GTVA126001EC Thermally-Enhanced High Power RF GaN HEMT 600 W, 50 V, 1200 – 1400 MHz
发布时间：
2018-07-31
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
INFINEON（英飞凌）
型号：
GTVA126001EC
加工定制
整体外形尺寸小至0.6*0.3*0.3mm (DFN0603)，工作电压范围覆盖2.5V~36V，电容值低至0.2pF，浪涌能力最高可达240安培，静电等级可达空气放电、接触放电±30KV。提供免费浪涌测试仪、静电测试仪测试。
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资料平台
| 数据手册 - 英文 |
热增强高功率射频氮化镓高电子迁移率晶体管170 W，50 V，2620–2690 MHz GTVA261701FA
Rev. 04
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| 数据手册 - 英文 |
热增强高功率射频氮化镓高电子迁移率晶体管170 W，50 V，2620–2690 MHz GTVA261701FA
Rev. 03
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| 技术文档 - 英文 |
抗辐射镓氮化物高电子迁移率晶体管命名法
2025年5月
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| 数据手册 - 英文 |
GTVA107001EC热增强高功率射频氮化镓高电子迁移率晶体管700 W，50 V，960–1215 MHz
Rev. 01
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| 数据手册 - 英文 |
GTVA123501FA热增强高功率射频氮化镓高电子迁移率晶体管350瓦，50伏，1200-1400兆赫
Rev. 01
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热增强高功率射频氮化镓高电子迁移率晶体管70 W，50 V，1805–2170 MH GTVA220701FA
Rev. 03
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GTVA104001FA热增强高功率射频氮化镓高电子迁移率晶体管400 W，50 V，960–1215 MHz
Rev. 01
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热增强高功率射频氮化镓高电子迁移率晶体管180 W，50 V，2700–3100 MHz GTVA311801FA
Rev. 01
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| 数据手册 - 英文 |
热增强高功率射频氮化镓高电子迁移率晶体管70 W，50 V，1805–2170 MHz GTVA220701FA
Rev. 02
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热增强高功率射频氮化镓高电子迁移率晶体管1400 W，50 V，960–1215 MHz GTVA101K42EV
Rev. 01.1
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| 数据手册 - 英文 |
热增强高功率射频氮化镓高电子迁移率晶体管340 W，48 V，2620–2690 MHz GTVA263202FC
Rev. 03
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热增强高功率射频氮化镓高电子迁移率晶体管340 W，48 V，2620–2690 MHz GTVA263202FC
Rev. 02
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| 数据手册 - 英文 |
1EDI EiceDRIVER公司™ 紧凑型1EDI20N12AF单沟道MOSFET和氮化镓高电子迁移率晶体管栅极驱动IC
Rev. 2.0
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| 数据手册 - 英文 |
氮化镓二十面体™ 产品系列用于高压增强型氮化镓高电子迁移率晶体管的单沟道功能增强隔离栅驱动集成电路
Rev. 2.10
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| 数据手册 - 英文 |
氮化镓二十面体™ 产品系列用于高压增强型氮化镓高电子迁移率晶体管的单沟道功能增强隔离栅驱动集成电路
Rev. 2.10
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| 数据手册 - 英文 |
TC22xL（S）-AURIX™ 家庭安全应用
08 / 2016
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| 产品勘误说明 - 英文 |
勘误表XMC1400
Rel. 1.1
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| 数据手册 - 英文 |
MOSFET金属氧化物半导体场效应晶体管优化™ 擎天柱™5 功率晶体管， 80 V IPB017N08N5
Rev.2.1
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| 数据手册 - 英文 |
第一个高温微控制器应用
2016/12/08
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| 产品勘误说明 - 英文 |
XC886CM-8FF\u AB\u勘误表\u v1\u 3.xml
Rel. 1.3
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| 数据手册 - 英文 |
XC864新的4KB闪存8位微控制器系列扩展了XC800 8位微控制器系列
2016/12/08
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| 产品勘误说明 - 英文 |
勘误表XMC4100、XMC4200
1.3
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
包装SG-WLL-2-1
Revision 01.00
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
包装SG-WLL-2-2
Revision 01.00
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
包装P-DSO-28-17
Revision 01.00
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| 数据手册 - 英文 |
权力教授™ 超低欧姆智能高压侧电源开关
10 / 2016
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| 数据手册 - 英文 |
650V CoolMOS™ CFDA汽车技术在杆位上的应用
03 / 2012
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
包装PG-TO220-2-1
01.00
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
包装PG-TO220-2-1
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
包装PG-TO220-2-1
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
包装PG-TO220-2-1
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
包装PG-TO220-2-1
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
包装PG-TO220-2-1
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
包装PG-TO220-2-1
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
包装PG-TO220-2-1
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
包装PG-TO220-2-1
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
包装PG-TO220-2-1
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
包装PG-TO220-2-1
Revison 01.00
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
包装PG-TO220-2-1
Revison 01.00
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
包装PG-TO220-2-1
Revison 01.00
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
包装PG-TO220-2-1
Revison 01.00
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| 测试报告 - 英文 |
材料含量数据表
29.August 2013
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| 测试报告 - 英文 |
材料含量数据表
29. August 2013
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世强AI
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应用/方案
【产品】600W级射频高电子迁移率GaN晶体管
GTVA126001EC是英飞凌采用GaN工艺推出的一款600W级射频高电子迁移率晶体管，工作频率范围为1200MHz~1400MHz，并且在工作频带内可支持输入匹配。
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职业教育研讨会S17 600V氮化镓高电子迁移率晶体管在电力电子中的实际应用
本资料探讨了600V GaN HEMT在电力电子中的应用，包括其特性、拓扑结构选择、驱动方式以及在不同应用中的表现。资料重点分析了GaN HEMT相较于传统硅器件的优势，如低导通电阻、低开关损耗、快速开关速度等。此外，还讨论了GaN HEMT在硬开关和软开关拓扑中的应用，以及其在PFC、LLC转换器和电机驱动等领域的应用实例。
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0.15μm氮化镓高电子迁移率晶体管工艺
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氮化镓高电子迁移率晶体管电流崩塌现象的评价方法
本文探讨了氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）中电流崩塌（C/C）现象的评价和分析方法。由于电流崩塌会导致器件导通电阻（R_on）增加，从而影响器件的可靠性和性能，因此对C/C现象的评价变得尤为重要。文章提出了两种评价C/C的方法：直流电压应力法和电感负载开关应力法。通过这两种方法，可以更准确地评估GaN HEMT器件的C/C现象，为器件的设计和优化提供参考。
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【产品】表面贴装氮化镓高电子迁移率晶体，高达21.1dB小信号增益，可有效对信号进行放大
锐科旗下的Wolfspeed公司是碳化硅功率器件和氮化镓射频功率解决方案主要半导体元件供应商之一。近期，公司又推出了无与伦比的CGH27030S系列氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT），该晶体管具有高效率，高增益和宽带宽等特点，可广泛应用于LTE基站、4G电信和BWA放大器应用等领域。
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氮化镓技术：0.15μm氮化镓高电子迁移率晶体管工艺
该资料主要介绍了GH15 GaN工艺，这是一种针对高功率、高PAE和高线性度优化的GaN HEMT工艺。GH15工艺适用于40GHz频率范围，支持工业级空间应用。该工艺采用热散发的SiC衬底，功率密度可达4.2W/mm。主要特点包括MIM电容器、电感器、空气桥、金属电阻、通孔和两层金属互连层。GH15工艺适用于设计高功率和高PAE放大器、鲁棒的LNA和高功率开关。应用领域包括Pt到Pt无线电、5G、卫星通信、雷达、宽带放大和Hi-Rel产品。资料还提供了工艺的主要性能参数，如Vt、功率密度、Ids+、Gm、VdsDC、NF/Gass、Fmax、MIM密度、金属电阻和最大使用频率。
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【产品】工作频率高达5GHz/8.4GHz的氮化镓高电子迁移率晶体管CGHV50200F和CGHV96050F1
Wolfspeed推出的CGHV50200F和CGHV96050F1系列氮化镓高电子迁移率晶体管，其工作频率可以高达4.4GHz-5.0GHz和7.9GHz-8.4GHz,可以满足于卫星通信和超视距通讯。
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