MED427-A1 High Voltage Half Bridge DATASHEET
发布时间：
2018-07-31
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
MICROSEMI（美高森美）
型号：
MED427-A1; LX1801; LX1802; 0201; 0805N450J102NT; 0603; MSAGA11F120D; MD427
加工定制
豪帮高科拥有25年经验，具备36000平智能工厂与16条SMT/DIP产线。掌握高精度贴装（±30μm）、“三阶缓冲焊接”等核心技术，通过IATF16949认证，为汽车电子等领域提供高可靠PCBA解决方案，出厂合格率100%。
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可定制均温板VC最薄0.4mm，有效导热系数超5,000 W / m·K（纯铜(401 W/m·K ，石墨烯1,200 W/m·K）。工作温度范围同时满足低于-250℃和高于2000℃的应用，定制最低要求，项目年采购额大于10万人民币，或采购台套数大于2000套。
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资料平台
| 数据手册 - 英文 |
MED427A-1目标数据表插头
Rev. 0.2b
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| 技术文档 - 英文 |
PD69100\U TN\U 201 PoE LED流
Rev 0.1
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| 数据手册 - 英文 |
SMBus到模拟和数字系统接口LX1801
Rev. 1.1
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MSAGA11F120D Fast IGBT Die for Implantable Cardio Defibrillator Application
2/5/99
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| 数据手册 - 英文 |
MED427高压半桥目标数据手册
Rev. 0.1a
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| 数据手册 - 英文 |
MSAGX75L60A 600 Volts 75 Amps 1.8 Volts vce(sat) N-CHANNEL INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
2018/01/11
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| 数据手册 - 英文 |
带线性调节器的电荷泵倍频器LX1882
Rev. 1.0e
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| 数据手册 - 英文 |
MSAGZ52F120A MSAHZ52F120A 1200 Volts 52 Amps 3.2 Volts vce(sat) N-CHANNEL INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
2018/01/11
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| 数据手册 - 英文 |
热电制冷器驱动控制器IC LX1810
Rev. 1.0a
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| 数据手册 - 英文 |
MSAGX75F60A 600 Volts 75 Amps 2.7 Volts vce(sat) N-CHANNEL INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
2018/01/11
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| 数据手册 - 英文 |
SMBus到模拟接口LX1800
Rev. 1.0
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| 数据手册 - 英文 |
MSAGX60F60A MSAHX60F60A 600 Volts 60 Amps 2.9 Volts vce(sat) N-CHANNEL INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
2018/01/11
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| 数据手册 - 英文 |
PD63000ACG-0603 96端口PoE MCU
September 2007
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| 数据手册 - 英文 |
多灯CCFL控制器LX1688
Rev. 1.2
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| 数据手册 - 英文 |
快速恢复、高功率、微型高压整流器MC5610至MC5619
Rev.1
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| 开发环境(软件/固件) - 英文 |
CoreQSGMII
Revision 1.0
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| 测试报告 - 英文 |
电离总剂量试验报告：无22T-RT4G150-CQ352-K7HWA
Rev. 0
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| 测试报告 - 英文 |
电离总剂量试验报告：无21T-RT4G150-LG1657-K7KAS
Rev. 0
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| 测试报告 - 英文 |
电离总剂量试验报告：无21T-RTAX2000S-CQ352-DJ57T1
Rev. 0
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| 测试报告 - 英文 |
电离总剂量试验报告：无21T-RTAX2000S-CQ352-DJ26Y1
Rev. 0
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| 测试报告 - 英文 |
电离总剂量试验报告：无21T-RTAX2000S-CQ352-DHK3S1
Rev. 0
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| 测试报告 - 英文 |
20T-RTAX2000S-CQ352-DH7FH1电离总剂量测试报告
Rev. 0
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世强AI
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应用/方案
LX1811评估工具包用户指南
本资料为Microsemi公司LX1811评估板的用户指南，旨在评估LX1811温度控制器驱动器的性能。指南详细介绍了评估板的电气连接、电源、热敏电阻连接、TEC连接以及监测功能。此外，还包括了应用电路图、元器件清单、布局图和典型环路响应曲线。
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LX1800 SMBus到模拟接口
本资料为Microsemi公司LX1800 SMBus至模拟接口评估板的用户指南。指南详细介绍了LX1800评估板的功能、性能和应用，包括其宽工作电压范围、8位ADC和DAC集成、SMBus兼容性、可选外部参考、可编程地址等特性。资料还提供了评估板的原理图、PCB布局、典型测试连接图和物料清单，用于评估和测试LX1800的性能。
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LXE1721 AUDIOMAX评估工具包用户指南
本资料为LXE1721音频放大器评估板的用户指南。指南详细介绍了评估板的设置和使用方法，包括电源连接、扬声器连接、音频输入连接、SLEEP/MUTE连接以及预放输出连接。此外，还提供了评估板的原理图、材料清单、组件布局图和绝对最大额定值等信息。
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LX1722单声道放大器评估工具包用户指南
本资料为Microsemi公司生产的LX1722MONO单声道放大器评估套件的用户指南。指南详细介绍了LX1722MONO评估板的快速启动、电路设计、元件清单、性能图表等内容。该评估板采用LX1722集成电路，支持高达60W的连续输出功率，适用于4欧姆负载。指南还包括了电源、扬声器、音频输入和睡眠/静音功能的连接说明。
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AUDIOMAX 5.1通道DVD D类放大器评估板用户指南
本资料为AUDIOMAX 5.1通道DVD Class-D放大器评估板用户指南。指南详细介绍了评估板的设置、系统规格、电路图、物料清单、音频测量等内容。评估板支持环绕声应用，连接单电源、6个扬声器和音频源即可开始评估。指南提供了详细的连接说明、电路图和性能参数，适用于音响系统设计和评估。
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重磅新品！南芯科技推出700V高压GaN半桥功率芯片 SC3610，为工业电源提供更高效可靠的解决方案
南芯科技推出700V高压GaN半桥功率芯片SC3610，集成高压半桥隔离驱动和两颗700V增强型GaN FET，适用于高频软开关电路应用如LLC、AHB拓扑，为AI服务器电源、大功率工业电源、电机驱动等提供高效可靠解决方案。
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数明推出600V/4A半桥门极驱动SiLM228x系列，直击高压高功率应用痛点，赋能工业与新能源
传统门极驱动方案长期面临三大技术瓶颈：在高压环境下，抗干扰能力薄弱易引发误触发；驱动效率低下导致系统发热与能效损耗；高边MOSFET/IGBT驱动设计复杂，推高了研发与制造成本。针对这些行业痛点，数明半导体推出新一代600V、4A/4A半桥门极驱动SiLM228x系列。
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LXE1722-150 AUDIOMAX评估工具包用户指南
本资料为LXE1722-150评估板用户指南，介绍了该评估板的特性、连接方式和操作步骤。评估板是一款立体声D类放大器，支持高达110W x 2的连续输出功率。指南详细说明了电源、扬声器、音频输入、睡眠/静音和预放大器输出等连接方式，并提供了电路图和组件清单。
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LXE1710/1711 AUDIOMAX评估工具包用户指南
本资料为Microsemi公司LXE1710/1711 AudioMAX评估板的用户指南。指南详细介绍了该评估板的功能、电路描述、快速启动指南、应用电路图、电气特性、性能图表、印刷电路板布局和物料清单。该评估板是一款完全集成的单声道放大器，用于展示Linfinity Microsemi的全新开关D类功率放大器IC。它具有优化的性能，包括更好的信噪比、较低的噪声地板和较低的失真，从而实现更安静、更清晰的音质。评估板支持从7V到15V的供电电压，LXE1710提供25W输出功率，LXE1711提供50W输出功率。
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LX1710/1711 AUDIOMAX评估工具包用户指南
本资料为Microsemi公司LX1710/1711 AudioMAX评估板的用户指南。指南介绍了该评估板的功能、电路描述、快速启动指南、电气特性、性能图表、印刷电路板布局和物料清单。评估板是一款完全集成的单声道放大器，用于展示Linfinity Microsemi的全新开关D类功率放大器IC。该指南详细说明了如何连接电源、扬声器、音频源，并提供了跳线选择以控制放大器的工作状态。
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芯谷科技高压大电流的PWM半桥栅极驱动芯片D2104M，电压输出高达600V，应用于电机驱动
D2104M是一款高压、大电流的PWM半桥栅极驱动芯片，只需要8~20V的低测供电，HO/LO端即可输出0.4的源电流/0.6A的灌电流，驱动功率MOSFET或IGBT输出高达600V的电压；逻辑输入兼容CMOS（3.3V）或LSTTL标准电平，内部集成死区控制和关断控制功能。
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中微爱芯250V高压半桥驱动电路——AiP2164
中微爱芯推出的AiP2164是一款高压半桥驱动电路，具有高低边两路输入输出通道，最高逻辑输入电压15V，高边浮动电压最高可达250V，该电路主要用于驱动高压功率器件，如N型MSOFET或IGBT等，电路内部包含Vcc欠压保护，并且具有高低边输入信号互锁逻辑控制结构，可确保上下桥的功率管不会同时导通。
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SGM48211高压半桥栅极驱动芯片共性问题及应对方案应用指南
本文档为圣邦微电子（北京）股份有限公司发布的应用指南，主要针对SGM48211高压半桥栅极驱动芯片的共性问题及应对方案进行详细分析。内容包括栅极驱动器简介、SGM48211芯片的主要优势、拓扑结构和工作原理，以及自举电容选取、HS引脚负压di/dt噪声和dv/dt噪声的应对措施。
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SGM48211 高压半桥栅极驱动芯片共性问题及应对方案应用指南
本文档为圣邦微电子（北京）股份有限公司发布的应用指南，主要针对SGM48211高压半桥栅极驱动芯片的共性问题及应对方案进行详细分析。内容包括栅极驱动器简介、SGM48211芯片的主要优势、拓扑结构和工作原理，以及自举电容选取、HS引脚负压di/dt噪声和dv/dt噪声的应对措施。
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RT PolarFire®FPGA DDR3本机接口
本应用笔记介绍了如何使用RT PolarFire FPGA的Native Interface模式配置DDR3控制器，以实现向DDR3内存执行写和读突发操作。通过选择拨动开关的ON/OFF状态，可以设置不同的操作模式（如递增模式、走位1模式、走位0模式和递减模式）。此外，还介绍了如何使用SmartDebug工具验证写和读数据。笔记中详细描述了硬件和软件要求、设计实现步骤，以及如何通过Libero SoC和SmartDebug工具运行和验证设计。
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拓尔微电子新推出强电流能力，高瞬态负压、高引脚耐压600V高压半桥驱动TMI87162
TOLL新推出强电流能力，高瞬态负压、高引脚耐压，600V高压半桥驱动TMI87162，该产品使用于电器电机驱动（空调、洗衣机、冰箱、洗碗机），风机，通用逆变器，电动自行车，电动工具等应用市场。
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BORN高压半桥驱动电路BN2304，驱动电流为+1/-1.5A，高侧耐压高达620V
伯恩半导体BN2304是用于驱动MOSFET/IGBT等功率器件的高压半桥驱动电路，驱动电流为+1/-1.5A。高侧耐压高达620V，dv/dt抗干扰能力优于50V/ns，高压侧和低压侧均有独立的欠压保护功能，输入逻辑可兼容TTL/CMOS。设计包含互锁和死区时间可有效防止两个输出同时打开，保护后级器件，且符合AEC-Q100标准。
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巴丁微600V高压半桥驱动芯片BDR6307B，采用SOP8封装，逻辑输入兼容CMOS和TTL电平
巴丁微电子BDR6307B是一款耐压600V的半桥栅极驱动芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区控制电路、电平位移电路及输出驱动电路，用来驱动双N型MOS半桥。BDR6307B的逻辑输入兼容CMOS和TTL电平，支持3.3V应用；输出级可以提供较高的峰值电流驱动，采用绿色环保的SOP8封装。
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SmartFusion2 SoC和IGLOO2 FPGA的电路板和布局设计指南
本资料为Microsemi公司发布的关于SmartFusion2 SoC和IGLOO2 FPGA的板级和布局设计指南。内容涵盖设计考虑因素、电源设计、I/O瞬态、时钟设计、复位电路、设备编程、SerDes设计、LPDDR、DDR2和DDR3设计、用户I/O和时钟引脚配置、双电源设计、brownout检测、同时切换噪声、电源布局、SerDes布局、PLL布局、I/O电源布局、编程电源布局、高速串行链路布局、仿真考虑、DDR3布局指南、创建原理图符号等。
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SPI-DirectC V2021.2用户指南
本指南介绍了SPI-DirectC软件，用于支持Microchip微处理器的嵌入式在系统编程（ISP）。指南详细说明了如何使用SPI-DirectC在支持的Microchip设备上启用基于微处理器的嵌入式ISP，包括系统概述、数据文件生成、SPI-DirectC代码集成、必要的源代码修改、数据文件格式、源文件描述、数据文件位方向以及示例项目。指南涵盖了SPI-DirectC的安装、配置和使用，旨在帮助用户进行有效的ISP操作。
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SPI-DirectC V2021.1用户指南
SPI-DirectC v2021.1用户指南主要介绍了如何使用SPI-DirectC进行嵌入式In-System Programming（ISP）以支持Microchip的IGLOO2、SmartFusion2、PolarFire和PolarFire SoC设备。指南详细说明了系统概述、数据文件格式、源代码修改、编译器开关、硬件接口组件、数据文件位方向以及示例项目等内容，旨在帮助用户生成数据文件、集成SPI-DirectC代码并实现设备编程。
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SmartFusion®2和Igloo®2高速串行接口配置用户指南
本指南介绍了如何配置SmartFusion2和IGLOO2系列中的高速串行接口，包括协议配置、PCIe配置、通道配置、信号完整性选项、发送去加重、接收CTL均衡、电源管理设置、高速串行接口控制寄存器配置、固件和仿真级别。指南详细说明了配置步骤和参数设置，适用于Libero SoC SERDES_IF核心。
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CoreAxi4DMA控制器
本手册详细介绍了Microsemi公司提供的CoreAXI4DMAController v2.1版本，这是一个AXI4 DMA控制器，用于在AXI系统中执行内存到内存风格的DMA传输。该核心提供内置的流控制技术，以确保AXI接口的带宽得到最佳利用。此外，该核心还提供AXI4内存映射从属设备的桥接，以支持AXI4-Stream主设备。手册涵盖了核心的架构、功能描述、接口描述、寄存器映射和描述、工具流程等内容，并提供了性能和利用率数据。
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领芯微全新MCU LCP037CC32EU8集成三路独立半桥驱动，为高压应用提供前所未有的效率和广度
领芯微高压应用领域再添家族新成员LCP037CC32EU8 ，不仅仅是一款MCU，它还具备集成三路独立半桥驱动的强大功能。这意味着它可以同时控制三个独立的高压半桥电路，为高压应用提供了前所未有的效率和广度。
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【产品】ZH619A0高压半桥栅极驱动器，输出电流能力IO±1A，可驱动高/低边N沟道功率MOSFET
ZH619A0是用于功率MOSFET和IGBT的高压、高速半桥栅极驱动器。浮动沟道可用于驱动高边配置的N沟道功率MOSFET或IGBT，其工作电压高达600V，具有高边和低边输入，以及两个带有内部死区时间的输出通道，以避免交叉传导。
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【产品】高压600V半桥MOS管驱动芯片EG27710，频率至高500KHz，适应5、3.3V输入电压
屹晶微电子高压600V半桥MOS管驱动芯片EG27710是一款高性价比MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内集成逻辑信号输入处理电路、欠压保护电路、电平位移电路、脉冲滤波电路等，专用于无刷电机控制器、电源DC-DC中的驱动电路。
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Libero®SoC V12.1及更高版本SmartTime静态时序分析仪用户指南
本资料为Microchip Technology Inc.提供的Libero® SoC v12.1及以后版本中SmartTime静态时序分析工具的用户指南。指南详细介绍了SmartTime的功能和操作方法，包括设计流程、设置配置、时序分析、生成时序报告等。SmartTime工具用于可视化设计中的时序问题，评估时序要求，创建自定义时序集，设置时序异常，以及定义与其他工具的交叉探针路径。指南涵盖了时序分析的基本概念、高级时序分析、时序报告生成等方面，旨在帮助用户有效地进行时序分析和设计验证。
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FlashPro用户指南软件v11.9
FlashPro用户指南主要介绍了Microsemi公司开发的FlashPro编程软件工具，该工具用于SmartFusion2、IGLOO2、RTG4、SmartFusion、IGLOO、ProASIC3和Fusion等设备的编程。指南涵盖了软件的安装、使用、功能特点、编程设置、操作流程以及故障排除等内容。FlashPro支持多种编程功能，包括自动链路构建、非Microsemi BSDL文件导入、多设备链路编程和串行化、生成STAPL、SVF和IEEE 1532文件等。指南还提供了详细的操作教程和故障排除信息，以帮助用户有效地使用FlashPro进行设备编程。
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