PRODUCT DISCONTINUANCE NOTICE (PDN) SR-10-10
发布时间：
2018-07-31
类型：
产品变更通知及停产信息，PCN通知、停产通告
品牌：
IDT（艾迪悌）
型号：
71V2576S133PFG; 71V2576S133PFG8; 71V2576S150PFG; 71V2576S150PFG8
本产品变更通知详细说明了Integrated Device Technology, Inc.（IDT）关于选择性SRAM产品的停售计划。资料明确指出，型号71V2576S133PFG、71V2576S133PFG8、71V2576S150PFG及71V2576S150PFG8将正式停产，停售原因在于原厂将推出速度更快的替代型号。通知建议相关用户在更换等效设备前，务必仔细检查详细规格以确保兼容性，并可通过指定渠道请求更多技术信息。针对文中所述器件，Integrated Device Technology, Inc.在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该停售通知，用户可通过平台获取原厂授权的正品器件，平台支持相关型号的单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，并具备充足的库存以满足需求。同时，平台提供专职FAE团队支持，协助用户进行选型替代、设计验证及调试工作，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市进程。
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资料平台
| 数据手册 - 英文 |
128K X 36, 256K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 2.5V I/O, Pipelined Outputs,Burst Counter, Single Cycle Deselect IDT71V2576S,IDT71V2578S,IDT71V2576SA,IDT71V2578SA
JUNE 2003
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品/工艺变更通知单（PCN）PCN#：SR0105-01
5/14/01
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| 技术文档 - 英文 |
澄清订购零件号术语的通知订购零件号术语更改通知
November 17, 2008
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| 数据手册 - 英文 |
128K X 36, 256K X 183.3V Synchronous SRAMs2.5V I/O, Pipelined Outputs,Burst Counter, Single Cycle Deselect IDT71V2576YS IDT71V2578YS IDT71V2576YSA IDT71V2578YSA
APRIL 2006
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品停产通知（PDN）SR-13-01
4/29/2013
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| 技术文档 - 英文 |
IDT世界级SRAM产品
REVA
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| 数据手册 - 英文 |
IDT71V2556S/XS IDT71V2556SA/XSA 128K x 36 3.3V Synchronous ZBT™ SRAMs 2.5V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs
04/11/11
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| 数据手册 - 英文 |
IDT71V2556S/XS IDT71V2556SA/XSA 128K x 36 3.3V Synchronous ZBT™ SRAMs 2.5V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs
APRIL 2011
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品/工艺变更通知单（PCN）SR-0201-01
REV. 00
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| 数据手册 - 英文 |
IDT71V2546S/XS 128K x 36 3.3V Synchronous ZBT™ SRAM 2.5V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs
04/11/11
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| 数据手册 - 英文 |
IDT71V2546S/XS 128K x 36 3.3V Synchronous ZBT™ SRAM 2.5V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs
04/11/11
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品停产通知（PDN）SR-10-06
Rev. 01
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品停产通知（PDN）PDN#：SR 06-13
December 29, 2006
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| 数据手册 - 英文 |
IDT71V256SA Lower Power 3.3V CMOS Fast SRAM 256K (32K x 8-Bit)
08/18/15
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| 数据手册 - 英文 |
IDT71V256SA Lower Power 3.3V CMOS Fast SRAM 256K (32K x 8-Bit)
AUGUST 2015
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品停产通知（PDN）SR-09-01
Rev. 02
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品/工艺变更通知单（PCN）PCN#：SR0102-04
3/12/01
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| 数据手册 - 英文 |
128K x 36 3.3V Synchronous ZBT™ SRAMs 2.5V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs IDT71V2556S/XS IDT71V2556SA/XSA
APRIL 2011
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品/工艺变更通知（PCN）A0706-04
REV. 00
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| 数据手册 - 英文 |
IDT71V25761YS/S Burst Counter, Single Cycle Deselect
JULY 2014
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品/工艺变更通知单（PCN）SR-0408-02
REV. 00
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| 数据手册 - 英文 |
128K x 36 3.3V同步ZBT™ SRAM 2.5V I/O，突发计数器流水线输出IDT71V2546S/XS
APRIL 2011
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品停产通知（PDN）SR-09-04
Rev. 02
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品/工艺变更通知（PCN）G-0303-01 4/10/2003 14x20 TQFP 100L封装类型（受影响零件见附件）
REV. 00
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| 数据手册 - 英文 |
Lower Power 3.3V CMOS Fast SRAM 256K (32K x 8-Bit) IDT71V256SA
AUGUST 2015
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品停产通知（PDN）SR-08-03R1
REV. 02
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品停产通知（PDN）SR-08-03R1
REV. 02
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| 数据手册 - 英文 |
128K X 36 3.3V同步SRAM 2.5V I/o，流水线输出，突发计数器，单周期取消选择IDT71V25761YS/S
JULY 2014
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
SR-08-03R2产品停产通知单
5-Nov-2008
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品/工艺变更通知单
3/10/2003
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品/工艺变更通知单（PCN）A0508-01
REV. 00
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品/工艺变更通知单（PCN）A-0611-02
REV. 00
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品/工艺变更通知单（PCN）SR-0505-02
REV. 00
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品停产通知（PDN）SR-07-18
Rev. 01
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品/工艺变更通知单（PCN）A0705-02
REV. 00
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品/工艺变更通知单（PCN）A-0607-05
REV. 00
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
A2001-02（R1）选择包装产品变更通知（PCN）将装配位置从台湾OSET转移到台湾Greatek
2/27/2020
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品/工艺变更通知（PCN）A-0403-03 BGA封装系列
REV. 00
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
A0704-02产品质量产品/工艺变更通知单（PCN）
9/19/2007
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品/工艺变更通知（PCN）A1107-01R1
12/5/2011
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世强AI
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应用/方案
IDT世界级SRAM产品
IDT公司提供一系列高速、行业标准SRAM产品，涵盖从16-Kbit到18-Mbit不同密度，同步和异步架构，以及IDT发明的ZBT技术。产品包括异步SRAM、同步突发模式和零总线周转（ZBT）技术，适用于多种市场。资料详细列出了不同型号的SRAM产品，包括密度、总线宽度、核心电压、封装代码、组织结构、I/O电压、访问时间和温度范围等信息。
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【产品】高速8K x 9双端口静态RAM（SRAM）IDT7015，适用于18位或更多位数的存储系统应用
IDT（Renesas收购）推出的IDT7015是一款高速的8K x 9双端口静态RAM（SRAM）。IDT7015设计用于18位或更多位数系统的独立双端口RAM或MASTER/SLAVE双端口RAM的组合。在18位或更广泛的存储系统应用中使用IDT MASTER/SLAVE双端口RAM方法可实现全速、无误的操作，而无需其他离散逻辑。
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AN-204零回退（ZBT）sram与迟写sram的比较
本文对比了零总线周转（ZBT）SRAM和晚写SRAM的性能差异。ZBT SRAM通过消除总线上的空闲周期，实现了100%的数据总线利用率，而晚写SRAM在读写交替时存在空闲周期，导致总线利用率降低。文章详细比较了两种SRAM的读写时序、时钟边沿使用和数据总线利用率等方面的差异。
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AN-204零回退（ZBT）sram与迟写sram的比较
本文对比了零总线周转（ZBT）SRAM和晚写SRAM的性能差异。ZBT SRAM通过消除总线上的空闲周期，实现了100%的数据总线利用率，而晚写SRAM在读写交替时存在空闲周期，导致总线利用率降低。文章详细比较了两种SRAM的读写时序、时钟边沿使用和数据总线利用率等方面的差异。
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AN-204零回退（ZBT）sram与迟写sram的比较
本文对比了零总线周转（ZBT）SRAM和晚写SRAM的性能差异。ZBT SRAM通过消除总线上的空闲周期，实现了100%的数据总线利用率，而晚写SRAM在读写交替时存在空闲周期，导致总线利用率降低。文章详细比较了两种SRAM的读写时序、时钟边沿使用和数据总线利用率等方面的差异。
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AN-204零回退（ZBT）sram与迟写sram的比较
本文对比了零总线周转（ZBT）SRAM和晚写SRAM的性能差异。ZBT SRAM通过消除总线上的空闲周期，实现了100%的数据总线利用率，而晚写SRAM在读写交替时存在空闲周期，导致总线利用率降低。文章详细比较了两种SRAM的读写时序、时钟边沿使用和数据总线利用率等方面的差异。
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zbtsrams：系统设计问题与总线时序应用简介
本文探讨了ZBT SRAM（零总线周转时间静态随机存储器）的系统设计问题和总线时序。文章介绍了ZBT架构如何提高系统带宽，并分析了传统流水线SRAM在总线周转时的低利用率问题。文章详细解释了总线争用现象，包括其定义、产生原因以及如何通过时序参数tCHZ和tCLZ来避免。此外，文章还讨论了系统效应如时钟偏斜、电感、电容对总线争用的影响，并提供了减少总线争用的方法。最后，文章总结了ZBT SRAM在性能、功耗和可靠性方面的优势。
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零总线掉头（ZBT）SRAMS与延迟写SRAMS的应用比较
本文对比了零总线周转（ZBT）SRAM和晚写SRAM的性能差异。ZBT SRAM通过消除总线上的空闲周期，实现了100%的数据总线利用率，而晚写SRAM在读写交替时存在空闲周期，导致总线利用率降低。文章详细比较了两种SRAM的读写时序、时钟边沿使用和数据总线利用率等方面的差异。
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【产品】2.5V高速18兆位同步SRAM IDT71T75602 / IDT71T75802
IDT（Renesas收购）产品IDT71T75602 / IDT71T75802是2.5V高速18,874,368位（18兆位）同步SRAM。 它们旨在消除在读写之间或读写之间切换总线时的死总线周期。 因此，它们被命名为ZBT™或零总线周转。
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【产品】128K/64K/32K x 8位低功耗同步双端口SRAM 709079＼89＼99，工作功耗低至429mW
瑞萨旗下的IDT（艾迪悌）公司公司近期推出了709099、70V9089以及70V9079双端口SRAM产品，这些器件采用CMOS高性能技术制造，具备低功耗优势，功能强大，并且采用业内标准封装，大大降低了用户系统设计的复杂性，为用户提供了高性能、低成本的产品解决方案。
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