Technical Report
发布时间：
2018-07-31
类型：
测试报告，认证报告、性能测试报告
品牌：
INFINEON（英飞凌）
型号：
TR129; BFP740F
该技术报告详细阐述了利用Infineon Technologies的BFP740F晶体管构建5150-5825 MHz无线局域网（WLAN）低噪声放大器（LNA）的设计方案与性能表现。报告深入分析了该器件在WLAN频段内的关键技术指标，包括增益、噪声系数、输入与输出回波损耗、反向隔离度、P1dB以及IP3等，并提供了详尽的测量结果以验证其射频性能。此外，文中还附带了完整的电路图、物料清单及布局信息，为工程师进行电路设计与优化提供了直接参考。Infineon在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该方案，用户可通过平台获取原厂授权的正品器件，相关产品支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。平台专职FAE团队可提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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| 数据手册 - 英文 |
BFP740F低噪声硅锗双极射频晶体管
Revision 2.0
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| 测试报告 - 英文 |
技术报告TR103
Rev. 1.0
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| 数据手册 - 英文 |
BF低噪声硅锗双极晶体管P740
Revision 1.1
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| 测试报告 - 英文 |
技术报告TR104
Rev. 1.0
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| 数据手册 - 英文 |
第7代射频晶体管易于使用，可实现互补的无线连接
06/2016
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| 测试报告 - 英文 |
技术报告TR119
Rev. 1.0
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| 数据手册 - 英文 |
BFP740FESD低噪声硅锗双极射频晶体管
Revision 1.2
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| 测试报告 - 英文 |
技术报告
Rev. 1.0
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| 数据手册 - 英文 |
BFP740ESD低噪声硅锗双极射频晶体管
Revision 1.1
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| 测试报告 - 英文 |
用于2.3至2.7GHz应用的BGB707L7ESD TR122 BGB707L7ESD低噪声放大器
Rev. 1.2
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| 数据手册 - 英文 |
BGT24MTR12硅锗24GHz收发微波单片集成电路
Revision 3.2
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| 测试报告 - 英文 |
材料含量数据表BGT 24MTR12 E6327
29. August 2013
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| 数据手册 - 英文 |
BGT24ATR12硅锗24GHz收发微波单片集成电路
Revision 3.1
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| 数据手册 - 英文 |
汽车用24GHz雷达芯片组系列
11 / 2015
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| 数据手册 - 英文 |
24GHz Radar Development Kit Based on Infineon（英飞凌）'s RF-Transceiver BGT24MTR12 and Microcontroller XMC4400
02 / 2015
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| 技术文档 - 中文 |
第七代射频晶体管 易用的无线信号放大器
2016年06月
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| 数据手册 - 英文 |
Automotive 24GHz radar development kit Based on Infineon（英飞凌） AURIX™ family and BGT24A MMIC family
02 / 2016
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| 数据手册 - 英文 |
Automotive 24GHz radar development kit Based on Infineon（英飞凌） AURIX™ family and BGT24A MMIC family
11 / 2015
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| 数据手册 - 英文 |
24GHz工业芯片组应用
11 / 2012
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| 技术文档 - 英文 |
单片24ghz雷达前端
11.03.2014
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| 技术文档 - 英文 |
森西夫™ –感知世界
08 / 2018
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| 测试报告 - 英文 |
TLE8203E材料含量数据表
4.September 2015
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技术论坛
一个医疗分析仪项目，寻找替代BSZ040N04LS G和IRLL014N/INFINEON的国产P2P方案。
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应用/方案
Application Note No. 136 Low Cost, 3 Volt, +14 dBm 2.33 GHz SDARS Active Antenna 2nd Stage Low Noise Amplifier using the Infineon（英飞凌） BFP640 SiGe Transistor
本文档介绍了使用Infineon BFP640 SiGe晶体管的低成本、3伏、+14 dBm 2.33 GHz SDARS主动天线第二级低噪声放大器。该放大器适用于SIRIUS LNA链的第二级，采用标准FR4材料和"0402"封装尺寸的组件。该设计在2320-2345 MHz频段内实现了16.8 dB的增益和1.3 dB的噪声系数，功耗为23.6 mA @ 3.0 V。
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Application Note No. 137 Low Cost, 3 Volt, +12.5 dBm 2.33 GHz SDARS Active Antenna 2nd Stage Low Noise Amplifier using the Infineon（英飞凌） BFP640 SiGe Transistor
本资料介绍了使用Infineon BFP640 SiGe晶体管的低成本、3伏、+12.5 dBm 2.33 GHz SDARS主动天线第二级低噪声放大器的设计。该放大器适用于SIRIUS LNA链的第二级，采用标准FR4材料和"0402"封装尺寸的组件。设计在2320-2345 MHz频段内实现了18 dB增益和1.5 dB噪声系数，功耗为14.9 mA @ 3.0伏。放大器在50 MHz至20 GHz范围内无条件稳定，输出1 dB压缩点为+12.5 dBm @ 3 V。
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应用说明117号低噪声放大器（LNA），用于1575 MHz（GPS）应用，使用超低噪声信号：C BFP740F晶体管
本资料介绍了使用Infineon Technologies的BFP740F晶体管设计的一款1575 MHz（GPS）应用的低噪声放大器（LNA）。该LNA采用TSFP-4封装，具有低噪声、高增益和良好的稳定性。设计目标包括最小增益17 dB、最大噪声系数0.8 dB、输入/输出回波损耗10 dB或更好，电流小于8 mA。LNA在5 MHz至6 GHz范围内无条件稳定，PCB面积小于40 mm²，元件数量为12个。该LNA在1575 MHz频率下实现了约20 dB的增益和0.67 dB的噪声系数。
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Application Note No. 122 Infineon（英飞凌）’s BFP740F Ultra Low Noise RF Transistor in 2.33 GHz SDARS Low Noise Amplifier Application
本资料介绍了Infineon Technologies AG的BFP740F超低噪声射频晶体管在2.33 GHz SDARS低噪声放大器中的应用。详细阐述了该晶体管在卫星数字音频广播服务(SDARS)中的性能，包括噪声系数、增益、线性度等关键参数，并提供了电路图、封装尺寸、噪声系数图表等详细信息。
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汽车应用指南我们使汽车清洁，安全和智能。
本资料为Infineon公司提供的汽车应用指南，涵盖了汽车电子领域的多个方面，包括动力系统、安全应用、车身和便利性应用等。资料详细介绍了Infineon公司在汽车电子领域的解决方案，包括传感器、微控制器和功率半导体等，旨在提高汽车的安全、效率和可持续性。此外，资料还强调了Infineon在安全应用方面的技术优势，如空气囊系统、安全带预紧器、制动车辆稳定性控制（VSC）等。
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汽车应用指南我们使汽车清洁，安全和智能。
本资料为Infineon公司提供的汽车应用指南，涵盖了汽车电子领域的多个方面，包括动力系统、安全应用、车身和便利性应用等。资料详细介绍了Infineon在汽车电子领域的解决方案，包括传感器、微控制器和功率半导体等，旨在提高汽车的安全、效率和可持续性。此外，资料还强调了Infineon在安全应用、轮胎压力监测系统、车内感知应用等方面的技术优势。
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驱动汽车电子的未来汽车应用指南
本文介绍了Infineon公司在汽车电子领域的解决方案和产品。文章涵盖了安全应用、车身应用、动力系统应用、电动汽车应用、增强通信、外围应用亮点、嵌入式软件和零缺陷计划等方面。重点介绍了Infineon在汽车安全、节能减排、数据安全、功能安全等方面的技术优势和创新产品。
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驱动汽车电子的未来汽车应用指南
本文档由Infineon Technologies提供，主要介绍了其在汽车电子领域的解决方案和应用。内容涵盖安全应用、车身应用、动力系统应用、电动汽车应用、增强通信、外围应用亮点、嵌入式软件以及零缺陷计划等方面。Infineon通过其传感器、微控制器和功率半导体等元器件，助力汽车制造商实现安全、经济和高效的目标，同时推动可持续移动性发展。文档还详细介绍了Infineon在安全应用、车身控制模块、电动助力转向系统、电子驻车制动器、制动系统控制单元、雷达、短程雷达、多功能摄像头和轮胎压力监测系统等方面的产品和技术。
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应用说明120 1.8 V低噪声放大器，用于1575 MHz GPS应用，使用信号：C BFP740F晶体管
本资料介绍了使用SiGe:C BFP740F晶体管的1.8V低噪声放大器在1575MHz GPS应用中的设计。内容包括BFP740F晶体管在TSFP-4封装中的应用评估，设计目标为增益至少20dB，噪声系数最大0.8dB，输入/输出回波损耗至少10dB，电流小于10mA。详细描述了PCB设计、元件清单、原理图、噪声系数、增益压缩、输入/输出回波损耗等性能参数。
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申请书编号：168 BFP740FSiGe:C超5–6 GHz低噪声放大器应用中的低噪声射频晶体管，具有16 dB增益、1.3 dB噪声系数和1微秒开启/关闭时间（Fo
本资料介绍了Infineon Technologies AG的BFP740F SiGe:C超低噪声射频晶体管在5-6 GHz LNA应用中的性能。该晶体管适用于802.11a和802.11n“MIMO”无线局域网应用，具有16 dB增益、1.3 dB噪声系数和1微秒的开关时间。资料详细描述了电路设计、性能数据、PCB构造、封装尺寸、物料清单和测试结果。
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应用说明118 BFP740F超低噪声硅锗晶体管作为5-6 GHz低噪声放大器（LNA）
本文介绍了Infineon Technologies AG发布的关于BFP740F硅锗晶体管的5-6 GHz低噪声放大器（LNA）应用笔记。该应用笔记详细阐述了BFP740F晶体管在5-6 GHz频段的应用，包括其性能参数、电路设计、PCB布局和测试结果。文中提供了BFP740F晶体管在5-6 GHz频段的增益、噪声系数、输入输出回波损耗等关键参数，并分析了晶体管在不同频率下的性能表现。此外，还讨论了LNA设计的优化方向和进一步的工作要求。
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申请书编号：171 BFP740FSiGe:C超2.4–2.5 GHz低噪声放大器应用中的低噪声射频晶体管，具有17 dB增益、0.7 dB噪声系数和<1微秒的开启/关闭时间
本资料介绍了Infineon Technologies AG的BFP740F SiGe:C超低噪声射频晶体管在2.4-2.5 GHz LNA应用中的性能，包括17 dB增益、0.7 dB噪声系数和小于1微秒的开关时间。资料详细描述了该晶体管在802.11b/g和802.11n“MIMO”无线局域网应用中的电路设计，包括PCB构造、元件清单、性能数据、稳定性分析、增益压缩点测量、三阶截距测量和开关时间测量等内容。
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汽车应用指南驱动汽车电子的未来
本资料由Infineon Technologies提供，主要介绍了其在汽车电子领域的应用指南。内容涵盖动力系统、安全应用、车身和便利性应用等方面，详细阐述了Infineon在汽车电子领域的解决方案和产品，包括传感器、微控制器和功率半导体等。资料强调了Infineon在提高汽车安全性、效率和可持续性方面的贡献，并展示了其在新能源汽车、主动安全系统和智能驾驶辅助系统等方面的技术优势。
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Infineon（英飞凌）’s solutions for automatic opening systems
Infineon提供全面的半导体解决方案，针对自动开门系统，涵盖电机控制、电源管理和安全解决方案。产品包括功率半导体、传感器和安全性产品，旨在提高电机能效，确保精确的位置控制，并增强数据通信的安全性。Infineon的雷达解决方案覆盖面积是红外解决方案的16倍。
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申请书编号：169 BFP740SiGe:C超5–6 GHz低噪声放大器应用中的低噪声射频晶体管，具有15 dB增益、1.3 dB噪声系数和约100纳秒的开启/关闭时间(
本资料介绍了Infineon Technologies AG的BFP740 SiGe:C超低噪声射频晶体管在5-6 GHz低噪声放大器（LNA）中的应用。该晶体管适用于802.11a和802.11n“MIMO”无线局域网（WLAN）市场，特别是对需要外部LNA的接入点（AP）。资料详细介绍了BFP740的性能数据、PCB构造、SOT343封装尺寸、物料清单（BOM）以及放大器的稳定性、增益、回波损耗和反向隔离等特性。
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应用说明AN220 BFP740FESD ESD硬化SiGe:C超低噪声射频晶体管与2kV ESD额定值在5–6GHz低噪声放大器应用。17dB增益，1.4dB噪声系数&<100ns开启/
本资料介绍了Infineon Technologies AG生产的BFP740FESD SiGe:C超低噪声射频晶体管，适用于5-6GHz无线局域网（WLAN）应用，特别是802.11a和802.11n“MIMO”应用。BFP740FESD具有内部ESD保护结构，ESD生存电压为2000伏，适用于各种低噪声放大器（LNA）应用。资料详细描述了BFP740FESD的电气特性、典型测量结果、电路图、物料清单、PCB构造细节、ESD保护等内容。
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应用说明AN189 BFP740FESD双频低噪声放大器，用于WiMAX/WLAN 2.3-2.7GHz和5-6GHz应用
本资料介绍了Infineon Technologies AG的BFP740FESD双频段低噪声放大器（LNA）的应用。该LNA适用于WiMAX/WLAN 2.3-2.7GHz和5-6GHz频段的应用，具有高可靠性、高增益和低噪声特性。资料详细描述了BFP740FESD的特性和应用，包括电路图、性能参数和测量结果。
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ESD健壮的BFP740FESD 2.3~2.7GHz WiFi/WiMAX低噪声放大器应用
本资料为Infineon Technologies AG发布的应用笔记AN217，主要介绍了BFP740FESD射频双极性晶体管在2.3至2.7GHz Wi-Fi/WiMAX应用中的性能。资料详细阐述了BFP740FESD的电路设计、典型测量结果、评估板和布局信息，并讨论了静电放电（ESD）保护的重要性。资料还提供了BFP740FESD的电气特性、测量图形以及ESD保护方案。
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用于GSM900蜂窝中继器应用的驱动放大器BFQ790
本应用笔记介绍了Infineon公司BFQ790中功率SiGe双极型晶体管作为驱动放大器的电路设计，适用于GSM900（蜂窝中继器）应用。BFQ790是一款单级驱动放大器，提供高线性和高增益。在915 MHz的测量中，实现了以下关键性能参数：增益为20 dB，输入回波损耗为11 dB，输出回波损耗为10 dB，输出1 dB压缩点为27 dBm，输出IP3为38.7 dBm。笔记中还提供了测量图表、评估板和布局信息。
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应用说明AN219 BFP740ESD硬化SiGe:C超低噪声射频晶体管与2kV ESD额定值在5–6GHz低噪声放大器应用。15dB增益，1.3dB噪声系数&<100ns开启/
本资料介绍了Infineon Technologies AG生产的BFP740ESD SiGe:C超低噪声射频晶体管，适用于5-6GHz频段的无线局域网（WLAN）应用，特别是802.11a和802.11n“MIMO”应用。该晶体管具有2kV的ESD耐压能力，内部集成了ESD保护结构。资料详细介绍了BFP740ESD的电气特性、典型测量结果、电路图、物料清单、PCB构造细节和封装信息。
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BFP740ESD应用说明AN295版本：版次。1.0 2012-11-30无线局域网2.4GHz应用低噪声放大器
本资料为Infineon Technologies AG发布的应用笔记，介绍了BFP740ESD低噪声放大器在2.4GHz无线局域网应用中的性能和设计。内容包括BFP740ESD的电气特性、应用电路设计、典型测量结果以及评估板信息。资料重点阐述了BFP740ESD在2.4GHz频段的高增益和低噪声性能，适用于802.11 b/g/n无线局域网标准。
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快速入门指南：Position2Go BGT24MTR12微波单片集成电路+XMC4700 MCU用户手册
本指南提供了一套快速入门流程，用于启动Position2Go板，该板由Infineon的BGT24MTR12雷达MMIC和XMC4700 32位ARM Cortex-M4微控制器组成。指南包括安装软件、连接硬件、下载软件包、连接板子以及可选的查看和编辑源代码、使用雷达GUI和MATLAB接口等步骤。此外，还提供了额外的文档和参考资料。
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BGT24MTR11 24 GHz雷达用户指南
本资料为Infineon Technologies AG发布的BGT24MTR11 24 GHz雷达收发器用户指南，主要内容包括BGT24MTR11的内部结构、工作原理和应用说明。资料详细介绍了VCO部分、发射器链、接收器链以及片上传感器等功能模块，并提供了相应的电路图、表格和图表，以帮助用户更好地理解和使用该产品。
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具有32位性能的XC2387下一代安全微控制器
XC2387是一款面向安全应用的32位性能微控制器，属于XC2300系列。该产品具备高达576KB的片上闪存、内置错误纠正（ECC）、双A/D转换器、PWM单元、灵活的串行接口和多CAN单元。它适用于汽车安全应用，如安全气囊、动力转向或ABS系统。该控制器具有高性能C166S V2 CPU、单周期指令执行、多种串行接口、多CAN接口、实时时钟、看门狗定时器、丰富的I/O端口和多种片上存储器。
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Infineon（英飞凌）’s solutions for multicopters
Infineon推出针对多旋翼飞行器的系统解决方案，旨在提供成本效益、安全可靠的产品，满足用户对飞行时间、安全性、可靠性和功能性的需求。该解决方案包括电机控制、电池管理、认证和安全、精确控制和碰撞避免等功能，并提供了全面的半导体组件和参考设计，以简化客户的项目开发。
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森西夫™ –感知世界袖珍指南2019
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TRENCHSTOP™5选择树650V续流二极管（FWD）
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