GTVA123501FA Thermally-Enhanced High Power RF GaN HEMT 350 W, 50 V, 1200 - 1400 MHz
发布时间：
2018-07-31
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
INFINEON（英飞凌）
型号：
GTVA123501FA
加工定制
整体外形尺寸小至0.6*0.3*0.3mm (DFN0603)，工作电压范围覆盖2.5V~36V，电容值低至0.2pF，浪涌能力最高可达240安培，静电等级可达空气放电、接触放电±30KV。提供免费浪涌测试仪、静电测试仪测试。
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资料平台
| 数据手册 - 英文 |
坚固的LDMOS和氮化镓射频功率晶体管蜂窝，雷达，商业航空电子，ISM和广播应用
05 / 2016
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坚固的LDMOS和氮化镓SiC射频功率晶体管雷达、商用航空电子设备、ISM应用
05/2017
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热增强高功率射频氮化镓高电子迁移率晶体管170 W，50 V，2620–2690 MHz GTVA261701FA
Rev. 04
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| 数据手册 - 英文 |
热增强高功率射频氮化镓高电子迁移率晶体管170 W，50 V，2620–2690 MHz GTVA261701FA
Rev. 03
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| 技术文档 - 英文 |
抗辐射镓氮化物高电子迁移率晶体管命名法
2025年5月
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| 数据手册 - 英文 |
GTVA107001EC热增强高功率射频氮化镓高电子迁移率晶体管700 W，50 V，960–1215 MHz
Rev. 01
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GTVA126001EC热增强高功率射频氮化镓高电子迁移率晶体管600 W，50 V，1200–1400 MHz
Rev. 01
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GTVA104001FA热增强高功率射频氮化镓高电子迁移率晶体管400 W，50 V，960–1215 MHz
Rev. 01
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| 数据手册 - 英文 |
热增强高功率射频氮化镓高电子迁移率晶体管70 W，50 V，1805–2170 MH GTVA220701FA
Rev. 03
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热增强高功率射频氮化镓高电子迁移率晶体管180 W，50 V，2700–3100 MHz GTVA311801FA
Rev. 01
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| 数据手册 - 英文 |
热增强高功率射频氮化镓高电子迁移率晶体管70 W，50 V，1805–2170 MHz GTVA220701FA
Rev. 02
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热增强高功率射频氮化镓高电子迁移率晶体管1400 W，50 V，960–1215 MHz GTVA101K42EV
Rev. 01.1
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热增强高功率射频氮化镓高电子迁移率晶体管340 W，48 V，2620–2690 MHz GTVA263202FC
Rev. 03
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热增强高功率射频氮化镓高电子迁移率晶体管340 W，48 V，2620–2690 MHz GTVA263202FC
Rev. 02
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| 数据手册 - 英文 |
1EDI EiceDRIVER公司™ 紧凑型1EDI20N12AF单沟道MOSFET和氮化镓高电子迁移率晶体管栅极驱动IC
Rev. 2.0
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| 数据手册 - 英文 |
氮化镓二十面体™ 产品系列用于高压增强型氮化镓高电子迁移率晶体管的单沟道功能增强隔离栅驱动集成电路
Rev. 2.10
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氮化镓二十面体™ 产品系列用于高压增强型氮化镓高电子迁移率晶体管的单沟道功能增强隔离栅驱动集成电路
Rev. 2.10
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
IRHMS597Z60电气特性产品变更通知单
June 6, 2019
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
IRF054电气特性产品变更通知单
April 30, 2019
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| 技术文档 - 英文 |
SCU系统控制单元
V1.0
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| 技术文档 - 英文 |
IRHSLNA57064，见特性产品变更通知
April 10, 2019
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| 数据手册 - 英文 |
XDPL8221数字PFC+反激控制器XDP™数字电源数据表
Revision 1.1
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TLF50281ELV50 2.2 MHz降压调节器500毫安，5伏，低静态电流数据表
Rev. 1.1
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技术信息FS50R12W2T4\U B11
revision: 2.1
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技术信息FS75R12W2T4
revision: 2.3
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技术信息FS200R12KT4R
revision: 2.0
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技术信息FS200R12PT4
revision: 2.2
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| 数据手册 - 英文 |
技术信息FP50R12KT4\U B11
revision: 3.0
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| 数据手册 - 英文 |
IR2131（J）（S）和（PbF）3高侧和3低侧驱动器
rev P
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
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应用/方案
职业教育研讨会S17 600V氮化镓高电子迁移率晶体管在电力电子中的实际应用
本资料探讨了600V GaN HEMT在电力电子中的应用，包括其特性、拓扑结构选择、驱动方式以及在不同应用中的表现。资料重点分析了GaN HEMT相较于传统硅器件的优势，如低导通电阻、低开关损耗、快速开关速度等。此外，还讨论了GaN HEMT在硬开关和软开关拓扑中的应用，以及其在PFC、LLC转换器和电机驱动等领域的应用实例。
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【产品】600W级射频高电子迁移率GaN晶体管
GTVA126001EC是英飞凌采用GaN工艺推出的一款600W级射频高电子迁移率晶体管，工作频率范围为1200MHz~1400MHz，并且在工作频带内可支持输入匹配。
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0.15μm氮化镓高电子迁移率晶体管工艺
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24GHz雷达测速仪应用说明
本应用笔记旨在指导用户构建一款基于24GHz雷达的速度监测器。该监测器结合了Infineon的Sense2GoL 24GHz雷达评估板和XMC2Go微控制器。内容涵盖了激光切割、显示组装、硬件组装、系统设置、电气连接和软件编程等步骤，详细介绍了如何将各个组件连接和配置，以实现速度监测功能。
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IPOSIM入门指南
本指南介绍了Infineon的IPOSIM在线仿真工具，用于功率模块和盘片的热仿真。指南包括注册myInfineon账户、选择拓扑、输入参数、选择器件、设置应用参数、启动仿真和下载结果等步骤。此外，还提供了文档和视频教程，帮助用户逐步学习和使用IPOSIM。
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支付卡技术非卡制造专家指南
本文探讨了支付卡技术的发展，特别是双界面卡技术的应用。文章介绍了双界面卡的优势，包括提高交易速度、兼容移动支付和拓展应用场景。同时，文章详细分析了双界面卡的技术实现，包括天线设计、模块连接和认证过程。最后，文章强调了选择合适技术的重要性，并推荐了基于感应耦合的“线圈模块”技术作为最佳选择。
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在线设计和仿真工具 入门指南
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汽车配电应用中的继电器更换说明
本文旨在深入理解汽车应用中的半导体功率分配。首先介绍了智能开关的关键特性，然后详细比较了智能开关与电磁继电器之间的差异。内容包括智能开关的定义、MOSFET的介绍、智能开关与继电器的比较，包括控制极性、电压限制和导通电阻等方面。
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Infineon工具箱入门指南
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EVAL-2EDL23N06PJ EiceDRIVER™ 高压栅极驱动IC 评估板 应用说明
本资料为英飞凌科技股份公司发布的EiceDRIVER™高压栅极驱动IC评估板EVAL-2EDL23N06PJ的应用说明。内容包括设计特性、电气特性、板设计详情等，旨在展示该驱动器芯片在谐振零电压开启半桥应用中的功能和特性。资料详细介绍了板规格、管脚分配、电源电压、欠压闭锁、短路检测、电流放大器、死区时间和互锁功能、COOLMOS™开启/关闭、输入PWM信号、直流链电容器、非重复性单脉冲测量的感性负载连接以及谐振操作示例等。
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GNE1040TB 150V E型氮化镓高电子迁移率晶体管
本资料介绍了ROHM公司生产的150V E-mode GaN HEMT（GNE1040TB）产品。该产品具有150V的VDSS、40mΩ的RDS(on)和2.0nC的Qg，适用于半桥拓扑、同步降压或升压、AC/DC转换器（次级侧）、D类音频放大器和红外LED、LD驱动器等应用。产品采用DFN5060封装，具有高栅极电压最大额定值8V和非常高的开关频率。资料还提供了产品的内部电路图、封装规格、绝对最大额定值和注意事项。
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氮化镓高电子迁移率晶体管电流崩塌现象的评价方法
本文探讨了氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）中电流崩塌（C/C）现象的评价和分析方法。由于电流崩塌会导致器件导通电阻（R_on）增加，从而影响器件的可靠性和性能，因此对C/C现象的评价变得尤为重要。文章提出了两种评价C/C的方法：直流电压应力法和电感负载开关应力法。通过这两种方法，可以更准确地评估GaN HEMT器件的C/C现象，为器件的设计和优化提供参考。
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【产品】工作频率高达5GHz/8.4GHz的氮化镓高电子迁移率晶体管CGHV50200F和CGHV96050F1
Wolfspeed推出的CGHV50200F和CGHV96050F1系列氮化镓高电子迁移率晶体管，其工作频率可以高达4.4GHz-5.0GHz和7.9GHz-8.4GHz,可以满足于卫星通信和超视距通讯。
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适用于MA120XX（P）应用的EMC输出滤波器建议说明
本资料针对Merus Audio的MA12040、MA12040P、MA12070和MA12070P音频放大器，提供了EMC输出滤波器推荐。内容包括滤波器类型（铁氧体滤波器和LC滤波器）的选择、滤波器组件的讨论以及辐射发射测量结果。资料旨在帮助音频放大器设计工程师通过EMC测试，并提供了不同应用场景下的滤波器方案和测量数据。
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MERUS用户手册™评估委员会
本手册为MERUS™音频放大器评估板MA12040/MA12040P/MA12070/MA12070P的用户手册。该评估板用于评估和演示多级放大器的关键特性和优势，包括能效、自适应电源管理系统、无输出滤波器组件、音频性能等。手册详细介绍了评估板的设置、操作、测量方法和电路图。
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申请说明AN-1086
本文探讨了IR公司600V Depletion Stop Trench IGBT的性能提升，包括传导和开关性能。文章分析了超薄晶圆技术在提高NPT IGBT性能中的作用，并讨论了超薄晶圆Depletion Stop技术如何提高效率并保持平滑的关断特性。此外，文章还介绍了超薄晶圆DS Trench IGBT在运动控制应用中的性能，以及安全的BV测试方法。
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评估-2EDL23N06PJ EiceDRIVER™ 高压门极驱动集成电路评估板应用说明
本资料为Infineon Technologies AG提供的EiceDRIVER™ Driver IC Evaluation Board（EVAL-2EDL23N06PJ）应用笔记。内容主要介绍了该评估板的特性、设计特点、电气特性、设计细节等。评估板用于展示Infineon COOLMOS™门驱动器2EDL23N06PJ在谐振零电压开通半桥应用中的功能。资料中详细描述了评估板的电路设计、元件布局、电气参数以及测试方法等。
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氮化镓技术：0.15μm氮化镓高电子迁移率晶体管工艺
该资料主要介绍了GH15 GaN工艺，这是一种针对高功率、高PAE和高线性度优化的GaN HEMT工艺。GH15工艺适用于40GHz频率范围，支持工业级空间应用。该工艺采用热散发的SiC衬底，功率密度可达4.2W/mm。主要特点包括MIM电容器、电感器、空气桥、金属电阻、通孔和两层金属互连层。GH15工艺适用于设计高功率和高PAE放大器、鲁棒的LNA和高功率开关。应用领域包括Pt到Pt无线电、5G、卫星通信、雷达、宽带放大和Hi-Rel产品。资料还提供了工艺的主要性能参数，如Vt、功率密度、Ids+、Gm、VdsDC、NF/Gass、Fmax、MIM密度、金属电阻和最大使用频率。
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【产品】工作频率高达18GHz的CGHV1JXXXD系列氮化镓高电子迁移率晶体管，小信号增益可高至17dB
Wolfspeed推出的CGHV1JXXXD系列（CGHV1J006D、CGHV1J025D、CGHV1J070D）高压氮化镓高电子迁移率晶体管，采用0.25μm栅极长度的制造工艺，选用裸芯片的封装模式，在40V工作电压下适用于工作频率范围为10MHz至18GHz，具有出色的高频，高效特性，可应用于卫星通信、PTP通信链路、海洋雷达、游艇雷达、港口船舶交通服务和宽带放大器等领域。
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应用说明AN-1105 IRS2308和IR2308比较
本文档比较了IRS2308和IR2308 HVIC两种高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器的差异。IRS2308与IR2308 HVIC在引脚兼容性方面保持一致，但IRS2308具有更快的开关时间和改进的逻辑电平兼容性。主要差异包括：IRS2308的VIH降低至2.5V，VOH和VOL的测试条件更新，输出驱动器电阻降低，以及IO+和IO-的典型值提高。
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