PRODUCT DISCONTINUANCE NOTICE (PDN) SR-13-01
发布时间：
2018-07-31
类型：
产品变更通知及停产信息，PCN通知、停产通告
品牌：
IDT（艾迪悌）
型号：
71V256SA10PZG; 71V256SA12PZG; 71V256SA10YG; 71V256SA12YG; 71V256SA10PZG8; 71V256SA12PZG8; 71V256SA10YG8; 71V256SA12YG8
本产品变更通知（PDN）详细阐述了IDT关于选择性SRAM产品的停产计划。该资料明确列出了受影响的零件编号、停产零件编号以及推荐的替代零件编号，旨在协助客户进行产品过渡。通知特别建议用户在转换为等效设备前，务必仔细核对详细规格以确保兼容性，并提供了通过电子邮件获取更多信息的渠道。文件中界定的关键时间节点包括最后购买截止日期为2013年7月26日，以及最后可发货日期为2013年10月26日，要求相关方据此做好库存与生产调整。针对文中所述IDT品牌产品，IDT在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该停产通知，用户可通过世强硬创平台获取原厂授权的正品器件，平台支持相关型号的单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。同时，平台提供专职FAE团队支持选型、设计验证及调试，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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加工定制
励知可定制高达36层PCB，适用FR4、无卤、PI及Rogers等高频材料。具备3mil/3mil精细线路、8mil钻孔及16:1厚径比能力，提供化学沉金、镀硬金等超10种表面处理与7种阻焊颜色，并支持高频混压、背钻、埋阻容等特殊工艺。
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资料平台
| 数据手册 - 英文 |
IDT71V256SA Lower Power 3.3V CMOS Fast SRAM 256K (32K x 8-Bit)
08/18/15
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| 数据手册 - 英文 |
IDT71V256SA Lower Power 3.3V CMOS Fast SRAM 256K (32K x 8-Bit)
AUGUST 2015
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品停产通知（PDN）SR-09-01
Rev. 02
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| 技术文档 - 英文 |
澄清订购零件号术语的通知订购零件号术语更改通知
November 17, 2008
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品停产通知（PDN）SR-09-04
Rev. 02
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| 技术文档 - 英文 |
IDT世界级SRAM产品
REVA
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| 数据手册 - 英文 |
Lower Power 3.3V CMOS Fast SRAM 256K (32K x 8-Bit) IDT71V256SA
AUGUST 2015
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品/工艺变更通知单（PCN）A0508-01
REV. 00
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品/工艺变更通知单（PCN）SR-0408-02
REV. 00
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品/工艺变更通知（PCN）A1107-01R1
12/5/2011
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
71V424S10YG产品/工艺变更通知（PCN）
7/22/2011
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
A2001-02（R1）选择包装产品变更通知（PCN）将装配位置从台湾OSET转移到台湾Greatek
2/27/2020
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品停产通知（PDN）SR-09-08R1
Rev.02
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品/工艺变更通知单（PCN）A-0607-01
REV. 00
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品/工艺变更通知单（PCN）A-0605-03
REV. 00
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
集成设备技术公司6024 Silver Creek Valley Road，San Jose，CA-95138产品/工艺变更通知（PCN）PCN#：A-0508-02
09/05/05
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品/工艺变更通知单（PCN）PCN#：TB-0504-01
5/2/2005
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
集成设备技术公司6024 Silver Creek Valley Road，San Jose，CA-95138产品/工艺变更通知（PCN）PCN#：A-0504-02R2
08/03/05
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
Integrated Device Technology，Inc.2975 Stender Way，Santa Clara，CA-95054产品/工艺变更通知（PCN）PCN#：A-0504-02
5/2/2005
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| 数据手册 - 英文 |
IDT723612 CMOS SyncBiFIFO™ 64 x 36 x 2
10/21/2013
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品停产通知（PDN）SR-10-09
Rev. 02
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| 产品勘误说明 - 英文 |
IDT71V656xx和IDT71V658xx设备勘误表256K x 36和512K x 18 3.3V同步ZBT TM SRAM
Rev. 1.0
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品停产通知（PDN）SR-07-19
Rev. 01
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品停产通知（PDN）SR-07-20
Rev. 01
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| 数据手册 - 英文 |
IDTF1358
Rev O
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| 数据手册 - 英文 |
ZLED7x20 High Current 40V LED Driver with Internal Switch
April 20, 2016
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| 数据手册 - 英文 |
IDT71V2546S/XS 128K x 36 3.3V Synchronous ZBT™ SRAM 2.5V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs
04/11/11
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| 数据手册 - 英文 |
XFP236156.250000I 156.250000MHz晶体振荡器数据表附录
December 6, 2018
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| 数据手册 - 英文 |
HXR5112A 12通道14Gb/s接收机简表
February 22, 2018
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| 数据手册 - 英文 |
IDT72401 IDT72403 CMOS PARALLEL FIFO 64 x 4
JUNE 2012
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| 数据手册 - 英文 |
9DMU0431 2:4 1.5V PCIe Gen1-2-3时钟多路复用器产品介绍
REVISION A
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| 数据手册 - 英文 |
IDT72V8981 3.3 VOLT TIME SLOT INTERCHANGE DIGITAL SWITCH 128 x 128
AUGUST 2003
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| 数据手册 - 英文 |
ProXO XF Family Evaluation Board User Manual
March 12, 2019
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| 数据手册 - 英文 |
9DBV0431 4-输出1.8V PCIe Gen1-2-3零延迟/扇出缓冲器（ZDB/FOB）数据表
REVISION E
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技术论坛
对于IDT，什么是SRAM器件的IBIS，HSPICE，Verilog和VHDL模型？
查看官方回答 >>
IDT为SRAM器件提供什么版本的Modelsim？
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使用VITAL（FMF使用的样式）对IDT的SRAM器件进行元件建模有什么好处？
查看官方回答 >>
IDT的SRAM 3.3V器件是否能承受5V电压？
查看官方回答 >>
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世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
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应用/方案
IDT世界级SRAM产品
IDT公司提供一系列高速、行业标准SRAM产品，涵盖从16-Kbit到18-Mbit不同密度，同步和异步架构，以及IDT发明的ZBT技术。产品包括异步SRAM、同步突发模式和零总线周转（ZBT）技术，适用于多种市场。资料详细列出了不同型号的SRAM产品，包括密度、总线宽度、核心电压、封装代码、组织结构、I/O电压、访问时间和温度范围等信息。
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【产品】高速1K x 8双端口静态RAM 71V30S/L，可以用作独立的8位双端口SRAM
IDT（Renesas收购）推出的71V30S/71V30L是高速1K x 8双端口静态RAM，可以用作独立的8位双端口SRAM。该器件提供两个独立的端口，具有独立的控制功能，地址和I / O引脚，允许独立，异步地访问存储器中的任何位置。 由/CE控制的自动掉电功能允许每个端口的片上电路进入非常低的待机功耗模式。系列产品使用CMOS高性能技术制造, 通常仅以375mW的功率工作。
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【产品】单片高速、低功耗CMOS双向时钟FIFO存储器IDT72V3612，3.3V电源供电
瑞萨电子公司（Renesas）的全资子公司IDT推出的IDT72V3612采用3.3V电源供电，具有极低的功耗。 该器件是单片高速，低功耗CMOS双向时钟FIFO存储器。 它支持高达83 MHz的时钟频率，并且具有高达8ns的读取访问时间。 FIFO在IDT标准模式下运行。芯片缓冲区数据板上具有两个独立的64x36双端口SRAM。
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【产品】128K/64K/32K x 8位低功耗同步双端口SRAM 709079＼89＼99，工作功耗低至429mW
瑞萨旗下的IDT（艾迪悌）公司公司近期推出了709099、70V9089以及70V9079双端口SRAM产品，这些器件采用CMOS高性能技术制造，具备低功耗优势，功能强大，并且采用业内标准封装，大大降低了用户系统设计的复杂性，为用户提供了高性能、低成本的产品解决方案。
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KEY OPERATION & ELECTROCOMPONENTS PVT LTD
本资料主要介绍了多种电子元器件及其供应商信息。内容涵盖功率MOSFET、晶体管、IC、电压调节器、传感器、比较器、模拟开关、微控制器等。涉及的品牌和公司包括AMS OSRAM、Silicon Labs、Weltrend、Developer Microelectronics、Key Operation & Electrocomponents等。资料还提供了供应商的联系方式和网站链接。
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EMMI在半导体器件失效分析的重要性
失效分析的目的是通过技术手段找出器件失效的根本原因，并推动改进措施的实施，从而提升生产工艺、改善产品质量、提高良率和可靠性。EMMI是在失效分析过程中经常使用的设备之一，它们能够帮助分析人员检测电气故障，并定位失效的具体位置。本文SLKOR来给大家分享EMMI在半导体器件失效分析的重要性。
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【经验】RA6快速设计指南之存储器(1)
RA6 MCU支持4GB的线性地址空间，范围为0000 0000h到FFFF FFFFh，其中包含程序、数据和外部存储器总线。该系列的某些产品包括一个SDRAM控制器，可利用该控制器访问连接到外部存储器总线的SDRAM器件。
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面向高级联网广播、入门级车载信息娱乐系统和数字仪表板应用的32位器件
VF3xxR系列32位器件专为仪表板等应用设计，具备成本优化特性。采用双核(Arm® Cortex®-A5 + Cortex-M4)架构，支持在同一芯片上处理MCU和MPU任务。配备1.5 MB片上SRAM，提供多种封装选项，支持从基础联网广播升级到功能丰富的信息娱乐系统，无需额外DRAM。
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Tsi350™ PCI到PCI桥用户手册
本资料为Tsi350™ PCI-to-PCI Bridge用户手册，主要内容包括Tsi350的功能概述、PCI接口、地址解码、事务排序、错误处理、独占访问、PCI总线仲裁、通用I/O、时钟、PCI电源管理、复位、JTAG模块、信号和引脚分配、电气特性、寄存器以及封装信息。手册详细介绍了Tsi350的架构、数据路径、事务类型、地址解码、事务排序、错误处理机制、独占访问控制、PCI总线仲裁过程、通用I/O功能、时钟管理、电源管理、复位机制、JTAG调试接口、信号定义、电气参数、寄存器配置和封装规格。
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82P33731/33831评估板用户指南
本资料介绍了82P33731/33831评估板的用户指南，包括板的概述、组件、电源设置、输入输出连接器、软件配置和使用方法。资料详细描述了如何通过Timing Commander软件配置和编程板以生成标准频率，以及如何连接板到PC和电源。此外，还提供了板上晶振的安装、默认频率输出、与TimingCommand软件的配置步骤以及如何查看状态信息。
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【产品】基于SRAM设计的可编程逻辑器件Sealion_5k，支持多种配置模式
西安智多晶推出Sealion_5k是基于SRAM设计的可编程逻辑器件，它包含了一个容量2Mbit的片上flash，容量108kbit的EBR，支持多种配置模式、压缩以及加密、加密加压比特流文件。
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【方案】电能质量分析仪优选元器件方案
本方案采用Renesas的32位MCU R5F571MLCDFP，Silicon Labs的数字隔离Si8622EC和SI8642BD，龙尚科技的4G模块U9507C SXNC，Alliance的存储芯片AS7C316098A,SGM的DC/DC SGM6232，京瓷的TFT液晶显示屏TG057QVLGF-G00等优选元件构成，以满足新一代电能质量分析仪的需求。
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