Technical Report TR104
发布时间：
2018-07-31
类型：
测试报告，认证报告、性能测试报告
品牌：
INFINEON（英飞凌）
型号：
TR104; BFP740
本技术报告详细介绍了英飞凌科技BFP740硅锗射频双极晶体管在3.5GHz WiMax应用中作为低噪声放大器的性能表现。该器件在3.3GHz至3.7GHz频段内可提供15dB的增益，噪声系数低至0.95dB，并在200MHz至20GHz的宽频段内保持无条件稳定性。报告显示，该放大器具备良好的输入输出匹配特性，回波损耗分别达到10dB和11.5dB，同时文中还附带了详细的电路图、物料清单及测量图形，为工程设计提供了参考依据。英飞凌在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该方案，用户可通过平台获取原厂授权的正品器件，相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。平台专职FAE团队可提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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| 数据手册 - 英文 |
BF低噪声硅锗双极晶体管P740
Revision 1.1
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| 测试报告 - 英文 |
技术报告TR103
Rev. 1.0
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| 数据手册 - 英文 |
第7代射频晶体管易于使用，可实现互补的无线连接
06/2016
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| 测试报告 - 英文 |
技术报告TR119
Rev. 1.0
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| 数据手册 - 英文 |
BFP740ESD低噪声硅锗双极射频晶体管
Revision 1.1
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| 测试报告 - 英文 |
技术报告
Rev. 1.0
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| 数据手册 - 英文 |
BFP740F低噪声硅锗双极射频晶体管
Revision 2.0
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| 测试报告 - 英文 |
技术报告TR102
Rev. 1.2
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| 技术文档 - 中文 |
第七代射频晶体管 易用的无线信号放大器
2016年06月
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| 数据手册 - 英文 |
BFP740FESD低噪声硅锗双极射频晶体管
Revision 1.2
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
IRHMS597Z60电气特性产品变更通知单
June 6, 2019
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
IRF054电气特性产品变更通知单
April 30, 2019
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| 技术文档 - 英文 |
SCU系统控制单元
V1.0
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| 技术文档 - 英文 |
IRHSLNA57064，见特性产品变更通知
April 10, 2019
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| 数据手册 - 英文 |
XDPL8221数字PFC+反激控制器XDP™数字电源数据表
Revision 1.1
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| 数据手册 - 英文 |
TLF50281ELV50 2.2 MHz降压调节器500毫安，5伏，低静态电流数据表
Rev. 1.1
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| 数据手册 - 英文 |
技术信息FS50R12W2T4\U B11
revision: 2.1
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技术信息FS75R12W2T4
revision: 2.3
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技术信息FS200R12KT4R
revision: 2.0
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| 数据手册 - 英文 |
技术信息FS200R12PT4
revision: 2.2
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
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应用/方案
申请书编号：169 BFP740SiGe:C超5–6 GHz低噪声放大器应用中的低噪声射频晶体管，具有15 dB增益、1.3 dB噪声系数和约100纳秒的开启/关闭时间(
本资料介绍了Infineon Technologies AG的BFP740 SiGe:C超低噪声射频晶体管在5-6 GHz低噪声放大器（LNA）中的应用。该晶体管适用于802.11a和802.11n“MIMO”无线局域网（WLAN）市场，特别是对需要外部LNA的接入点（AP）。资料详细介绍了BFP740的性能数据、PCB构造、SOT343封装尺寸、物料清单（BOM）以及放大器的稳定性、增益、回波损耗和反向隔离等特性。
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Application Note No. 136 Low Cost, 3 Volt, +14 dBm 2.33 GHz SDARS Active Antenna 2nd Stage Low Noise Amplifier using the Infineon（英飞凌） BFP640 SiGe Transistor
本文档介绍了使用Infineon BFP640 SiGe晶体管的低成本、3伏、+14 dBm 2.33 GHz SDARS主动天线第二级低噪声放大器。该放大器适用于SIRIUS LNA链的第二级，采用标准FR4材料和"0402"封装尺寸的组件。该设计在2320-2345 MHz频段内实现了16.8 dB的增益和1.3 dB的噪声系数，功耗为23.6 mA @ 3.0 V。
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Application Note No. 137 Low Cost, 3 Volt, +12.5 dBm 2.33 GHz SDARS Active Antenna 2nd Stage Low Noise Amplifier using the Infineon（英飞凌） BFP640 SiGe Transistor
本资料介绍了使用Infineon BFP640 SiGe晶体管的低成本、3伏、+12.5 dBm 2.33 GHz SDARS主动天线第二级低噪声放大器的设计。该放大器适用于SIRIUS LNA链的第二级，采用标准FR4材料和"0402"封装尺寸的组件。设计在2320-2345 MHz频段内实现了18 dB增益和1.5 dB噪声系数，功耗为14.9 mA @ 3.0伏。放大器在50 MHz至20 GHz范围内无条件稳定，输出1 dB压缩点为+12.5 dBm @ 3 V。
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双DPAK（DDPAK）封装产品简介
Infineon Technologies推出首款顶侧冷却表面贴装器件（SMD）封装DDPAK，适用于高功率应用，如PC电源、太阳能、服务器和电信。该封装结合了600V CoolMOS™ G7超结（SJ）MOSFET和650V CoolSiC™肖特基二极管G6的高压技术，以及顶侧冷却的创新概念，为高电流硬切换拓扑结构如PFC提供系统解决方案，并为LLC拓扑结构提供高端效率解决方案。DDPAK封装具有内置第四引脚Kelvin源配置和低寄生源电感，可提高效率并实现更高的功率密度。
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洗衣智能洗衣机使用案例
随着洗衣机成为人们生活中不可或缺的家电，消费者对高效、节能、功能丰富的产品需求日益增长。智能洗衣机通过远程控制、节能设计、智能传感等技术，提高了使用便利性和环保性。Infineon提供了一系列半导体技术，包括功率管理、传感、控制和高压半导体技术，以支持现代洗衣机的开发，并确保设计的安全性。此外，Infineon的解决方案还包括智能预测维护和智能安全功能，以提升洗衣机的可靠性和能源效率。
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Application Note No. 122 Infineon（英飞凌）’s BFP740F Ultra Low Noise RF Transistor in 2.33 GHz SDARS Low Noise Amplifier Application
本资料介绍了Infineon Technologies AG的BFP740F超低噪声射频晶体管在2.33 GHz SDARS低噪声放大器中的应用。详细阐述了该晶体管在卫星数字音频广播服务(SDARS)中的性能，包括噪声系数、增益、线性度等关键参数，并提供了电路图、封装尺寸、噪声系数图表等详细信息。
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应用说明120 1.8 V低噪声放大器，用于1575 MHz GPS应用，使用信号：C BFP740F晶体管
本资料介绍了使用SiGe:C BFP740F晶体管的1.8V低噪声放大器在1575MHz GPS应用中的设计。内容包括BFP740F晶体管在TSFP-4封装中的应用评估，设计目标为增益至少20dB，噪声系数最大0.8dB，输入/输出回波损耗至少10dB，电流小于10mA。详细描述了PCB设计、元件清单、原理图、噪声系数、增益压缩、输入/输出回波损耗等性能参数。
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申请书编号：168 BFP740FSiGe:C超5–6 GHz低噪声放大器应用中的低噪声射频晶体管，具有16 dB增益、1.3 dB噪声系数和1微秒开启/关闭时间（Fo
本资料介绍了Infineon Technologies AG的BFP740F SiGe:C超低噪声射频晶体管在5-6 GHz LNA应用中的性能。该晶体管适用于802.11a和802.11n“MIMO”无线局域网应用，具有16 dB增益、1.3 dB噪声系数和1微秒的开关时间。资料详细描述了电路设计、性能数据、PCB构造、封装尺寸、物料清单和测试结果。
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应用说明118 BFP740F超低噪声硅锗晶体管作为5-6 GHz低噪声放大器（LNA）
本文介绍了Infineon Technologies AG发布的关于BFP740F硅锗晶体管的5-6 GHz低噪声放大器（LNA）应用笔记。该应用笔记详细阐述了BFP740F晶体管在5-6 GHz频段的应用，包括其性能参数、电路设计、PCB布局和测试结果。文中提供了BFP740F晶体管在5-6 GHz频段的增益、噪声系数、输入输出回波损耗等关键参数，并分析了晶体管在不同频率下的性能表现。此外，还讨论了LNA设计的优化方向和进一步的工作要求。
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申请书编号：171 BFP740FSiGe:C超2.4–2.5 GHz低噪声放大器应用中的低噪声射频晶体管，具有17 dB增益、0.7 dB噪声系数和<1微秒的开启/关闭时间
本资料介绍了Infineon Technologies AG的BFP740F SiGe:C超低噪声射频晶体管在2.4-2.5 GHz LNA应用中的性能，包括17 dB增益、0.7 dB噪声系数和小于1微秒的开关时间。资料详细描述了该晶体管在802.11b/g和802.11n“MIMO”无线局域网应用中的电路设计，包括PCB构造、元件清单、性能数据、稳定性分析、增益压缩点测量、三阶截距测量和开关时间测量等内容。
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应用说明AN219 BFP740ESD硬化SiGe:C超低噪声射频晶体管与2kV ESD额定值在5–6GHz低噪声放大器应用。15dB增益，1.3dB噪声系数&<100ns开启/
本资料介绍了Infineon Technologies AG生产的BFP740ESD SiGe:C超低噪声射频晶体管，适用于5-6GHz频段的无线局域网（WLAN）应用，特别是802.11a和802.11n“MIMO”应用。该晶体管具有2kV的ESD耐压能力，内部集成了ESD保护结构。资料详细介绍了BFP740ESD的电气特性、典型测量结果、电路图、物料清单、PCB构造细节和封装信息。
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BFP740ESD应用说明AN295版本：版次。1.0 2012-11-30无线局域网2.4GHz应用低噪声放大器
本资料为Infineon Technologies AG发布的应用笔记，介绍了BFP740ESD低噪声放大器在2.4GHz无线局域网应用中的性能和设计。内容包括BFP740ESD的电气特性、应用电路设计、典型测量结果以及评估板信息。资料重点阐述了BFP740ESD在2.4GHz频段的高增益和低噪声性能，适用于802.11 b/g/n无线局域网标准。
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应用说明117号低噪声放大器（LNA），用于1575 MHz（GPS）应用，使用超低噪声信号：C BFP740F晶体管
本资料介绍了使用Infineon Technologies的BFP740F晶体管设计的一款1575 MHz（GPS）应用的低噪声放大器（LNA）。该LNA采用TSFP-4封装，具有低噪声、高增益和良好的稳定性。设计目标包括最小增益17 dB、最大噪声系数0.8 dB、输入/输出回波损耗10 dB或更好，电流小于8 mA。LNA在5 MHz至6 GHz范围内无条件稳定，PCB面积小于40 mm²，元件数量为12个。该LNA在1575 MHz频率下实现了约20 dB的增益和0.67 dB的噪声系数。
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应用说明AN189 BFP740FESD双频低噪声放大器，用于WiMAX/WLAN 2.3-2.7GHz和5-6GHz应用
本资料介绍了Infineon Technologies AG的BFP740FESD双频段低噪声放大器（LNA）的应用。该LNA适用于WiMAX/WLAN 2.3-2.7GHz和5-6GHz频段的应用，具有高可靠性、高增益和低噪声特性。资料详细描述了BFP740FESD的特性和应用，包括电路图、性能参数和测量结果。
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ESD健壮的BFP740FESD 2.3~2.7GHz WiFi/WiMAX低噪声放大器应用
本资料为Infineon Technologies AG发布的应用笔记AN217，主要介绍了BFP740FESD射频双极性晶体管在2.3至2.7GHz Wi-Fi/WiMAX应用中的性能。资料详细阐述了BFP740FESD的电路设计、典型测量结果、评估板和布局信息，并讨论了静电放电（ESD）保护的重要性。资料还提供了BFP740FESD的电气特性、测量图形以及ESD保护方案。
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应用说明AN220 BFP740FESD ESD硬化SiGe:C超低噪声射频晶体管与2kV ESD额定值在5–6GHz低噪声放大器应用。17dB增益，1.4dB噪声系数&<100ns开启/
本资料介绍了Infineon Technologies AG生产的BFP740FESD SiGe:C超低噪声射频晶体管，适用于5-6GHz无线局域网（WLAN）应用，特别是802.11a和802.11n“MIMO”应用。BFP740FESD具有内部ESD保护结构，ESD生存电压为2000伏，适用于各种低噪声放大器（LNA）应用。资料详细描述了BFP740FESD的电气特性、典型测量结果、电路图、物料清单、PCB构造细节、ESD保护等内容。
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使用Infineon HSM合作伙伴用例保护V2X通信
本文介绍了Infineon安全合作伙伴网络中Savari与Infineon合作，利用Infineon的HSMSLI 97产品确保V2X通信安全。文章详细阐述了V2X通信的安全需求，包括身份验证、消息完整性和隐私保护。同时，介绍了Savari如何将Infineon的嵌入式安全元件（eSE）集成到其OBE和RSE设备中，以及该解决方案的软件架构和主要优势。此外，文章还强调了Infineon安全合作伙伴网络在提供安全解决方案方面的作用。
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基于硬件的安全设备的安全配置服务合作伙伴用例
Infineon Security Partner Network介绍了Arrow Electronics提供的基于硬件的安全设备安全配置服务，如OPTIGA™ Trust X。这些服务使所有销售和需求概况的客户都能充分利用基于硅的安全功能。服务包括建立安全的信任链、安全开发生命周期、云设备管理和网络安全。Arrow Electronics提供基于高度安全可靠的信任链的安全编程和配置技术，包括与领先全球证书机构的合作、客户知识产权和安全凭证的安全传输、先进的编程平台、可选的证书生命周期管理服务和云即时注册支持。这些服务旨在保护设备免受克隆，保护用户体验和品牌，并允许制造商控制设备数量。
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用于GSM900蜂窝中继器应用的驱动放大器BFQ790
本应用笔记介绍了Infineon公司BFQ790中功率SiGe双极型晶体管作为驱动放大器的电路设计，适用于GSM900（蜂窝中继器）应用。BFQ790是一款单级驱动放大器，提供高线性和高增益。在915 MHz的测量中，实现了以下关键性能参数：增益为20 dB，输入回波损耗为11 dB，输出回波损耗为10 dB，输出1 dB压缩点为27 dBm，输出IP3为38.7 dBm。笔记中还提供了测量图表、评估板和布局信息。
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24GHz雷达测速仪应用说明
本应用笔记旨在指导用户构建一款基于24GHz雷达的速度监测器。该监测器结合了Infineon的Sense2GoL 24GHz雷达评估板和XMC2Go微控制器。内容涵盖了激光切割、显示组装、硬件组装、系统设置、电气连接和软件编程等步骤，详细介绍了如何将各个组件连接和配置，以实现速度监测功能。
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IPOSIM入门指南
本指南介绍了Infineon的IPOSIM在线仿真工具，用于功率模块和盘片的热仿真。指南包括注册myInfineon账户、选择拓扑、输入参数、选择器件、设置应用参数、启动仿真和下载结果等步骤。此外，还提供了文档和视频教程，帮助用户逐步学习和使用IPOSIM。
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支付卡技术非卡制造专家指南
本文探讨了支付卡技术的发展，特别是双界面卡技术的应用。文章介绍了双界面卡的优势，包括提高交易速度、兼容移动支付和拓展应用场景。同时，文章详细分析了双界面卡的技术实现，包括天线设计、模块连接和认证过程。最后，文章强调了选择合适技术的重要性，并推荐了基于感应耦合的“线圈模块”技术作为最佳选择。
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在线设计和仿真工具 入门指南
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汽车配电应用中的继电器更换说明
本文旨在深入理解汽车应用中的半导体功率分配。首先介绍了智能开关的关键特性，然后详细比较了智能开关与电磁继电器之间的差异。内容包括智能开关的定义、MOSFET的介绍、智能开关与继电器的比较，包括控制极性、电压限制和导通电阻等方面。
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Infineon工具箱入门指南
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EVAL-2EDL23N06PJ EiceDRIVER™ 高压栅极驱动IC 评估板 应用说明
本资料为英飞凌科技股份公司发布的EiceDRIVER™高压栅极驱动IC评估板EVAL-2EDL23N06PJ的应用说明。内容包括设计特性、电气特性、板设计详情等，旨在展示该驱动器芯片在谐振零电压开启半桥应用中的功能和特性。资料详细介绍了板规格、管脚分配、电源电压、欠压闭锁、短路检测、电流放大器、死区时间和互锁功能、COOLMOS™开启/关闭、输入PWM信号、直流链电容器、非重复性单脉冲测量的感性负载连接以及谐振操作示例等。
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适用于MA120XX（P）应用的EMC输出滤波器建议说明
本资料针对Merus Audio的MA12040、MA12040P、MA12070和MA12070P音频放大器，提供了EMC输出滤波器推荐。内容包括滤波器类型（铁氧体滤波器和LC滤波器）的选择、滤波器组件的讨论以及辐射发射测量结果。资料旨在帮助音频放大器设计工程师通过EMC测试，并提供了不同应用场景下的滤波器方案和测量数据。
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MERUS用户手册™评估委员会
本手册为MERUS™音频放大器评估板MA12040/MA12040P/MA12070/MA12070P的用户手册。该评估板用于评估和演示多级放大器的关键特性和优势，包括能效、自适应电源管理系统、无输出滤波器组件、音频性能等。手册详细介绍了评估板的设置、操作、测量方法和电路图。
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申请说明AN-1086
本文探讨了IR公司600V Depletion Stop Trench IGBT的性能提升，包括传导和开关性能。文章分析了超薄晶圆技术在提高NPT IGBT性能中的作用，并讨论了超薄晶圆Depletion Stop技术如何提高效率并保持平滑的关断特性。此外，文章还介绍了超薄晶圆DS Trench IGBT在运动控制应用中的性能，以及安全的BV测试方法。
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评估-2EDL23N06PJ EiceDRIVER™ 高压门极驱动集成电路评估板应用说明
本资料为Infineon Technologies AG提供的EiceDRIVER™ Driver IC Evaluation Board（EVAL-2EDL23N06PJ）应用笔记。内容主要介绍了该评估板的特性、设计特点、电气特性、设计细节等。评估板用于展示Infineon COOLMOS™门驱动器2EDL23N06PJ在谐振零电压开通半桥应用中的功能。资料中详细描述了评估板的电路设计、元件布局、电气参数以及测试方法等。
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