Technical Report TR119
发布时间：
2018-07-31
类型：
测试报告，认证报告、性能测试报告
品牌：
INFINEON（英飞凌）
型号：
TR119; BFP450; BFP740
本技术报告详细介绍了基于Infineon Technologies BFP450 NPN硅基射频双极晶体管的低噪声放大器（LNA）在434MHz ISM频段的测量结果。该LNA在434MHz频段下表现出优异的射频性能，提供23.8dB的高增益和3.2dB的低噪声系数，并具备良好的输入与输出匹配特性。在关键线性度指标方面，其反向隔离度达到28.8dB，输入和输出1dB压缩点分别为-9.3dBm和13.5dBm，输入和输出三阶互调点分别为6.8dBm和30.6dBm。此外，测试数据表明该设备在100MHz至10GHz的宽频率范围内具有无条件稳定性，能够满足复杂射频环境下的应用需求。Infineon在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该方案，用户可通过平台获取原厂授权的正品器件，相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请、批量询价及库存充足。平台专职FAE团队提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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| 数据手册 - 英文 |
BFP450线性低噪声硅双极射频晶体管
Revision 1.2
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技术报告TR104
Rev. 1.0
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BF低噪声硅锗双极晶体管P740
Revision 1.1
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技术报告TR103
Rev. 1.0
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第7代射频晶体管易于使用，可实现互补的无线连接
06/2016
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技术报告
Rev. 1.0
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BFP740ESD低噪声硅锗双极射频晶体管
Revision 1.1
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BFP840FESD低噪声放大器为3.4 GH z-3。8千兆赫（频带42/43）
Rev. 1.1
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BFP740F低噪声硅锗双极射频晶体管
Revision 2.0
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材料含量数据表BGT 24MTR11 E6327
29. August 2013
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BFP740FESD低噪声硅锗双极射频晶体管
Revision 1.2
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低功耗60 GHz多普勒雷达传感器，封装内含天线
V2.61
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BGT24LTR11N16硅锗24GHz雷达收发机微波单片集成电路数据表
Revision: 1.3
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采用新一代24GHz雷达的BGT24LTR11超低功耗传感
08 / 2016
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BGT 60UTR11AIP - 60 GHz雷达传感器带天线封装
2025/06/28
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| 技术文档 - 中文 |
第七代射频晶体管 易用的无线信号放大器
2016年06月
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BGT24LTR11N16硅锗24GHz雷达收发机微波单片集成电路
Revision: 1.2
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BGT24LTR11N16硅锗24GHz雷达收发机微波单片集成电路
Revision: 1.1
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BGT24MTR11硅锗24GHz收发微波单片集成电路
Revision 3.1
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BGT24MTR11硅锗24GHz收发微波单片集成电路
Revision 3.1
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BGT24ATR11硅锗24GHz收发微波单片集成电路
Revision 3.0
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汽车用24GHz雷达芯片组系列
11 / 2015
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24GHz工业芯片组应用
11 / 2012
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Sense2Go2 development kit24 GHz sensor development kit utilizing Infineon（英飞凌） XMC4200 32-bit ARM® Cortex®-M4 MCU series
03 / 2016
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
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应用/方案
VCEO之谜或如何使用高工作电压的低VCE0晶体管
本文探讨了低VCEO晶体管在高工作电压下的应用。主要内容包括低VCEO晶体管在移动通信等领域的应用背景，以及其在功率应用和高压应用中的限制。文章通过分析BFP450晶体管的输出特性，说明了在特定应用中如何避免晶体管损坏，并提出了在功率放大器中使用SIEMENS接地发射极晶体管的安全工作电压建议。此外，还讨论了在小型信号应用中如何通过集电极电阻和偏置控制器来优化晶体管性能。
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应用说明031低噪声放大器在1.9GHz提供+14dBm的输入截获点
本资料提供了一份关于1.9 GHz低噪声放大器的应用笔记，详细介绍了使用Infineon SIEGET BFP450组件构建的低噪声放大器的设计和性能。内容包括电路布局、组件列表、测量数据和优化建议，特别强调了高IP3值和低噪声系数。
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使用BFP450的1.9GHz中等功率放大器
本资料为Infineon Technologies AG发布的应用笔记，编号026A，标题为“使用BFP450在1.9 GHz频率下实现中功率放大器”。内容主要包括1.9 GHz中功率放大器的电路设计、组件列表、电路布局和测量数据。资料强调了高OIP3值的重要性，并提供了优化电路的建议。
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应用说明第057号1.9千兆赫低噪声放大器优化高IP3使用BFP540
本资料介绍了基于Infineon Technologies的BFP540晶体管的1.9 GHz低噪声放大器设计，旨在实现高IP3性能。该放大器具有低噪声系数、高增益和良好的线性度，适用于CDMA手机等低成本、电池供电的应用。资料详细描述了电路设计、元件选择、性能参数测量和优化方法，包括如何通过适当的旁路电容和电阻值来提高IP3性能。
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e-Mobility驱动程序
本文介绍了eluminocity、Infineon和Intel®合作开发的智能城市解决方案。该方案通过集成雷达传感器、功率半导体、微控制器和安全芯片，将街灯转变为智能基础设施的一部分。这些智能街灯能够实现数据分析和智能照明控制，提高能源效率，并支持电动汽车充电。此外，该方案还提供基于云的安全数据传输和远程控制功能，以支持智能交通管理和环境监测。
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申请书编号：169 BFP740SiGe:C超5–6 GHz低噪声放大器应用中的低噪声射频晶体管，具有15 dB增益、1.3 dB噪声系数和约100纳秒的开启/关闭时间(
本资料介绍了Infineon Technologies AG的BFP740 SiGe:C超低噪声射频晶体管在5-6 GHz低噪声放大器（LNA）中的应用。该晶体管适用于802.11a和802.11n“MIMO”无线局域网（WLAN）市场，特别是对需要外部LNA的接入点（AP）。资料详细介绍了BFP740的性能数据、PCB构造、SOT343封装尺寸、物料清单（BOM）以及放大器的稳定性、增益、回波损耗和反向隔离等特性。
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应用说明157 BFP450 SIEGET晶体管作为869兆赫功率放大器在报警发送器监视器应用中
本文介绍了使用BFP450 SIEGET晶体管作为869 MHz功率放大器在报警发射机监控应用中的实现。BFP450晶体管在B6HF工艺中表现出低成本的离散单级A类RF功率放大器特性，适用于欧洲报警发射机监控，应用为移动式并使用电池供电。文章详细描述了电路设计、PCB布局、材料清单和性能数据，包括频率范围、直流电流、输出功率、噪声系数、增益等参数。
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Application Note No. 137 Low Cost, 3 Volt, +12.5 dBm 2.33 GHz SDARS Active Antenna 2nd Stage Low Noise Amplifier using the Infineon（英飞凌） BFP640 SiGe Transistor
本资料介绍了使用Infineon BFP640 SiGe晶体管的低成本、3伏、+12.5 dBm 2.33 GHz SDARS主动天线第二级低噪声放大器的设计。该放大器适用于SIRIUS LNA链的第二级，采用标准FR4材料和"0402"封装尺寸的组件。设计在2320-2345 MHz频段内实现了18 dB增益和1.5 dB噪声系数，功耗为14.9 mA @ 3.0伏。放大器在50 MHz至20 GHz范围内无条件稳定，输出1 dB压缩点为+12.5 dBm @ 3 V。
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Application Note No. 145 Low Cost, 3 V, 2.33 GHz Class A SDARS Active Antenna Amplifier Output Stage using the Infineon（英飞凌） BFP450 Transistor
本资料介绍了使用Infineon BFP450晶体管构建的低成本、3V、2.33GHz A类SDARS有源天线放大器输出级的设计。资料详细讨论了BFP450与BFP650的比较，包括增益、输出功率和噪声系数等参数。此外，还提供了PCB布局、电路图、性能数据和稳定性分析等内容。
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Application Note No. 136 Low Cost, 3 Volt, +14 dBm 2.33 GHz SDARS Active Antenna 2nd Stage Low Noise Amplifier using the Infineon（英飞凌） BFP640 SiGe Transistor
本文档介绍了使用Infineon BFP640 SiGe晶体管的低成本、3伏、+14 dBm 2.33 GHz SDARS主动天线第二级低噪声放大器。该放大器适用于SIRIUS LNA链的第二级，采用标准FR4材料和"0402"封装尺寸的组件。该设计在2320-2345 MHz频段内实现了16.8 dB的增益和1.3 dB的噪声系数，功耗为23.6 mA @ 3.0 V。
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Infineon（英飞凌）’s solutions for automatic opening systems
Infineon提供全面的半导体解决方案，针对自动开门系统，涵盖电机控制、电源管理和安全解决方案。产品包括功率半导体、传感器和安全性产品，旨在提高电机能效，确保精确的位置控制，并增强数据通信的安全性。Infineon的雷达解决方案覆盖面积是红外解决方案的16倍。
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双DPAK（DDPAK）封装产品简介
Infineon Technologies推出首款顶侧冷却表面贴装器件（SMD）封装DDPAK，适用于高功率应用，如PC电源、太阳能、服务器和电信。该封装结合了600V CoolMOS™ G7超结（SJ）MOSFET和650V CoolSiC™肖特基二极管G6的高压技术，以及顶侧冷却的创新概念，为高电流硬切换拓扑结构如PFC提供系统解决方案，并为LLC拓扑结构提供高端效率解决方案。DDPAK封装具有内置第四引脚Kelvin源配置和低寄生源电感，可提高效率并实现更高的功率密度。
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Application Note No. 122 Infineon（英飞凌）’s BFP740F Ultra Low Noise RF Transistor in 2.33 GHz SDARS Low Noise Amplifier Application
本资料介绍了Infineon Technologies AG的BFP740F超低噪声射频晶体管在2.33 GHz SDARS低噪声放大器中的应用。详细阐述了该晶体管在卫星数字音频广播服务(SDARS)中的性能，包括噪声系数、增益、线性度等关键参数，并提供了电路图、封装尺寸、噪声系数图表等详细信息。
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应用说明120 1.8 V低噪声放大器，用于1575 MHz GPS应用，使用信号：C BFP740F晶体管
本资料介绍了使用SiGe:C BFP740F晶体管的1.8V低噪声放大器在1575MHz GPS应用中的设计。内容包括BFP740F晶体管在TSFP-4封装中的应用评估，设计目标为增益至少20dB，噪声系数最大0.8dB，输入/输出回波损耗至少10dB，电流小于10mA。详细描述了PCB设计、元件清单、原理图、噪声系数、增益压缩、输入/输出回波损耗等性能参数。
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应用说明AN219 BFP740ESD硬化SiGe:C超低噪声射频晶体管与2kV ESD额定值在5–6GHz低噪声放大器应用。15dB增益，1.3dB噪声系数&<100ns开启/
本资料介绍了Infineon Technologies AG生产的BFP740ESD SiGe:C超低噪声射频晶体管，适用于5-6GHz频段的无线局域网（WLAN）应用，特别是802.11a和802.11n“MIMO”应用。该晶体管具有2kV的ESD耐压能力，内部集成了ESD保护结构。资料详细介绍了BFP740ESD的电气特性、典型测量结果、电路图、物料清单、PCB构造细节和封装信息。
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BFP740ESD应用说明AN295版本：版次。1.0 2012-11-30无线局域网2.4GHz应用低噪声放大器
本资料为Infineon Technologies AG发布的应用笔记，介绍了BFP740ESD低噪声放大器在2.4GHz无线局域网应用中的性能和设计。内容包括BFP740ESD的电气特性、应用电路设计、典型测量结果以及评估板信息。资料重点阐述了BFP740ESD在2.4GHz频段的高增益和低噪声性能，适用于802.11 b/g/n无线局域网标准。
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应用说明117号低噪声放大器（LNA），用于1575 MHz（GPS）应用，使用超低噪声信号：C BFP740F晶体管
本资料介绍了使用Infineon Technologies的BFP740F晶体管设计的一款1575 MHz（GPS）应用的低噪声放大器（LNA）。该LNA采用TSFP-4封装，具有低噪声、高增益和良好的稳定性。设计目标包括最小增益17 dB、最大噪声系数0.8 dB、输入/输出回波损耗10 dB或更好，电流小于8 mA。LNA在5 MHz至6 GHz范围内无条件稳定，PCB面积小于40 mm²，元件数量为12个。该LNA在1575 MHz频率下实现了约20 dB的增益和0.67 dB的噪声系数。
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洗衣智能洗衣机使用案例
随着洗衣机成为人们生活中不可或缺的家电，消费者对高效、节能、功能丰富的产品需求日益增长。智能洗衣机通过远程控制、节能设计、智能传感等技术，提高了使用便利性和环保性。Infineon提供了一系列半导体技术，包括功率管理、传感、控制和高压半导体技术，以支持现代洗衣机的开发，并确保设计的安全性。此外，Infineon的解决方案还包括智能预测维护和智能安全功能，以提升洗衣机的可靠性和能源效率。
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使用Infineon HSM合作伙伴用例保护V2X通信
本文介绍了Infineon安全合作伙伴网络中Savari与Infineon合作，利用Infineon的HSMSLI 97产品确保V2X通信安全。文章详细阐述了V2X通信的安全需求，包括身份验证、消息完整性和隐私保护。同时，介绍了Savari如何将Infineon的嵌入式安全元件（eSE）集成到其OBE和RSE设备中，以及该解决方案的软件架构和主要优势。此外，文章还强调了Infineon安全合作伙伴网络在提供安全解决方案方面的作用。
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基于硬件的安全设备的安全配置服务合作伙伴用例
Infineon Security Partner Network介绍了Arrow Electronics提供的基于硬件的安全设备安全配置服务，如OPTIGA™ Trust X。这些服务使所有销售和需求概况的客户都能充分利用基于硅的安全功能。服务包括建立安全的信任链、安全开发生命周期、云设备管理和网络安全。Arrow Electronics提供基于高度安全可靠的信任链的安全编程和配置技术，包括与领先全球证书机构的合作、客户知识产权和安全凭证的安全传输、先进的编程平台、可选的证书生命周期管理服务和云即时注册支持。这些服务旨在保护设备免受克隆，保护用户体验和品牌，并允许制造商控制设备数量。
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应用说明118 BFP740F超低噪声硅锗晶体管作为5-6 GHz低噪声放大器（LNA）
本文介绍了Infineon Technologies AG发布的关于BFP740F硅锗晶体管的5-6 GHz低噪声放大器（LNA）应用笔记。该应用笔记详细阐述了BFP740F晶体管在5-6 GHz频段的应用，包括其性能参数、电路设计、PCB布局和测试结果。文中提供了BFP740F晶体管在5-6 GHz频段的增益、噪声系数、输入输出回波损耗等关键参数，并分析了晶体管在不同频率下的性能表现。此外，还讨论了LNA设计的优化方向和进一步的工作要求。
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申请书编号：168 BFP740FSiGe:C超5–6 GHz低噪声放大器应用中的低噪声射频晶体管，具有16 dB增益、1.3 dB噪声系数和1微秒开启/关闭时间（Fo
本资料介绍了Infineon Technologies AG的BFP740F SiGe:C超低噪声射频晶体管在5-6 GHz LNA应用中的性能。该晶体管适用于802.11a和802.11n“MIMO”无线局域网应用，具有16 dB增益、1.3 dB噪声系数和1微秒的开关时间。资料详细描述了电路设计、性能数据、PCB构造、封装尺寸、物料清单和测试结果。
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申请书编号：171 BFP740FSiGe:C超2.4–2.5 GHz低噪声放大器应用中的低噪声射频晶体管，具有17 dB增益、0.7 dB噪声系数和<1微秒的开启/关闭时间
本资料介绍了Infineon Technologies AG的BFP740F SiGe:C超低噪声射频晶体管在2.4-2.5 GHz LNA应用中的性能，包括17 dB增益、0.7 dB噪声系数和小于1微秒的开关时间。资料详细描述了该晶体管在802.11b/g和802.11n“MIMO”无线局域网应用中的电路设计，包括PCB构造、元件清单、性能数据、稳定性分析、增益压缩点测量、三阶截距测量和开关时间测量等内容。
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应用说明AN220 BFP740FESD ESD硬化SiGe:C超低噪声射频晶体管与2kV ESD额定值在5–6GHz低噪声放大器应用。17dB增益，1.4dB噪声系数&<100ns开启/
本资料介绍了Infineon Technologies AG生产的BFP740FESD SiGe:C超低噪声射频晶体管，适用于5-6GHz无线局域网（WLAN）应用，特别是802.11a和802.11n“MIMO”应用。BFP740FESD具有内部ESD保护结构，ESD生存电压为2000伏，适用于各种低噪声放大器（LNA）应用。资料详细描述了BFP740FESD的电气特性、典型测量结果、电路图、物料清单、PCB构造细节、ESD保护等内容。
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应用说明AN189 BFP740FESD双频低噪声放大器，用于WiMAX/WLAN 2.3-2.7GHz和5-6GHz应用
本资料介绍了Infineon Technologies AG的BFP740FESD双频段低噪声放大器（LNA）的应用。该LNA适用于WiMAX/WLAN 2.3-2.7GHz和5-6GHz频段的应用，具有高可靠性、高增益和低噪声特性。资料详细描述了BFP740FESD的特性和应用，包括电路图、性能参数和测量结果。
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