Errata Notification SMEN-01-04
发布时间：
2018-07-31
类型：
产品勘误说明，勘误表、错误修正说明
品牌：
IDT（艾迪悌）
型号：
70V3599; 70V659; 70V7519 Families
本Errata通知详细阐述了Integrated Device Technology, Inc.发布的70V3599、70V659和70V7519系列（涵盖BF、BC和DR封装）产品的数据勘误事项。资料核心内容指出了原数据表中JTAG时序参数tJCD存在错误，并明确将该参数从20ns修正为25ns。该通知旨在提醒相关用户在涉及上述受影响产品的设计与应用前，务必仔细阅读此修正信息，以确保设计的准确性与可靠性。针对文中所述器件，Integrated Device Technology, Inc.在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该方案，用户可通过平台获取原厂授权的正品器件，相关产品支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。平台专职FAE团队将提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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资料平台
| 数据手册 - 英文 |
HIGH-SPEED 3.3V 128/64K x 36 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE IDT70V3599/89S
OCTOBER 2014
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
A1207-05产品/工艺变更通知（PCN）
August 3, 2012
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| 产品勘误说明 - 英文 |
勘误表-01-03
Revision 00
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| 技术文档 - 英文 |
多端口存储器产品
REVA
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| 数据手册 - 英文 |
IDT70V3599/89S HIGH-SPEED 3.3V 128/64K x 36 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE
JUNE 2018
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
A0710-02 IDT49C465APQF产品/工艺变更通知单
14-Dec-2007
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| 产品勘误说明 - 英文 |
勘误表-01-05
Revision 00
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| 数据手册 - 英文 |
70V3599/89S HIGH-SPEED 3.3V 128/64K x 36 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE
11/05/19
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品/工艺变更通知（PCN）A0802-02
REV. 00
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| 数据手册 - 英文 |
70V7519S高速3.3V 256K x 36同步组可切换双端口静态RAM，带3.3V或2.5V接口数据表
NOVEMBER 2019
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品/工艺变更通知（PCN）A-0506-01 PQFP包
REV. 00
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| 数据手册 - 英文 |
HIGH-SPEED 3.3V 256K x 36 SYNCHRONOUS BANK-SWITCHABLE DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE IDT70V7519S
JUNE 2015
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品/工艺变更通知单（PCN）SM-0402-03
REV. 00
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| 数据手册 - 英文 |
70V7519S HIGH-SPEED 3.3V 256K x 36 SYNCHRONOUS BANK-SWITCHABLE DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE
11/01/19
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品/工艺变更通知（PCN）A0610-02
REV. 00
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| 数据手册 - 英文 |
IDT70V7519S HIGH-SPEED 3.3V 256K x 36 SYNCHRONOUS BANK-SWITCHABLE DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE
JUNE 2015
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品/工艺变更通知单（PCN）A-0607-05
REV. 00
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| 数据手册 - 英文 |
HIGH-SPEED 3.3V 128/64/32K x 36 ASYNCHRONOUS DUAL-PORTSTATIC RAM IDT70V659/58/57S
OCTOBER 2008
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
A0704-02产品质量产品/工艺变更通知单（PCN）
9/19/2007
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| 数据手册 - 英文 |
IDT70V659/58/57S HIGH-SPEED 3.3V 128/64/32K x 36 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM
JUNE 2018
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| 数据手册 - 英文 |
IDT70V659/58/57S HIGH-SPEED 3.3V 128/64/32K x 36 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM
JUNE 2018
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品/工艺变更通知单（PCN）SM-0112-03
REV. 00
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
IDT10206-PL84-ASM产品/工艺变更通知（PCN）
21-Mar-2006
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| 数据手册 - 英文 |
70V25/24S/L 8/4K x 18 DUAL-PORT 70V35/34S/L 8/4K x 16 DUAL-PORT HIGH-SPEED 3.3V STATIC RAM
OCTOBER 2019
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品/工艺变更通知（PCN）A-0403-03 BGA封装系列
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| 数据手册 - 英文 |
HIGH-SPEED 3.3V 16K x 36 SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE IDT70V3569S
FEBRUARY 2018
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品/工艺变更通知（PCN）A0610-01R2
REV. 00
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| 数据手册 - 英文 |
70V3569S HIGH-SPEED 3.3V 16K x 36SYNCHRONOUS PIPELINEDDUAL-PORT STATIC RAMWITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE
AUGUST 2019
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| 数据手册 - 英文 |
70V3569S HIGH-SPEED 3.3V 16K x 36 SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE
AUGUST 2019
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
A0610-01R1产品/工艺变更通知单（PCN）
March 2, 2007
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品/工艺变更通知（PCN）A-0506-03所有产品在托盘中装运
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70V3579S高速3.3V 32K x 36同步流水线双端口静态RAM，带3.3V或2.5V接口数据表
AUGUST 2019
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70V3579S高速3.3V 32K x 36同步流水线双端口静态RAM，带3.3V或2.5V接口数据表
AUGUST 2019
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技术论坛
对于IDT，什么是多端口设备的IBIS，HSPICE，Verilog和VHDL模型？
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
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应用/方案
银行可切换双端口常见问题应用说明
本文介绍了银行切换双端口（BSDP）技术，这是一种创新的内存解决方案，允许从两个独立端口同时访问公共内存，具有比传统双端口更高的存储密度和更低的每比特成本。BSDP通过使用SRAM核心内存架构和额外的内部逻辑，而不是更复杂的传统双端口架构，支持更大的内存阵列。文章还比较了BSDP与传统双端口SRAM的差异，以及BSDP与多路复用SRAM解决方案的区别。此外，还讨论了IDT支持的BSDP解决方案的类型、封装选项以及银行仲裁的控制方式。
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【产品】高速8/4Kx18（8/4Kx16）位双端口静态RAM 70V35/34S/L（70V25/24S/L）
IDT（Renesas收购）推出的IDT70V35 / 34（IDT70V25 / 24）是高速8 / 4K x 18（8 / 4Kx16）位双端口静态RAM。IDT70V35 / 34（IDT70V25 / 24）可用作独立的双端口RAM或结合使用MASTER / SLAVE双端口RAM，用于36位（32位）或更多位系统，可以实现全速、无错误的操作，而不需要额外的离散逻辑。
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【产品】3.3V高速32K x 36位同步双端口静态RAM 70V3579S，支持3.3V或2.5V工作电压
IDT（Renesas收购）推出的70V3579S是3.3V高速32K x 36同步双端口静态RAM。存储器阵列利用双端口存储器单元允许同时访问来自两个端口的任何地址。 控制、数据和地址输入寄存器提供最少的建立时间和保持时间。通过这种方法提供的时序范围允许系统设计具有非常短的循环时间。
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【产品】高速16K x 36 位同步双端口RAM 70V3569，核心电源VDD为3.3V
IDT（Renesas收购）推出的70V3569 是一个高速的16K x 36 位同步双端口RAM，已为具有单向或双向数据流的应用程序进行了优化。自动断电功能由CE0和CE1控制，以允许每个端口的片上电路进入一个非常低的待机功耗模式。70V3569可以在一个或两个端口上支持3.3V或2.5V的工作电压，由OPT引脚控制。该装置的核心电源(VDD)为3.3V。
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银行可切换双端口常见问题应用说明AN-306
本文介绍了银行切换双端口（BSDP）技术，这是一种创新的内存解决方案，允许从两个独立端口同时访问公共内存，具有比传统双端口更高的存储密度和更低的每比特成本。BSDP通过使用SRAM核心内存架构和额外的内部逻辑，而不是更复杂的传统双端口架构，支持更大的内存阵列。文章还比较了BSDP与传统双端口SRAM的异同，讨论了BSDP的优势，包括性能提升、更小的板空间和更低的成本。此外，文章还讨论了IDT支持的BSDP解决方案的类型和包装选项。
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双端口电源讨论应用说明
本文讨论了双端口高I/O计数设备上的功耗，主要针对IDT70V3579、IDT70V3569、IDT70V3379和IDT70V3389等同步32K x 36双端口系列。文章分析了功耗增加的原因，包括速度提升、宽度增加和内部数据总线扩展。此外，还讨论了温度对电流的影响、核心电流与I/O电流的差异、功率损耗计算公式以及不同情况下的功耗。最后，提出了降低功耗的措施，如避免过大的电容负载、保持VDD/VDDQ在3.3V或以下，并确保适当的去耦策略。
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双端口电源讨论应用说明
本文讨论了双端口高I/O计数设备上的功耗，主要针对IDT70V3579、IDT70V3569、IDT70V3379和IDT70V3389等同步32K x 36双端口系列。文章分析了功耗增加的原因，包括运行速度、宽度和内部数据总线的变化。此外，还讨论了核心电流与I/O电流的差异，以及不同操作模式下的功耗计算方法。最后，提出了降低功耗的建议，如避免过大的电容负载、保持VDD/VDDQ在3.3V或以下，并确保适当的去耦策略。
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双端口电源讨论应用说明AN-255
本文讨论了IDT公司同步32K x 36双端口存储器系列（包括IDT70V3579、IDT70V3569、IDT70V3379和IDT70V3389）的功耗问题。文章详细分析了该系列器件的动态工作电流（IDD）以及I/O总线功耗，并探讨了温度对电流的影响。文章还提供了功耗计算公式，并分析了不同工作模式下的功耗情况。最后，文章提出了降低功耗的建议，包括减少电容负载、保持电源电压在合理范围内以及确保适当的去耦策略。
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多端口存储器产品
本资料介绍了Integrated Device Technology（IDT）的多端口存储器产品，包括异步和同步双端口、四端口和可切换双端口存储器。这些产品适用于通信市场，包括交换机、路由器、集线器、光纤通道线卡和RAID控制器。资料详细介绍了异步双端口RAM的优势，如增加带宽、减少设计复杂性、缩短上市时间等。此外，还提供了不同型号的多端口存储器的详细规格，包括核心电压、总线宽度、密度、封装代码、I/O类型、访问时间和温度范围等。
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Tsi382™ PCIe®到PCI网桥产品简介
Tsi382是一款高性能PCIe到PCI桥接芯片，支持PCI Express 1.1和PCI/PCI-X Bridge 1.0等规范。它具备高效队列和缓冲功能，提供低延迟和高吞吐量。芯片支持多种工作模式，包括透明、非透明和不可见模式，适用于多种应用，如数字视频录像机、笔记本电脑ExpressCard、主板、适配卡等。Tsi382采用BGA和LQFP封装，具有低功耗和小型封装的特点。
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交换和桥接解决方案IDT RapidIO交换机、VME互连和主机桥接
本资料主要介绍了Integrated Device Technology（IDT）公司提供的RapidIO交换机和桥接解决方案、VME互连技术和嵌入式主机桥（EHB）。RapidIO交换机和桥接技术支持高达20Gbps的端口吞吐量，适用于军事、航空航天、通信和工业控制等领域。VME互连技术提供高性能直接连接接口，适用于军事、通信、工业自动化和医疗成像等应用。EHB作为主机处理器、系统内存和系统I/O之间的枢纽，支持PowerQUICC和PowerPC处理器系列。资料还提供了IDT产品的详细规格和封装信息。
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关于同步双端口SRAMS应用的最常见问题注释AN-254
本文档为IDT公司发布的关于同步双端口SRAM的应用笔记，主要内容包括同步双端口SRAM的定义、工作原理、不同模式（流水线模式和直通模式）的比较、常见问题解答、引脚配置、深度和宽度扩展方法、与FIFO的比较以及应用领域等。文档旨在帮助读者了解同步双端口SRAM的特点和优势，并指导其在实际应用中的使用。
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同步双端口sram应用中最常见的问题
本文详细介绍了同步双端口SRAM（Synchronous Dual-Port SRAM）的相关知识，包括其定义、工作原理、不同模式（流水线模式和直通模式）的比较、常见问题解答、应用场景等。文章还涉及了设备配置、引脚配置、深度和宽度扩展、特殊布局考虑因素、与FIFO的比较等内容，旨在帮助读者全面了解同步双端口SRAM的设计和应用。
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用于DSP和通信应用的同步双端口静态ram
本文介绍了同步双端口静态随机存取存储器（SDPRAM）在数字信号处理（DSP）和通信应用中的使用。文章详细讨论了SDPRAM的特点，包括同时访问能力、同步和异步接口、以及流水线和直通输出选项。文章还介绍了IDT公司的一系列SDPRAM产品，包括SARAM、70914和709149，并比较了它们的性能和适用场景。此外，文章还讨论了SDPRAM在便携式电话基站和8通道卡等应用中的使用案例，以及SDPRAM在满足高带宽系统需求方面的优势。
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用于DSP和通信应用的同步双端口静态ram应用说明AN-144
本文介绍了同步双端口静态随机存取存储器（SDPRAM）在数字信号处理（DSP）和通信应用中的技术特点和应用。文章详细阐述了SDPRAM的同步、顺序、流水线、直通等不同工作模式，以及它们在带宽、设计简易性、板级空间和成本节约等方面的优势。同时，文章还介绍了IDT公司提供的多种SDPRAM产品，并展示了其在便携式电话基站等实际应用中的性能表现。
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PCI Express Solutions PCI Express 领域的领导者推出全面综合的解决方案
Integrated Device Technology（IDT）推出全面综合的PCI Express解决方案，涵盖时钟与定时、接口与连接、存储器与逻辑、电源管理和RF产品。产品包括PCI Express时序解决方案、信号重定时器及中继器、交换芯片、桥接器等，旨在满足PCI Express网络构建的设计要求。
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