路调谐过程等核心技术环节。文章重点分析了如何通过优化线圈设计、精准选择合适的谐振电容以及进行严格的系统测试，来实现无线充电效率的最大化，为相关产品的研发与设计提供了重要的理论依据和技术指导。基于该方案，用户可通过世强硬创平台获取原厂授权的正品器件。针对文中所述技术，平台提供专职FAE团队支持选型、设计验证及调试，相关产品支持单件起订、在线下单、样品申请、批量询价，并覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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资料平台
| 技术文档 - 英文 |
白皮书-调整Qi®和AirFuel®/PMA®感应谐振电路以获得最佳效率
May 10, 2017
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IDTF1358
Rev O
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ZLED7x20 High Current 40V LED Driver with Internal Switch
April 20, 2016
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IDT71V2546S/XS 128K x 36 3.3V Synchronous ZBT™ SRAM 2.5V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs
04/11/11
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XFP236156.250000I 156.250000MHz晶体振荡器数据表附录
December 6, 2018
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HXR5112A 12通道14Gb/s接收机简表
February 22, 2018
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IDT72401 IDT72403 CMOS PARALLEL FIFO 64 x 4
JUNE 2012
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9DMU0431 2:4 1.5V PCIe Gen1-2-3时钟多路复用器产品介绍
REVISION A
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IDT72V8981 3.3 VOLT TIME SLOT INTERCHANGE DIGITAL SWITCH 128 x 128
AUGUST 2003
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ProXO XF Family Evaluation Board User Manual
March 12, 2019
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9DBV0431 4-输出1.8V PCIe Gen1-2-3零延迟/扇出缓冲器（ZDB/FOB）数据表
REVISION E
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9ZX21200用于PCIE GE N3和QPI的12输出差分Z缓冲区产品介绍
REV D
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IDT72V295 IDT72V2105 3.3 VOLT HIGH DENSITY CMOS SUPERSYNC FIFO™ 131,072x18 262,144x18
MARCH 2018
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9DBU0531 5输出1.5V PCIe Gen1-2-3扇出缓冲区数据表
Rev.F
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ICS843021I Femtock®Crystal-to-3.3V LVPECLOCK发生器数据表
REVISION A
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IDT72V201, IDT72V211 256 x 9, 512 x 9, IDT72V221, IDT72V231 1,024 x 9, 2,048 x 9, IDT72V241, IDT72V251 4,096 x 9 and 8,192 x 9 3.3 VOLT CMOS SyncFIFO™
MARCH 2018
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843003I-01 FemtoClock®Crystal-to-3.3V LVPECL频率合成器数据表
REVISION A
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MK74CB218 DUAL 1 TO 8 BUFFALO™ CLOCK DRIVER
REV K
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
BR784H1，PSC-4349-01 784，FCBGA封装外形图
Rev 00
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ICS854S54I双2:1和1:2差分到LVDS多路复用器数据表
REVISION A
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IDTQS3390 QUICKSWITCH® PRODUCTS HIGH-SPEED CMOS QUICKSWITCH 16:8 MULTIPLEXER
OCTOBER 2014
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ICS613 LOW PHASE NOISE CLOCK MULTIPLIER
REV F
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5P49V5944可编程时钟发生器数据表
JULY 10,2019
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7052S/L HIGH-SPEED 2K x 8 FourPort™ STATIC RAM
JULY 2019
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IDT74FCT38074 3.3V CMOS 1-TO-4 CLOCK DRIVER
MAY 2010
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
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应用/方案
晶体负载曲线
本文详细介绍了平行谐振晶体的负载曲线和调谐曲线，这些曲线对设计频率准确性和稳定性有直接影响。负载曲线描述了晶体并联谐振频率与外部电路电容的关系，调谐曲线则是负载曲线的倒数。文章还讨论了晶体的并联谐振模式建模，包括电感和电容等元件的物理意义。此外，还推导了基于灵敏度的负载和调谐曲线，并通过实验验证了负载曲线的准确性。
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AN-831晶体负载曲线应用说明
本文详细介绍了平行谐振晶体的负载曲线和调谐曲线，这些曲线对设计频率准确性和稳定性有直接影响。首先，负载曲线描述了晶体并联谐振频率与外部电路电容的关系，而调谐曲线则是负载曲线的倒数，用于确定振荡器的频率。文章还讨论了晶体的并联谐振模式建模，包括电感和电容等电学元件与晶体机械特性的关系。此外，文章推导了基于灵敏度的负载和调谐曲线，并通过实验验证了负载曲线的准确性。最后，文章强调了精确调谐曲线在晶体振荡器设计中的应用，以及如何消除设计中的常见错误。
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晶体负载曲线应用说明
本文介绍了平行谐振晶体的负载曲线和调谐曲线，这些曲线对设计频率准确性和稳定性有直接影响。负载曲线描述了晶体并联谐振频率与外部电路电容的关系，调谐曲线则是负载曲线的倒数。文章还讨论了晶体的并联谐振模式建模，包括电感和电容等电学元件与晶体机械特性的关系。此外，文章还推导了基于灵敏度的负载和调谐曲线，并进行了实验验证，证明了模型与实验数据的良好一致性。
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晶体负载曲线应用说明
本文详细介绍了平行谐振晶体的负载曲线和调谐曲线，这两个曲线对设计频率准确性和稳定性有直接影响。负载曲线描述了晶体并联谐振频率与外部电路电容的关系，调谐曲线则是负载曲线的倒数，用于确定振荡器的频率。文章还讨论了晶体的并联谐振模式建模，包括电感和电容等电学元件与晶体机械特性的关系。此外，文章还推导了基于灵敏度的负载和调谐曲线，并通过实验验证了负载曲线的准确性。
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什么是阻抗？交流电路分析与设计基础
本文深入解析交流电路中阻抗的基本概念、复数表示及频率依赖性，涵盖电阻、电感、电容的阻抗特性与谐振原理。详细阐述阻抗的串并联计算法则、戴维南等效电路简化方法，以及阻抗匹配在信号传输中的应用，最后介绍阻抗测量与故障排除技巧。
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Tsi350™ PCI到PCI桥用户手册
本资料为Tsi350™ PCI-to-PCI Bridge用户手册，主要内容包括Tsi350的功能概述、PCI接口、地址解码、事务排序、错误处理、独占访问、PCI总线仲裁、通用I/O、时钟、PCI电源管理、复位、JTAG模块、信号和引脚分配、电气特性、寄存器以及封装信息。手册详细介绍了Tsi350的架构、数据路径、事务类型、地址解码、事务排序、错误处理机制、独占访问控制、PCI总线仲裁过程、通用I/O功能、时钟管理、电源管理、复位机制、JTAG调试接口、信号定义、电气参数、寄存器配置和封装规格。
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82P33731/33831评估板用户指南
本资料介绍了82P33731/33831评估板的用户指南，包括板的概述、组件、电源设置、输入输出连接器、软件配置和使用方法。资料详细描述了如何通过Timing Commander软件配置和编程板以生成标准频率，以及如何连接板到PC和电源。此外，还提供了板上晶振的安装、默认频率输出、与TimingCommand软件的配置步骤以及如何查看状态信息。
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关于核心元件电感器的作用
文章详细介绍了电感在电子电路中的主要作用，包括滤波、储能、耦合、谐振、限流和抗干扰等方面，并列举了其在开关电源、音频电路、无线通信、汽车点火系统等领域的应用。
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常见晶振电路图:并联电路和串联电路
文章介绍了最常见的两种晶振电路形式：并联电路和串联电路。并联电路将晶振作为电感元件使用，原理类似LC振荡器；串联电路将晶振作为短路元件，工作在串联谐振频率上，通过正反馈满足起振条件。
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陶瓷芯片绕线电感器
该资料详细介绍了CWC2012系列陶瓷芯片绕线电感器的产品特性、电气参数、尺寸推荐和封装信息。电感器具有高Q值、高自然频率，适用于信号线路滤波，广泛应用于通信设备、无线网络等高频电路。资料中提供了不同型号的电感器参数，包括电感值、Q值、DCR、额定电流和自谐振频率等，并附有尺寸推荐和识别图。
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9ZXL1951D PCIe时钟发生器评估板用户指南
本资料为9ZXL1951D PCIe时钟发生器评估板用户指南，详细介绍了评估板的设置和连接方式，以及配套GUI软件的安装和使用。评估板通过SMBus接口可编程，具有USB到SMBus接口。指南中包含了评估板的概述、引脚功能、电源供应、连接方式、GUI软件安装和操作步骤等内容。
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捷配分享四层PCB振荡器电路设计是如何进行的？
在现代电子系统设计中，四层PCB振荡器电路的稳定性与可靠性直接影响设备性能。石英晶体的压电效应是其构成振荡电路的核心物理基础 晶体等效电路由动态电感Lm（约14.7mH）、动态电容Cm（约0.027pF）和串联电阻Rm（约8Ω）组成，并联的静态电容Co（约5.57pF）构成完整的谐振系统。在四层PCB设计中，需特别注意晶振工作在并联谐振区（Fp）时呈现的电感特性，通过负载电容CL的精确调整使实际
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Boost 电路中，选择电感需要考虑以下几个关键方面
本文介绍了在Boost电路中选择电感时需要考虑的关键电气参数，包括电感值、额定电流、饱和电流、直流电阻（DCR）、自谐振频率（SRF）和品质因数（Q值）。同时讨论了电感的物理特性如尺寸、磁芯材料和绕组参数，以及成本、温度特性等其他因素。
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晶体（Crystal Unit）的规格和特性
晶体的重要的电气参数包括谐振频率、谐振模式、负载电容、等效电阻、静态电容、动态电感和电容、工作温度和驱动功率。本文，我们将详细解析每个关键性参数。
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8A3xxxx 48QFN EVK用户手册
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IDT®89HPES64H16G2 PCI Express®交换机用户手册
本手册详细介绍了IDT公司生产的89HPES64H16G2 PCI Express Switch的硬件和软件信息。该产品属于IDT的PRECISE系列，提供下一代I/O互连标准。手册内容涵盖设备概述、架构概述、交换核心、时钟、复位和初始化、交换分区、链路操作、SerDes、操作理论、热插拔和热插拔功能、电源管理、通用I/O、SMBus接口、多播、寄存器组织、PCI到PCI桥和专有端口特定寄存器、交换控制和管理状态寄存器、JTAG边界扫描等。
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ZSSC3018 QFN24包装规格技术简介
本资料详细介绍了ZSSC3018传感器信号调节器IC的QFN24封装规格。内容包括封装尺寸、引脚分配和布局、焊盘和着陆图案、热阻值、封装标记和板级连接。资料还提供了相关文档、术语表和文档修订历史。
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汽车应用的布局和电磁干扰建议应用说明
本文档为IDT公司发布的《汽车应用中的布局和EMI推荐》应用笔记，主要针对IDT时钟发生器的布局推荐，旨在降低电磁干扰（EMI）。文档详细讨论了汽车应用中EMI的来源、传播途径以及降低EMI的方法，包括时钟和数据路径的布局设计、电源供应的滤波和去耦等。此外，还介绍了IDT时钟器件的降低EMI特性，如频谱调制、可编程边沿速率等。
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ZBT公司sram：系统设计问题和总线计时应用说明
本文探讨了Zero Bus Turnaround (ZBT) SRAM的系统设计问题和总线时序。ZBT架构允许设计师在数据总线周期中实现100%的利用率，但同时也带来了总线争用的问题。文章详细解释了总线争用的概念、相关影响以及如何通过时钟偏斜、电感和电容等因素来减少总线争用的影响。此外，还讨论了数据手册规格、系统效应以及总线争用对系统可靠性的影响。
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国产晶振的特点介绍
在国产晶振中，将晶体适当切割并安装在两块金属板之间的石英晶体等效电路显示出一个串联的RLC电路，它表示晶体的机械振动，并与一个电容Cp并联，它表示与晶体的电气连接，石英国产晶振趋向于它们的“串联谐振”。晶体的等效阻抗具有串联谐振，其中Cs与电感Ls在晶体工作频率处发生共振。
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LLC电路的基本原理、优缺点及通过巨霖的PowerExpert软件的搭建方法
LLC 电路是由2个电感和1个电容构成的谐振电路，故称之为 LLC。其拓扑结构根据 MOS 管的配列可以分为半桥或全桥类型。本文我们通过巨霖的 PowerExpert 软件搭建一个全桥 LLC 电路。
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半桥LLC空载电压尖峰的电路设计改善方案
本文分析半桥LLC在空载时下管电压尖峰问题，指出因下管导通时谐振电感电流无法反向及体二极管反向恢复导致瞬时直通，引发电压尖峰。通过选用小漏源电容、恢复特性好的功率管，并缩短死区时间（如从190nS减至120nS），可显著降低电压尖峰，改善非ZVS状态下的电压应力。
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微带线与带状线：串扰和均方根相位抖动应用说明
本文探讨了在PCB设计中使用不同传输线结构（微带和 stripline）以最小化串扰的影响。随着数据速率和相位噪声要求的提高，PCB上的电磁干扰（EMI）变得更加显著。文章比较了微带和 stripline 的结构、制造难度、成本和隔离性能，并通过实验评估了两种结构在特定条件下的串扰和均方根相位抖动。实验结果表明，stripline 在减少串扰和提高均方根相位抖动方面优于微带。
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无线电源LDO技术说明
本资料主要探讨了无线充电接收器IC输出端的低 dropout (LDO) 级联电池充电器时，LDO级联的行为表现。资料详细分析了CD操作频率和输出电容对电压调节器电压降的影响，并通过仿真结果进行了说明。此外，还讨论了LDO拓扑结构、环路图、噪声效应对调节的影响，以及设计建议和常见问题解答。
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