Crystal - High Drive Level AN-801 APPLICATION NOTE
发布时间：
2018-07-31
类型：
应用笔记或设计指南，设计参考、应用指南
品牌：
IDT（艾迪悌）
型号：
-
该应用笔记深入探讨了高驱动水平晶振的关键参数、测量方法及设计注意事项。随着石英晶体技术的进步，晶体封装及内部晶片尺寸不断减小，虽然减少了石英材料用量，但也导致驱动能力下降，因此制造商相应降低了驱动水平规格。文章详细阐述了驱动水平对晶体振荡器性能的具体影响，并介绍了通过测量激励电流来计算驱动水平的技术手段。此外，资料结合IDT时钟合成器IC与外部晶振的实际案例，演示了如何检查晶振驱动水平与振荡器提供电流的兼容性，为电路设计提供了重要参考。基于该方案，用户可通过世强硬创平台获取原厂授权的正品器件，相关产品支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，并覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求。针对文中所述技术，平台提供专职FAE团队支持，协助用户进行选型、设计验证及调试，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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IDT-XO-HCSL晶体振荡器
JUNE 20, 2017
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IDT-XO-HCSL晶体振荡器
JUNE 20, 2017
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IDT-XO-LVDS晶体振荡器
JUNE 20, 2017
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IDT-XO-LVDS晶体振荡器
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IDT-XO-LVPECL晶体振荡器
JUNE 20, 2017
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IDT-XO-LVPECL晶体振荡器
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IDT-XO-HCMOS晶体振荡器
JUNE 20, 2017
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IDT-XO-HCMOS晶体振荡器
JUNE 20, 2017
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844001个飞秒锁™ 晶体到LVDS时钟发生器数据表
Rev A
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844001I FemtoClock®晶体到LVDS时钟发生器数据表
REVISION A
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低倾斜，1到6，晶体到LVDS扇形输出缓冲区
REVISION A
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845252 FemtoClock®晶体到CML时钟发生器数据表
Revision B
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FemtoClock®NG晶体到HCSL时钟发生器数据表841654
REVISION A
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278-24.8832-3电阻焊SMD晶体数据表
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FemtoClock®NG晶体到HCSL841604时钟发生器数据表
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晶体或差分到差分时钟扇形输出缓冲器
December 17, 2015
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晶体或差分到差分时钟扇形输出缓冲器
May 19, 2016
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278-25-336电阻焊SMD晶体数据表
REVISION B
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高性能晶体振荡器系列
REVB
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晶体到LVCMOS/LVTTL频率合成器数据表840S07I
Revision A
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飞秒锁™ 晶体到LVCMOS/LVTTL频率合成器
REVISION C
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晶体到LVCMOS/LVTTL频率合成器数据表840S05I
Revision A
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世强AI
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应用/方案
晶体-高驱动电平
本文讨论了高驱动水平晶振的关键参数、测量和注意事项。随着石英晶体技术的进步，晶体尺寸减小，导致驱动能力降低。文章分析了驱动水平对晶体振荡器性能的影响，并介绍了如何通过测量激励电流来计算驱动水平。此外，文章还提供了使用网络分析仪进行驱动水平依赖性分析的方法，并举例说明了如何确保晶振与振荡器兼容。
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晶体-高驱动电平
本文探讨了高驱动水平晶振的关键参数、测量和注意事项。随着石英晶体技术的进步，晶体封装和内部晶体空白尺寸不断减小，导致驱动能力降低。这种降低的驱动水平引发了晶振制造商和硅电路设计师之间的兴趣差异。设计师希望在高驱动水平下运行晶体振荡器以获得最佳相位噪声性能，而晶振制造商则通过减小空白尺寸来减少石英材料的使用。文章还介绍了如何通过测量激励电流来计算晶振的驱动水平，并讨论了驱动水平对晶体运动电阻、谐振频率和相位噪声的影响。此外，还提供了一个使用网络分析仪进行驱动水平分析的示例，并讨论了如何确保晶振驱动水平与IDT时钟合成器IC提供的电流兼容。
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晶体负载曲线
本文详细介绍了平行谐振晶体的负载曲线和调谐曲线，这些曲线对设计频率准确性和稳定性有直接影响。负载曲线描述了晶体并联谐振频率与外部电路电容的关系，调谐曲线则是负载曲线的倒数。文章还讨论了晶体的并联谐振模式建模，包括电感和电容等元件的物理意义。此外，还推导了基于灵敏度的负载和调谐曲线，并通过实验验证了负载曲线的准确性。
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晶体测量振荡器负电阻
本文介绍了如何测量振荡器电路中的负阻特性。通过在晶振单元的热端添加电阻，观察是否能够振荡来评估负阻特性。测量步骤包括计算晶振参数、调整负载电容、连接串联电阻并观察振荡情况。最后，通过计算串联电阻和晶振的动阻来确定负阻值。
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AN-831晶体负载曲线应用说明
本文详细介绍了平行谐振晶体的负载曲线和调谐曲线，这些曲线对设计频率准确性和稳定性有直接影响。首先，负载曲线描述了晶体并联谐振频率与外部电路电容的关系，而调谐曲线则是负载曲线的倒数，用于确定振荡器的频率。文章还讨论了晶体的并联谐振模式建模，包括电感和电容等电学元件与晶体机械特性的关系。此外，文章推导了基于灵敏度的负载和调谐曲线，并通过实验验证了负载曲线的准确性。最后，文章强调了精确调谐曲线在晶体振荡器设计中的应用，以及如何消除设计中的常见错误。
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IDT基于VCXO的同步锁相环的推荐晶体
本应用笔记提供了选择与IDT同步WAN-PLL系列低抖动、基于VCXO的APLL协同工作的合适晶振（XTAL）的基本指南。列出了推荐的XTAL供应商和零件编号，并按适用行业标准进行分类。详细介绍了VCXO的概述和定义，包括晶振、IC振荡器、晶振与IC振荡器之间的杂散布线电容以及可选的离散调谐电容。讨论了关键晶振参数，如频率容差、频率稳定性、老化、保持和拉力。还提供了XTAL布局的考虑因素和推荐的晶振布局示例。最后，根据适用行业标准，分类了推荐的晶振供应商和零件编号。
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IDT基于VCXO的同步锁相环的推荐晶体
本文档为IDT同步WAN-PLLs™系列低抖动、基于VCXO的APLLs选择合适的晶振（XTAL）提供了基本指南。内容包括VCXO概述、关键晶振参数、VCXO电容要求、VCXO对应用APR的容限、XTAL布局考虑因素以及推荐的晶振供应商和型号。
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VCXO晶体选择
本文介绍了选择合适的晶体对于电压控制晶体振荡器（VCXO）的重要性。文章详细阐述了晶体参数如何影响VCXO的调谐范围和精度，并提供了计算调谐范围的公式。此外，文章还讨论了晶体参数的计算示例，包括低变容电容、高变容电容、负载调谐电容和杂散电容等。最后，文章推荐了一些VCXO设备制造商，并提供了联系信息。
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批准的VCXO晶体
本资料为IDT公司发布的关于批准使用的VCXO晶振的清单。资料中详细列出了适用于IDT VCXO产品的SMD、UM1和HC49U晶振的制造商、频率、负载电容、温度范围和制造商零件编号。此外，还包括了制造商的联系方式和产品规格。
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晶体负载曲线应用说明
本文介绍了平行谐振晶体的负载曲线和调谐曲线，这些曲线对设计频率准确性和稳定性有直接影响。负载曲线描述了晶体并联谐振频率与外部电路电容的关系，调谐曲线则是负载曲线的倒数。文章还讨论了晶体的并联谐振模式建模，包括电感和电容等电学元件与晶体机械特性的关系。此外，文章还推导了基于灵敏度的负载和调谐曲线，并进行了实验验证，证明了模型与实验数据的良好一致性。
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晶体负载曲线应用说明
本文详细介绍了平行谐振晶体的负载曲线和调谐曲线，这两个曲线对设计频率准确性和稳定性有直接影响。负载曲线描述了晶体并联谐振频率与外部电路电容的关系，调谐曲线则是负载曲线的倒数，用于确定振荡器的频率。文章还讨论了晶体的并联谐振模式建模，包括电感和电容等电学元件与晶体机械特性的关系。此外，文章还推导了基于灵敏度的负载和调谐曲线，并通过实验验证了负载曲线的准确性。
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晶体选择应用说明
本文介绍了电压控制晶体振荡器（VCXO）中晶体选择的重要性，包括晶体参数对VCXO调谐范围和准确性的影响。文章详细阐述了晶体参数的计算方法，并通过实例说明了如何使用这些参数来计算VCXO的调谐范围。此外，还讨论了晶体选择对频率容忍度、温度稳定性和老化等因素的影响。
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晶体选择应用说明
本文介绍了电压控制晶体振荡器（VCXO）中晶体选择的重要性，包括晶体参数对VCXO调谐范围和准确性的影响。文章详细阐述了晶体参数的计算方法，并通过实例说明了如何使用这些参数来计算VCXO的调谐范围。此外，还讨论了晶体选择对频率容忍度、温度稳定性和老化等因素的影响。
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可拉晶体选择与VCXO调谐
本文介绍了可拉晶体的选择和VCXO调谐的步骤。首先，通过负载曲线选择晶体，确保与VCXO振荡器配合后具有足够的拉范围。其次，在实验室中，通过最小化调谐电容器迭代次数，直接调整VCXO的中心频率。文章详细解释了如何使用负载曲线来调整VCXO，并提供了计算公式和示例。
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晶体-高驱动电平应用说明
本文探讨了高驱动水平晶振的关键参数、测量和注意事项。随着石英晶体技术的进步，晶体封装和内部晶体空白尺寸不断减小，导致驱动能力降低。晶体制造商和硅电路设计师对驱动水平有不同的关注点。文章介绍了如何通过测量激励电流来计算晶振的驱动水平，并讨论了驱动水平对晶振的动态电阻、谐振频率和相位噪声的影响。此外，还介绍了如何使用网络分析仪进行驱动水平依赖性分析，并提供了实际应用案例。
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晶体-高驱动电平应用说明
本文讨论了高驱动水平晶振的关键参数、测量和注意事项。随着石英晶体技术的进步，晶体尺寸减小，导致驱动能力降低。文章分析了驱动水平对晶体振荡器性能的影响，并介绍了如何通过测量激励电流来计算驱动水平。此外，文章还提供了使用网络分析仪进行驱动水平分析的示例，并讨论了晶振驱动水平与功率消耗的关系。
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VCXO-晶体选择AN-848应用说明
本文介绍了选择合适的晶体对于电压控制晶体振荡器（VCXO）的重要性。文章详细阐述了晶体参数如何影响VCXO的调谐范围和精度，并提供了计算调谐范围的公式示例。此外，文章还讨论了晶体参数的典型值和计算方法，以及如何根据应用需求选择合适的晶体。
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石英晶体驱动器AN-830级应用说明
本文介绍了石英晶体驱动电平的概念、测量方法和计算公式。驱动电平是指晶体中消耗的功率，通常以微瓦或毫瓦为单位。测量驱动电平的方法包括使用电流探头和FET探头。文章提供了使用电流探头测量驱动电平的方程和示例。此外，还讨论了驱动电平对晶体寿命和性能的影响，并强调了在设计或评估振荡器电路时考虑驱动电平的重要性。
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批准的VCXO晶体应用说明
本资料介绍了IDT公司批准用于其VCXO部件的晶振。资料列出了不同频率、负载电容和温度范围的SMD、UM1和HC49U晶振的制造商和型号。还包括制造商的联系方式和部分晶振的详细规格。
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批准的VCXO晶体应用说明
本资料为IDT公司发布的关于批准使用的VCXO晶振的清单。内容包括不同频率、负载电容、温度范围和制造商的晶振型号。资料还提供了晶振制造商的联系方式，以及表面贴装、UM1和HC49U类型晶振的具体参数和制造商信息。
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批准的VCXO晶体应用说明
本资料为IDT公司发布的关于批准使用的VCXO晶振的清单。资料详细列出了适用于IDT VCXO产品的SMD、UM1和HC49U晶振的制造商、频率、负载电容、温度范围和制造商零件编号。资料还提供了制造商的联系方式和产品规格。
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VersaClock系列概述
IDT的VersaClock系列提供超过20款可编程时钟发生器，支持多种输出类型和电压范围。该系列具备低功耗、灵活性和高性能特点，适用于多种应用，如计算、消费、通信和工业领域。VersaClock产品支持即时I2C配置，并可通过Timing Commander软件进行编程和监控。
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设计提示：IDT PCIe®Gen2交换机中的时钟体系结构
本文介绍了IDT PCIe Gen2交换机的时钟架构。内容包括全球参考时钟输入、端口参考时钟输入、全局时钟锁相环（PLL）的设计，以及时钟信号的调制和频率选择。此外，还讨论了时钟信号的电气规格、散布频谱时钟（SSC）的应用和EMI的降低。
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IDT计时钟产品的晶体计时预算与精度
本应用笔记提供了选择合适石英晶体的基本指南，以满足设计的时序预算。它描述了影响石英晶体和振荡器组合总系统时序误差的五个参数，并举例说明了如何计算IDT时序设备的最大整体时序误差。这些参数包括频率容差、频率稳定性、老化、负载电容和振荡器精度。此外，还提供了计算时序预算的示例，并推荐了相关制造商。
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石英晶体驱动器级应用说明
本文介绍了石英晶振驱动电平的概念、测量方法以及计算公式。驱动电平是指晶振中消耗的功率，通常以微瓦或毫瓦为单位。测量驱动电平可以通过测量通过晶振的激励电流来实现。文章还提供了使用电流探头测量驱动电平的具体方法和示例计算。
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石英晶体驱动器级应用说明
本文介绍了石英晶体驱动电平的概念、测量方法以及计算公式。驱动电平是指晶体中消耗的功率，通常以微瓦或毫瓦为单位。测量驱动电平可以通过测量通过晶体的激励电流来实现。文章还提供了使用电流探头测量驱动电平的方程和示例。
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