PRODUCT DISCONTINUANCE NOTICE (PDN) SR-07-19
发布时间：
2018-07-31
类型：
产品变更通知及停产信息，PCN通知、停产通告
品牌：
IDT（艾迪悌）
型号：
IDT5962-3829407MYA; IDT5962-3829415MYA; IDT7164S25L32B; IDT7164S70L32B; IDT5962-3829409MYA; IDT5962-3829417MYA; IDT7164S35L32B; IDT7164S85L32B; IDT5962-3829411MYA; IDT7164S100L32B; IDT7164S45L32B; IDT5962-3829413MYA; IDT7164S20L32B; IDT7164S55L32B
本产品停售通知（PDN）由 Integrated Device Technology, Inc. 发布，正式宣布其旗下部分选择性 SRAM 设备将进入停产阶段。此次停售的主要原因是原厂计划通过替换较慢速度的产品，以提供性能更优的高速产品系列，从而优化产品线结构。资料详细阐述了停售背景，并明确指出受影响的客户需仔细检查相关产品的详细规格，确保在转换到等效设备前进行充分的技术确认与验证。通知附件 I 中列出了具体受影响的产品编号清单，旨在帮助用户准确识别涉及型号，以便及时调整采购与设计计划。针对文中所述的 Integrated Device Technology, Inc. 相关产品，该品牌在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该通知，用户可通过世强硬创平台获取原厂授权的正品器件，平台支持相关型号的单件起订、在线下单、样品申请及批量询价服务，且库存充足，能够覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求。同时，平台配备专职FAE团队，可为用户提供选型指导、设计验证及调试支持，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市进程。
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资料平台
| 数据手册 - 英文 |
CMOS Static RAM 64K (8K x 8-Bit) IDT7164S IDT7164L
DECEMBER 2016
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品/工艺变更通知单（PCN）SR-0203-02
REV. 00
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| 数据手册 - 英文 |
IDT7164S CMOS Static RAM 64K (8K x 8-Bit)
DECEMBER 2016
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品/工艺变更通知单（PCN）A-0601-02
EV. 00
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| 数据手册 - 英文 |
IDT7164S IDT7164L CMOS Static RAM 64K (8K x 8-Bit)
DECEMBER 2016
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品停产通知（PDN）SR 06-10
Rev. 00
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品停产通知（PDN）SR-07-04R1
Rev. 00
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品停产通知（PDN）SR-07-04
Rev. 00
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
IDT49FCT805BTDB产品/工艺变更通知（PCN）
4-Aug-2006
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品停产通知（PDN）IDT6116LA20P
27-Apr-2009
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
PCN:A0705-01产品/工艺变更通知（PCN）
6/11/2007
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品停产通知（PDN）SR-07-06
Rev. 00
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品停产通知（PDN）SR-07-02
Rev. 00
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品停产通知（PDN）SR-07-05
Rev. 00
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品停产通知（PDN）SR-07-20
Rev. 01
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品/工艺变更通知单（PCN）TB-0510-02
REV. 00
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品停产通知（PDN）SR-07-03
Rev. 00
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品/工艺变更通知单（PCN）A-0607-01
REV. 00
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品/工艺变更通知单（PCN）A-0605-03
REV. 00
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品停产通知（PDN）PDN#：L-04-01R1
April 26, 2004
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品/工艺变更通知（PCN）
REV. 00
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品/工艺变更通知单（PCN）A-0305-04
Rev. 01
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品/工艺变更通知单（PCN）A-0309-06
REV.1
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
Integrated Device Technology，Inc.6024 Silver Creek Valley Road，San Jose，CA-95138产品/工艺变更通知（PCN）PCN#：A-0605-05
5/24/2006
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品/工艺变更通知单（PCN）PCN#：TB-0504-01
5/2/2005
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
集成设备技术公司6024 Silver Creek Valley Road，San Jose，CA-95138产品/工艺变更通知（PCN）PCN#：A-0504-02R2
08/03/05
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
Integrated Device Technology，Inc.2975 Stender Way，Santa Clara，CA-95054产品/工艺变更通知（PCN）PCN#：A-0504-02
5/2/2005
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
集成设备技术公司6024 Silver Creek Valley Road，San Jose，CA-95138产品/工艺变更通知（PCN）PCN#：A-0508-02
09/05/05
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| 数据手册 - 英文 |
IDT723612 CMOS SyncBiFIFO™ 64 x 36 x 2
10/21/2013
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品停产通知（PDN）SR-10-09
Rev. 02
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| 产品勘误说明 - 英文 |
IDT71V656xx和IDT71V658xx设备勘误表256K x 36和512K x 18 3.3V同步ZBT TM SRAM
Rev. 1.0
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品停产通知（PDN）SR-13-01
4/29/2013
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| 测试报告 - 英文 |
PZG28材料成分声明
2009-12-11
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| 测试报告 - 英文 |
PZG28材料成分声明
2009-12-11
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| 商品功能框图 - 英文 |
PSC-4263 AM/AMG 256封装外形17 X 17毫米机身1.00毫米间距PBGA
Rev.01
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| 测试报告 - 英文 |
DMG80材料成分声明
2009-07-02
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| 商品功能框图 - 英文 |
MSC-5806-A CD 6/10载带
Rev.00
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技术论坛
对于IDT，什么是SRAM器件的IBIS，HSPICE，Verilog和VHDL模型？
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IDT为SRAM器件提供什么版本的Modelsim？
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使用VITAL（FMF使用的样式）对IDT的SRAM器件进行元件建模有什么好处？
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IDT的SRAM 3.3V器件是否能承受5V电压？
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气体检测仪项目，需要检测甲烷、丙烷、氢气、液化石油气等易燃气体，有合适的固态化学电阻传感器推荐吗？
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应用/方案
【产品】65536位、8K×8高速静态RAM 7164S/7164L，采用COMS工艺制造
IDT(Renesas收购) 7164S/7164L是65536位、8K×8高速静态RAM。产品采用高性能、高可靠性的CMOS工艺制造。IDT7164S/7164L的地址访问时间最快可达20ns。同时其内部电路设计可以实现低功耗待机模式的切换。当引脚CS1为高电平或引脚CS2为低电平时，电路将自动进入并保持在低功耗待机模式。IDT7164L版本还可以使用2V电源实现电池备份保留数据的功能。
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【产品】高速1K x 8双端口静态RAM 71V30S/L，可以用作独立的8位双端口SRAM
IDT（Renesas收购）推出的71V30S/71V30L是高速1K x 8双端口静态RAM，可以用作独立的8位双端口SRAM。该器件提供两个独立的端口，具有独立的控制功能，地址和I / O引脚，允许独立，异步地访问存储器中的任何位置。 由/CE控制的自动掉电功能允许每个端口的片上电路进入非常低的待机功耗模式。系列产品使用CMOS高性能技术制造, 通常仅以375mW的功率工作。
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【产品】单片高速、低功耗CMOS双向时钟FIFO存储器IDT72V3612，3.3V电源供电
瑞萨电子公司（Renesas）的全资子公司IDT推出的IDT72V3612采用3.3V电源供电，具有极低的功耗。 该器件是单片高速，低功耗CMOS双向时钟FIFO存储器。 它支持高达83 MHz的时钟频率，并且具有高达8ns的读取访问时间。 FIFO在IDT标准模式下运行。芯片缓冲区数据板上具有两个独立的64x36双端口SRAM。
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【产品】128K/64K/32K x 8位低功耗同步双端口SRAM 709079＼89＼99，工作功耗低至429mW
瑞萨旗下的IDT（艾迪悌）公司公司近期推出了709099、70V9089以及70V9079双端口SRAM产品，这些器件采用CMOS高性能技术制造，具备低功耗优势，功能强大，并且采用业内标准封装，大大降低了用户系统设计的复杂性，为用户提供了高性能、低成本的产品解决方案。
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KEY OPERATION & ELECTROCOMPONENTS PVT LTD
本资料主要介绍了多种电子元器件及其供应商信息。内容涵盖功率MOSFET、晶体管、IC、电压调节器、传感器、比较器、模拟开关、微控制器等。涉及的品牌和公司包括AMS OSRAM、Silicon Labs、Weltrend、Developer Microelectronics、Key Operation & Electrocomponents等。资料还提供了供应商的联系方式和网站链接。
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EMMI在半导体器件失效分析的重要性
失效分析的目的是通过技术手段找出器件失效的根本原因，并推动改进措施的实施，从而提升生产工艺、改善产品质量、提高良率和可靠性。EMMI是在失效分析过程中经常使用的设备之一，它们能够帮助分析人员检测电气故障，并定位失效的具体位置。本文SLKOR来给大家分享EMMI在半导体器件失效分析的重要性。
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【经验】RA6快速设计指南之存储器(1)
RA6 MCU支持4GB的线性地址空间，范围为0000 0000h到FFFF FFFFh，其中包含程序、数据和外部存储器总线。该系列的某些产品包括一个SDRAM控制器，可利用该控制器访问连接到外部存储器总线的SDRAM器件。
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面向高级联网广播、入门级车载信息娱乐系统和数字仪表板应用的32位器件
VF3xxR系列32位器件专为仪表板等应用设计，具备成本优化特性。采用双核(Arm® Cortex®-A5 + Cortex-M4)架构，支持在同一芯片上处理MCU和MPU任务。配备1.5 MB片上SRAM，提供多种封装选项，支持从基础联网广播升级到功能丰富的信息娱乐系统，无需额外DRAM。
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