PRODUCT DISCONTINUANCE NOTICE (PDN) SR-10-06
发布时间：
2018-07-31
类型：
产品变更通知及停产信息，PCN通知、停产通告
品牌：
IDT（艾迪悌）
型号：
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本产品停售通知（PDN）详细阐述了Integrated Device Technology, Inc.（IDT）关于部分SRAM产品的停售计划。该资料明确指出，导致此次产品停售的主要原因在于技术更新迭代、过时工艺淘汰以及生产材料的转换。通知内容不仅涵盖了受影响的具体产品编号，还提供了对应的替代产品编号，旨在帮助用户识别现有库存并规划后续的器件选型与替换方案。此外，文中还列出了客户通知的具体流程及官方联系方式，以便用户在过渡期内及时获取必要的支持与信息。针对文中所述的IDT相关产品，IDT在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该停售通知，用户可通过世强硬创平台获取原厂授权的正品器件，平台支持相关型号的单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。同时，平台配备专职FAE团队，能够为用户提供从选型替代、设计验证到调试的全流程技术支持，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，从而有效缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市进程。
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资料平台
| 数据手册 - 英文 |
IDT71T75602 IDT71T75802 512K x 36，1M x 18 2.5V同步ZBT™ SRAMs 2.5V I/O突发计数器流水线输出数据表
OCTOBER 2017
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品/工艺变更通知单
3/10/2003
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| 产品勘误说明 - 英文 |
勘误表通知71T75702、71T5902、71T75602和71T75802
Revision 00
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| 技术文档 - 英文 |
IDT世界级SRAM产品
REVA
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| 数据手册 - 英文 |
IDT71T75602 IDT71T75802 512K x 36, 1M x 18 2.5V Synchronous ZBT™ SRAMs 2.5V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs
Rev 11
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品停产通知（PDN）PDN#：SR-09-09
31-Jan-2010
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| 数据手册 - 英文 |
512K x 36, 1M x 18 2.5V Synchronous ZBT™ SRAMs 2.5V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs IDT71T75602 IDT71T75802
Rev11
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品停产通知（PDN）PDN#：SR 06-16
December 29, 2006
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品/工艺变更通知（PCN）A0706-04
REV. 00
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品/工艺变更通知（PCN）G-0303-01 4/10/2003 14x20 TQFP 100L封装类型（受影响零件见附件）
REV. 00
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品/工艺变更通知单（PCN）A-0611-02
REV. 00
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品/工艺变更通知单（PCN）PCN#：A1606-02
26-Aug-2016
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品/工艺变更通知单（PCN）A-0607-05
REV. 00
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
A0704-02产品质量产品/工艺变更通知单（PCN）
9/19/2007
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品/工艺变更通知（PCN）A-0506-03所有产品在托盘中装运
REV. 00
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
A-0610-01产品/工艺变更通知单（PCN）
October 9, 2006
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品/工艺变更通知（PCN）A0610-01R2
REV. 00
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
A0610-01R1产品/工艺变更通知单（PCN）
March 2, 2007
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品/工艺变更通知（PCN）A0603-04 TQFP和PQFP产品（见随附的受影响零件清单）
REV. 00
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品/工艺变更通知（PCN）A-0403-03 BGA封装系列
REV. 00
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品/工艺变更通知（PCN）A1309-03
10/22/13
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| 数据手册 - 英文 |
7133SA/LA 7143SA/LA高速2K X 16双端口SRAM产品介绍
AUGUST 2019
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品停产通知（PDN）SR-09-08
Rev.02
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| 数据手册 - 英文 |
IDT7130SA/LA IDT7140SA/LA HIGH SPEED 1K X 8 DUAL-PORT STATIC SRAM
FEBRUARY 2018
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| 数据手册 - 英文 |
IDT7130SA/LA IDT7140SA/LA HIGH SPEED 1K X 8 DUAL-PORT STATIC SRAM
02/13/18
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| 数据手册 - 英文 |
IDT7130SA/LA IDT7140SA/LA HIGH SPEED 1K X 8 DUAL-PORT STATIC SRAM
FEBRUARY 2018
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品停产通知（PDN）SR-10-07
Rev. 02
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| 数据手册 - 英文 |
1M x 18 2.5V Synchronous ZBT™ SRAM 2.5V I/O, Burst Counter Flow-Through Outputs IDT71T75902
Rev.10
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品停产通知（PDN）SR-09-07
Rev. 02
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| 数据手册 - 英文 |
7133SA/LA 7143SA/LA HIGH SPEED2K X 16 DUAL-PORTSRAM
AUGUST 2019
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品停产通知（PDN）SR-10-03
Rev. 02
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| 数据手册 - 英文 |
64K x 32 3.3V Synchronous SRAM Pipelined Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect IDT71V632
FEBRUARY 2017
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品停产通知（PDN）SR-10-10
Rev. 02
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| 数据手册 - 英文 |
IDT71T75902 1M x 18 2.5V同步ZBT™ SRAM 2.5V I/O，突发计数器流经输出数据表
SEPTEMBER 2017
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
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应用/方案
【产品】2.5V高速18兆位同步SRAM IDT71T75602 / IDT71T75802
IDT（Renesas收购）产品IDT71T75602 / IDT71T75802是2.5V高速18,874,368位（18兆位）同步SRAM。 它们旨在消除在读写之间或读写之间切换总线时的死总线周期。 因此，它们被命名为ZBT™或零总线周转。
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IDT世界级SRAM产品
IDT公司提供一系列高速、行业标准SRAM产品，涵盖从16-Kbit到18-Mbit不同密度，同步和异步架构，以及IDT发明的ZBT技术。产品包括异步SRAM、同步突发模式和零总线周转（ZBT）技术，适用于多种市场。资料详细列出了不同型号的SRAM产品，包括密度、总线宽度、核心电压、封装代码、组织结构、I/O电压、访问时间和温度范围等信息。
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【产品】高速8K x 9双端口静态RAM（SRAM）IDT7015，适用于18位或更多位数的存储系统应用
IDT（Renesas收购）推出的IDT7015是一款高速的8K x 9双端口静态RAM（SRAM）。IDT7015设计用于18位或更多位数系统的独立双端口RAM或MASTER/SLAVE双端口RAM的组合。在18位或更广泛的存储系统应用中使用IDT MASTER/SLAVE双端口RAM方法可实现全速、无误的操作，而无需其他离散逻辑。
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IDT未来简介™ SRAM应用说明AN-45
本文介绍了IDT的FourPort™ SRAM技术，包括其架构、工作原理和应用。FourPort™ SRAM具有四个独立端口，适用于多处理器环境，提高系统性能。文章详细解释了SRAM的构建和架构特点，并通过实例说明了其在数字信号处理等领域的应用。此外，还讨论了如何将FourPort™ SRAM与其他处理器连接，以及其在系统设计中的多种应用场景。
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AN-204零回退（ZBT）sram与迟写sram的比较
本文对比了零总线周转（ZBT）SRAM和晚写SRAM的性能差异。ZBT SRAM通过消除总线上的空闲周期，实现了100%的数据总线利用率，而晚写SRAM在读写交替时存在空闲周期，导致总线利用率降低。文章详细比较了两种SRAM的读写时序、时钟边沿使用和数据总线利用率等方面的差异。
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AN-204零回退（ZBT）sram与迟写sram的比较
本文对比了零总线周转（ZBT）SRAM和晚写SRAM的性能差异。ZBT SRAM通过消除总线上的空闲周期，实现了100%的数据总线利用率，而晚写SRAM在读写交替时存在空闲周期，导致总线利用率降低。文章详细比较了两种SRAM的读写时序、时钟边沿使用和数据总线利用率等方面的差异。
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AN-204零回退（ZBT）sram与迟写sram的比较
本文对比了零总线周转（ZBT）SRAM和晚写SRAM的性能差异。ZBT SRAM通过消除总线上的空闲周期，实现了100%的数据总线利用率，而晚写SRAM在读写交替时存在空闲周期，导致总线利用率降低。文章详细比较了两种SRAM的读写时序、时钟边沿使用和数据总线利用率等方面的差异。
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AN-204零回退（ZBT）sram与迟写sram的比较
本文对比了零总线周转（ZBT）SRAM和晚写SRAM的性能差异。ZBT SRAM通过消除总线上的空闲周期，实现了100%的数据总线利用率，而晚写SRAM在读写交替时存在空闲周期，导致总线利用率降低。文章详细比较了两种SRAM的读写时序、时钟边沿使用和数据总线利用率等方面的差异。
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zbtsrams：系统设计问题与总线时序应用简介
本文探讨了ZBT SRAM（零总线周转时间静态随机存储器）的系统设计问题和总线时序。文章介绍了ZBT架构如何提高系统带宽，并分析了传统流水线SRAM在总线周转时的低利用率问题。文章详细解释了总线争用现象，包括其定义、产生原因以及如何通过时序参数tCHZ和tCLZ来避免。此外，文章还讨论了系统效应如时钟偏斜、电感、电容对总线争用的影响，并提供了减少总线争用的方法。最后，文章总结了ZBT SRAM在性能、功耗和可靠性方面的优势。
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零总线掉头（ZBT）SRAMS与延迟写SRAMS的应用比较
本文对比了零总线周转（ZBT）SRAM和晚写SRAM的性能差异。ZBT SRAM通过消除总线上的空闲周期，实现了100%的数据总线利用率，而晚写SRAM在读写交替时存在空闲周期，导致总线利用率降低。文章详细比较了两种SRAM的读写时序、时钟边沿使用和数据总线利用率等方面的差异。
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IDT四端口™ SRAM促进多处理器设计应用说明AN-43
IDT FourPort™ SRAM作为高速四端口静态随机存储器，能够显著简化多处理器和多功能算术逻辑单元（ALU）系统的设计，从而加速数字信号处理（DSP）、图形、控制和涉及大量向量处理任务。该SRAM兼具复杂的多总线互连网络和快速“并行”内存的功能，支持四个处理器同时随机访问独立地址，有效减少处理器间握手时间，提高系统性能。此外，其灵活的接口设计使其能够与各种处理器无缝连接，适用于多种嵌入式系统。
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IDT四端口™ SRAM促进多处理器设计应用说明AN-43
IDT FourPort™ SRAM是一种兼具复杂四总线互连网络和快速“并行”内存功能的芯片，可显著简化多处理器和多ALU系统的创建，以加速DSP、图形、控制和涉及大量向量处理任务的任务。该芯片允许四个处理器同时随机异步读取或写入同一SRAM数组中的四个位置，从而提高并行处理能力。此外，它还详细介绍了基于多端口SRAM的多处理器阵列的设计和操作，包括控制协议、负载平衡和与TMS320C2x处理器的硬件接口示例。
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IDT四端口™ SRAM促进多处理器设计应用说明AN-43
IDT FourPort™ SRAM作为高速四端口静态随机存储器，能够同时支持四个处理器对内存的独立访问，有效简化了多处理器和多功能算术逻辑单元（ALU）系统的设计，适用于加速数字信号处理（DSP）、图形处理、控制和涉及大量向量处理任务。该技术通过减少处理器间的数据传输冲突，提高了多处理器系统的性能，并支持灵活的软件控制策略，适用于各种计算密集型任务。
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零总线掉头（ZBT）sram与延迟写sram的比较
本文对比了零总线周转（ZBT）SRAM和晚写SRAM的性能差异。ZBT SRAM通过消除总线上的空闲周期，实现了100%的数据总线利用率，而晚写SRAM在读写交替时存在空闲周期，导致总线利用率降低。文章详细比较了两种SRAM的读写时序、时钟边沿使用和数据总线利用率等方面的差异。
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零回退（ZBT）sram与迟写sram AN-204的比较
本文对比了零总线周转（ZBT）SRAM和晚写SRAM的性能差异。ZBT SRAM通过消除总线上的空闲周期，实现了读写操作的100%总线利用率。文章详细比较了ZBT SRAM的两种版本（流通过程和流水线）与摩托罗拉晚写SRAM（锁存和寄存器类型）的性能特点，指出了晚写SRAM在读写操作中存在的效率问题。
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【产品】128K/64K/32K x 8位低功耗同步双端口SRAM 709079＼89＼99，工作功耗低至429mW
瑞萨旗下的IDT（艾迪悌）公司公司近期推出了709099、70V9089以及70V9079双端口SRAM产品，这些器件采用CMOS高性能技术制造，具备低功耗优势，功能强大，并且采用业内标准封装，大大降低了用户系统设计的复杂性，为用户提供了高性能、低成本的产品解决方案。
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