CMOS SyncFIFO™ DATASHEET IDT72420 IDT72200 IDT72210 IDT72220 IDT72230 IDT72240
发布时间：
2018-07-31
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
IDT（艾迪悌）
型号：
IDT72420; IDT72200; IDT72210; IDT72220; IDT72230; IDT72240; IDT72420L10; IDT72420L15; IDT72420L25; IDT72200L10; IDT72200L15; IDT72200L25; IDT72210L10; IDT72210L15; IDT72210L25; IDT72220L10; IDT72220L15; IDT72220L25; IDT72230L10; IDT72230L15; IDT72230L25; IDT72240L10; IDT72240L15; IDT72240L25; 72240L25TPG; 72240L15TPG; 72240L10TPG
资料平台
| 数据手册 - 英文 |
IDT72420 CMOS SyncFIFO™64 x 8, 256 x 8, 512 x 8, 1,024 x 8,2,048 x 8 and 4,096 x 8
FEBRUARY 2018
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品/工艺变更通知（PCN）
REV. 00
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品/工艺变更通知（PCN）
REV. 00
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| 数据手册 - 英文 |
IDT72420,IDT72200,IDT72210,IDT72220,IDT72230,IDT72240 CMOS SyncFIFO™64 x 8, 256 x 8,512 x 8, 1,024 x 8,2,048 x 8 and 4,096 x 8
FEBRUARY 2018
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| 数据手册 - 英文 |
IDT72421、IDT72201、IDT72211、IDT72221、IDT72231、IDT72241、IDT72251 CMOS同步FIFO™ 64 x 9、256 x 9、512 x 9、1024 x 9、2048 x 9、4096 x 9和8192 x 9产品介绍
NOVEMBER 2017
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
PCN:A0705-01产品/工艺变更通知（PCN）
6/11/2007
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
Integrated Device Technology，Inc.6024 Silver Creek Valley Road，San Jose，CA-95138产品/工艺变更通知（PCN）PCN#：A-0605-05
5/24/2006
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品/工艺变更通知单（PCN）PCN#：TB-0504-01
5/2/2005
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
IDT49FCT805BTDB产品/工艺变更通知（PCN）
4-Aug-2006
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| 数据手册 - 英文 |
IDT72V205 3.3 VOLT CMOS SyncFIFO TM256 x 18, 512 x 18, 1,024 x 18,2,048 x 18, and 4,096 x 18
MARCH 2018
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| 数据手册 - 英文 |
IDT72V201 3.3 VOLT CMOS SyncFIFO™256 x 9, 512 x 9,1,024 x 9, 2,048 x 9,4,096 x 9 and 8,192 x 9
MARCH 2018
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| 数据手册 - 英文 |
CMOS同步FIFO™ 产品介绍IDT72421、IDT72201、IDT72211、IDT72221、IDT72231、IDT72241、IDT72251
12/11/2017
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| 数据手册 - 英文 |
IDT72205LB、IDT72215LB、IDT72225LB、IDT72235LB、IDT72245LB CMOS同步FIFOTM产品介绍
11/27/2017
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| 数据手册 - 英文 |
IDT72V295 IDT72V2105 3.3 VOLT HIGH DENSITY CMOS SUPERSYNC FIFO™ 131,072x18 262,144x18
MARCH 2018
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| 数据手册 - 英文 |
3.3 VOLT HIGH-DENSITY SUPERSYNC II™ 36-BIT FIFO 65,536 x 36 131,072 x 36 IDT72V36100 IDT72V36110
DECEMBER 2016
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| 数据手册 - 英文 |
IDT72255LA CMOS SuperSync FIFO
NOVEMBER 2017
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IDT72V36100 3.3 VOLT HIGH-DENSITY SUPERSYNC
MARCH 2018
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IDT72V223 3.3 VOLT HIGH-DENSITY SUPERSYNC II™ NARROW BUS FIFOm512 x 18/1,024 x 9, 1,024 x 18/2,048 x 92,048 x 18/4,096 x 9, 4,096 x 18/8,192 x 98,192 x 18/16,384 x 9, 16,384 x 18/32,768 x 932,768 x 18/65,536 x 9, 65,536 x 18/131,072 x 9
MARCH 2018
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IDT72V281 3.3 VOLT CMOS SuperSync FIFO™ 65,536 x 9 131,072 x 9
JANUARY 2018
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| 数据手册 - 英文 |
CMOS超同步FIFO™ 产品介绍IDT72255LA IDT72265LA
11/27/2017
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| 数据手册 - 英文 |
CMOS超同步FIFO™ 产品介绍IDT72261LA IDT72271LA
07/25/2013
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IDT72V275 32,768 x 18 IDT72V285 65,536 x 18 3.3 VOLT CMOS SuperSync FIFO™
FEBRUARY 2018
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IDT72T1845 2.5 VOLT HIGH-SPEED TeraSync™ FIFO
MAY 2017
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IDT72V3640 3.3V HIGH-DENSITY SUPERSYNC™ II 36-BIT FIFO 1,024 x 36, 2,048 x 364,096 x 36, 8,192 x 36 16,384 x 36, 32,768 x 36
MARCH 2018
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IDT72V275 3.3 VOLT CMOS SuperSync FIFO™ 32,768 x 18 65,536 x 18
FEBRUARY 2018
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IDT72V295 3.3 VOLT HIGH DENSITY CMOS SUPERSYNC FIFO™131,072 x 18 262,144 x 18
MARCH 2018
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IDT72V281 IDT72V291 3.3 VOLT CMOS SuperSync FIFO™ 65,536 x 9 131,072 x 9
JANUARY 2018
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IDT72261LA IDT72271LA CMOS超同步FIFO™ 16384 x 9 32768 x 9产品介绍
FEBRUARY 2018
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3.3 VOLT CMOS SuperSync FIFO™ 65,536 x 9 131,072 x 9 IDT72V281 IDT72V291
OCTOBER 2014
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3.3 VOLT CMOS SuperSync FIFO™ 32,768 x 18 65,536 x 18 IDT72V275 IDT72V285
OCTOBER 2014
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3.3V HIGH-DENSITY SUPERSYNC™ II 36-BIT FIFO 1,024 x 36, 2,048 x 36 4,096 x 36, 8,192 x 36 16,384 x 36, 32,768 x 36 IDT72V3640,IDT72V3650 IDT72V3660,IDT72V3670 IDT72V3680,IDT72V3690
OCTOBER 2014
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IDT72V255LA 3.3 VOLT CMOS SuperSync FIFO™ 8,192 x 18 16,384 x 18
JANUARY 2018
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IDT72V2103 3.3 VOLT HIGH-DENSITY SUPERSYNC II™ NARROW BUS FIFO 131,072 x 18/262,144 x 9 262,144 x 18/524,288 x 9
MARCH 2018
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IDT72V36100 3.3 VOLT HIGH-DENSITY SUPERSYNC II™36-BIT FIFO 65,536 x 36 131,072 x 36
MARCH 2018
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IDT72261LA CMOS SuperSync FIFO™ 16,384 x 9 32,768 x 9
FEBRUARY 2018
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IDT72T7285、IDT72T7295、IDT72T72105、IDT72T72115 2.5伏高速TeraSync™ FIFO 72位配置数据表
JUNE 2017
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IDT72V3640, IDT72V3650 IDT72V3660, IDT72V3670 IDT72V3680, IDT72V3690 3.3V HIGH-DENSITY SUPERSYNC™ II 36-BIT FIFO 1,024 x 36, 2,048 x 364,096 x 36, 8,192 x 3616,384 x 36, 32,768 x 36
AUGUST 2018
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IDT72805LB CMOS DUAL SyncFIFO™DUAL 256 x 18 DUAL 512 x 18 DUAL 1,024 x 18 DUAL 4,096 x 18
MARCH 2018
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IDT72V805 3.3 VOLT CMOS DUAL SyncFIFO™ DUAL 256 x 18, DUAL 512 x 18,DUAL 1,024 x 18, DUAL 2,048 x 18and DUAL 4,096 x 18
MARCH 2018
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IDT72V805 3.3 VOLT CMOS DUAL SyncFIFO
MARCH 2018
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IDT72T3645 2.5伏高速TeraSyncTM FIFO 36位配置数据表
FEBRUARY, 2009
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世强AI
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应用/方案
全、空边界条件下FIFOs运算技术说明
本技术笔记主要讨论了IDT7201至IDT7204系列FIFO（先进先出存储器）在满和空边界条件下的操作。详细分析了读（R）和写（W）控制线与FIFO空和满状态的关系，以及如何处理异步和同步读写操作。特别强调了在FIFO满时继续写入和读取操作，以及空FIFO继续读取和写入操作时的特殊时序和条件。此外，还讨论了违反时序可能导致的问题，如指针失步和数据损坏，以及如何通过主复位来恢复。
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满边界和空边界条件下的FIFO操作技术说明TN-08
本技术笔记主要讨论了IDT7201至IDT7204系列FIFO（先进先出存储器）在满和空边界条件下的操作。内容涵盖了FIFO的控制线、读写指针、空满标志以及边界条件下的特殊时序问题。特别强调了在FIFO满时继续写入和空时继续读取时，可能出现的时序违规及其影响，并提出了相应的解决方法。
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【产品】2.5V高速TeraSyncTM系列72位FIFO存储器，采用PBGA封装
瑞萨电子公司（Renesas）的全资子公司IDT推出IDT72T7285、IDT72T7295、IDT72T72105、IDT72T72115四款2.5V高速TeraSyncTM系列72位先进先出（FIFO）存，具有时钟读写控制和灵活的总线匹配x72 / x36 / x18数据流。TeraSync FIFO特别适用于网络，视频，电信，数据通信和其他需要缓冲大量数据并匹配大小不等的总线的应用。
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示波器每次触发的波形都会显示出来么?
触发事件在采集存储器中的位置是由触发延迟(水平位置)设置定义的。在触发事件到来之前，示波器先填充预触发缓冲器，在预触发缓冲器满后不断以先进先出(FIFO)的方式更新预触发缓冲器并等待触发事件到来；在触发事件到来之后，停止更新预触发缓冲器，改为填充后触发缓冲器；待后触发缓冲器满后，一帧波形采集完成。
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满边界和空边界条件下FIFO的操作技术说明
本技术笔记主要讨论了IDT7201至IDT7204系列FIFO（先进先出存储器）在满和空边界条件下的操作。这些FIFO具有四个控制线：读、写、复位和重传。笔记重点介绍了读（R）和写（W）线与FIFO空和满状态的关系。FIFO在满状态继续写入和读操作时，以及空状态继续读和写操作时，存在特殊条件。读和写操作在各自的时钟上升沿增加读和写指针，这些指针影响空标志和满标志计数器。笔记还讨论了违反时序规范可能导致的问题，以及如何通过主复位来恢复。
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【产品】Renesas先进先出双端口存储器IDT7200/7201/7202，使用高速CMOS技术制造
Renesas推出的IDT7200/7201/7202是双端口存储器，可在先进先出的基础上加载和清空数据。该设备使用Full和Empty标志来防止数据上溢和下溢以及扩展逻辑以允许在字长和深度方面的无限扩展能力。
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【产品】先进先出存储器芯片CH42具有入端W和出端R两个8位被动并行端口，支持5V、3.3V、3V电源电压
CH424是4K字节容量的FIFO存储器芯片。CH424具有入端W和出端R 两个8位被动并行端口，CH424通过8位数据线和读、写、片选等控制线挂接到单片机/DSP/MCU/MPU等控制器的系统总线上，适用于连接单片机与单片机，单片机等。
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AL440B 4M位高速FIFO现场存储器传单
AL440B是一款高性能的FIFO（先进先出）场存储器芯片，适用于音频/视频/图形数字数据的缓冲，适用于多媒体系统、视频捕捉/编辑系统、安全系统、扫描率转换器、数字视频相机、硬盘缓存内存和通信系统等。该芯片具有4Mbits（512k x 8 bits）的组织结构，支持80MHz和40MHz两种速度等级，具有独立的8位数据I/O端口操作，支持输入/输出使能控制、输入/输出就绪标志、可编程窗口模式数据访问等功能。
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零总线掉头（ZBT）SRAMS与延迟写SRAMS的应用比较
本文对比了零总线周转（ZBT）SRAM和晚写SRAM的性能差异。ZBT SRAM通过消除总线上的空闲周期，实现了100%的数据总线利用率，而晚写SRAM在读写交替时存在空闲周期，导致总线利用率降低。文章详细比较了两种SRAM的读写时序、时钟边沿使用和数据总线利用率等方面的差异。
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