PRODUCT DISCONTINUANCE NOTICE (PDN) SR-10-09
发布时间：
2018-07-31
类型：
产品变更通知及停产信息，PCN通知、停产通告
品牌：
IDT（艾迪悌）
型号：
71256SA12TPGI; 71256SA12PZGI; 71256SA12PZGI8
本产品变更通知（PDN）正式宣布 Integrated Device Technology, Inc.（IDT）旗下三款选择性 SRAM 产品——71256SA12TPGI、71256SA12PZGI 和 71256SA12PZGI8 即将停产。此次停用旨在淘汰较慢速度的产品，转而提供速度更快的替代方案，以适应市场对高性能存储的需求。资料明确指出，客户在转换至等效设备前，必须仔细检查详细规格以确保兼容性，并可通过邮件或联系当地分销商及销售代表获取更多技术细节与过渡支持。针对文中所述 IDT 品牌相关产品，Integrated Device Technology, Inc. 在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该停产通知，用户可通过世强硬创平台获取原厂授权的正品器件，平台支持相关型号单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。同时，平台提供专职 FAE 团队支持选型、设计验证及调试，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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资料平台
| 数据手册 - 英文 |
IDT71256SA CMOS静态RAM 256K（32K x 8位）数据表
NOVEMBER 2014
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品停产通知（PDN）SR-09-01
Rev. 02
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品/工艺变更通知（PCN）
REV. 00
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品/工艺变更通知（PCN）
2-Jan-2016
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品/工艺变更通知单（PCN）A0508-01
REV. 00
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品/工艺变更通知单（PCN）SR-0408-02
REV. 00
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
6116LA15TP产品/工艺变更通知（PCN）
May 25, 2012
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品停产通知（PDN）SR-09-08
Rev.02
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品停产通知（PDN）SR-09-08R1
Rev.02
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
Integrated Device Technology，Inc.6024 Silver Creek Valley Road，San Jose，CA-95138产品/工艺变更通知（PCN）PCN#：A-0605-05
5/24/2006
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品/工艺变更通知单（PCN）PCN#：TB-0504-01
5/2/2005
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| 数据手册 - 英文 |
IDT723612 CMOS SyncBiFIFO™ 64 x 36 x 2
10/21/2013
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品停产通知（PDN）SR-13-01
4/29/2013
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| 产品勘误说明 - 英文 |
IDT71V656xx和IDT71V658xx设备勘误表256K x 36和512K x 18 3.3V同步ZBT TM SRAM
Rev. 1.0
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品停产通知（PDN）SR-07-19
Rev. 01
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品停产通知（PDN）SR-07-20
Rev. 01
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| 测试报告 - 英文 |
PZG28材料成分声明
2009-12-11
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| 测试报告 - 英文 |
PZG28材料成分声明
2009-12-11
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| 商品功能框图 - 英文 |
PSC-4263 AM/AMG 256封装外形17 X 17毫米机身1.00毫米间距PBGA
Rev.01
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| 测试报告 - 英文 |
DMG80材料成分声明
2009-07-02
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| 商品功能框图 - 英文 |
MSC-5806-A CD 6/10载带
Rev.00
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| 数据手册 - 英文 |
IDT8T49N244I Femtock®NG双通用频率转换器
Rev.A
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
IDT82V2041E数据表更改通知
December 9, 2005
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
IDT82P2282产品介绍更改通知
Version 1.0
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| 商品功能框图 - 英文 |
PSC-4730-01 420-PBGA热增强封装外形图
Rev 00
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| 商品功能框图 - 英文 |
PSC-4732-01 10-VFQFPN包装外形图
Rev 01
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| 商品功能框图 - 英文 |
1PSC-4748-02 14-LGA包装外形图
Rev 00
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| 数据手册 - 英文 |
ZSSC3131成本优化开关应用传感器信号调节器数据表
January 25, 2016
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| 数据手册 - 英文 |
F1978 6位75Ω数字步进衰减器5MHz至3GHz产品介绍
Rev O
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技术论坛
对于IDT，什么是SRAM器件的IBIS，HSPICE，Verilog和VHDL模型？
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IDT为SRAM器件提供什么版本的Modelsim？
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使用VITAL（FMF使用的样式）对IDT的SRAM器件进行元件建模有什么好处？
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IDT的SRAM 3.3V器件是否能承受5V电压？
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气体检测仪项目，需要检测甲烷、丙烷、氢气、液化石油气等易燃气体，有合适的固态化学电阻传感器推荐吗？
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世强AI
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应用/方案
【产品】高速1K x 8双端口静态RAM 71V30S/L，可以用作独立的8位双端口SRAM
IDT（Renesas收购）推出的71V30S/71V30L是高速1K x 8双端口静态RAM，可以用作独立的8位双端口SRAM。该器件提供两个独立的端口，具有独立的控制功能，地址和I / O引脚，允许独立，异步地访问存储器中的任何位置。 由/CE控制的自动掉电功能允许每个端口的片上电路进入非常低的待机功耗模式。系列产品使用CMOS高性能技术制造, 通常仅以375mW的功率工作。
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【产品】单片高速、低功耗CMOS双向时钟FIFO存储器IDT72V3612，3.3V电源供电
瑞萨电子公司（Renesas）的全资子公司IDT推出的IDT72V3612采用3.3V电源供电，具有极低的功耗。 该器件是单片高速，低功耗CMOS双向时钟FIFO存储器。 它支持高达83 MHz的时钟频率，并且具有高达8ns的读取访问时间。 FIFO在IDT标准模式下运行。芯片缓冲区数据板上具有两个独立的64x36双端口SRAM。
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【产品】128K/64K/32K x 8位低功耗同步双端口SRAM 709079＼89＼99，工作功耗低至429mW
瑞萨旗下的IDT（艾迪悌）公司公司近期推出了709099、70V9089以及70V9079双端口SRAM产品，这些器件采用CMOS高性能技术制造，具备低功耗优势，功能强大，并且采用业内标准封装，大大降低了用户系统设计的复杂性，为用户提供了高性能、低成本的产品解决方案。
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KEY OPERATION & ELECTROCOMPONENTS PVT LTD
本资料主要介绍了多种电子元器件及其供应商信息。内容涵盖功率MOSFET、晶体管、IC、电压调节器、传感器、比较器、模拟开关、微控制器等。涉及的品牌和公司包括AMS OSRAM、Silicon Labs、Weltrend、Developer Microelectronics、Key Operation & Electrocomponents等。资料还提供了供应商的联系方式和网站链接。
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EMMI在半导体器件失效分析的重要性
失效分析的目的是通过技术手段找出器件失效的根本原因，并推动改进措施的实施，从而提升生产工艺、改善产品质量、提高良率和可靠性。EMMI是在失效分析过程中经常使用的设备之一，它们能够帮助分析人员检测电气故障，并定位失效的具体位置。本文SLKOR来给大家分享EMMI在半导体器件失效分析的重要性。
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【经验】RA6快速设计指南之存储器(1)
RA6 MCU支持4GB的线性地址空间，范围为0000 0000h到FFFF FFFFh，其中包含程序、数据和外部存储器总线。该系列的某些产品包括一个SDRAM控制器，可利用该控制器访问连接到外部存储器总线的SDRAM器件。
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面向高级联网广播、入门级车载信息娱乐系统和数字仪表板应用的32位器件
VF3xxR系列32位器件专为仪表板等应用设计，具备成本优化特性。采用双核(Arm® Cortex®-A5 + Cortex-M4)架构，支持在同一芯片上处理MCU和MPU任务。配备1.5 MB片上SRAM，提供多种封装选项，支持从基础联网广播升级到功能丰富的信息娱乐系统，无需额外DRAM。
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【产品】基于SRAM设计的可编程逻辑器件Sealion_5k，支持多种配置模式
西安智多晶推出Sealion_5k是基于SRAM设计的可编程逻辑器件，它包含了一个容量2Mbit的片上flash，容量108kbit的EBR，支持多种配置模式、压缩以及加密、加密加压比特流文件。
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82P2828/2821/2816/2521/2808高密度阻抗补偿刘氏全内阻抗模式应用说明
本资料为IDT应用笔记AN-524，主要讨论了在高密度LIU（线路单元）的完全内部阻抗匹配模式下，如何通过调整参考电阻值来补偿外部引入的额外阻抗，以优化接收/传输回波损耗和脉冲形状。资料详细介绍了不同阻抗匹配方案的影响，以及如何通过选择合适的参考电阻值来调整阻抗匹配，以达到最佳性能。
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IDT的PES12T3G2和PES16T4G2 PCI Express®交换机的热特性
本资料为IDT应用笔记AN-548，主要针对PCI Express开关PES12T3G2和PES16T4G2的热特性进行了详细说明。内容包括热参数定义、热阻计算公式、热性能数据表格、散热器需求分析等，旨在帮助设计者了解和评估这两种开关的热管理需求。
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使用IDT7052/7054四端口™ sram在DSP和矩阵处理中的应用
本文介绍了IDT7052/7054 FourPort™ SRAM在数字信号处理（DSP）和矩阵运算中的应用。通过使用IDT7052，可以简化高速流水线FFT处理器的设计，并提高矩阵乘法引擎的性能。文章详细阐述了如何利用IDT7052实现FFT算法和矩阵乘法，并比较了使用传统SRAM和IDT7052的优缺点。
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ZSC31150评估套件说明手册
本资料详细介绍了IDT的ZSC31150传感器信号调理IC的评估套件，包括硬件和软件的安装、配置和使用。套件包含通信板、评估板和校准软件，用于传感器模块评估、实验室设置和模块校准开发。软件支持多种配置和操作模式，包括接口选择、ZSC31150配置、模拟前端调整、温度传感器选择、ADC设置和应用设置等。此外，还提供了数据读取、校准演示和命令发送等功能。
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【方案】电能质量分析仪优选元器件方案
本方案采用Renesas的32位MCU R5F571MLCDFP，Silicon Labs的数字隔离Si8622EC和SI8642BD，龙尚科技的4G模块U9507C SXNC，Alliance的存储芯片AS7C316098A,SGM的DC/DC SGM6232，京瓷的TFT液晶显示屏TG057QVLGF-G00等优选元件构成，以满足新一代电能质量分析仪的需求。
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【产品】48-FPBGA封装的8Mbit 伪SRAM ，使用DRAM型存储单元
Alliance公司推出的AS1C512K16PL-70BIN是8Mbit的伪SRAM，它使用DRAM型存储单元，但该器件具有无刷新操作和极低功耗技术。 此外，接口与低功耗异步型SRAM兼容。 AS1C512K16PL-70BIN的组织为512k word x 16bit。
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SyncFIFOs（时钟FIFOS）应用说明的宽度扩展
本文介绍了IDT公司SyncFIFOs（时钟FIFOs）的宽度扩展设计。主要内容包括：SyncFIFOs的优势、宽度扩展的设计考虑、偏斜时序问题及解决方案、其他相关标志的处理等。文章详细讨论了如何通过合理设计来确保数据传输的准确性和效率。
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与IDT FIFOs应用程序匹配的总线说明
本文档为IDT应用笔记AN-265，主要介绍了SuperSync II系列FIFO的Bus Matching功能。该功能旨在消除外部MUX，适用于无奇偶校验数据传递到FIFO的应用。文档详细阐述了如何将外部字节导向总线映射到9位导向的FIFO，包括32位输入到8位输出、32位输入到16位输出、32位输入到32位输出等不同配置下的映射方法。此外，还讨论了读写操作、状态标志、奇偶校验模式以及偏移寄存器编程等关键问题。
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