PTFC270051M High Power RF LDMOS Field Effect Transistor 5 W, 28 V, 900 – 2700 MHz
发布时间：
2018-07-31
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
INFINEON（英飞凌）
型号：
PTFC270051M; PTFC270051M V2 R1K; PTFC270051MV2R1KXUMA1; LTN/PTFC270051M V2; LTN/PTFC270051M E3; LTN/PTFC270051M E4; LTN/PTFC270051M E5; LTN/PTFC270051M E6; ATC600S1R0BI250X; C4532X7R1H225M160KA; ATC600S120BT250X; ATC600S1R1BT250X; UMK325C7106MM-T; ERJ-8GEYJ100V
资料平台
| 数据手册 - 英文 |
PTFC270101M大功率射频LDMOS场效应晶体管10 W，28 V，900–2700 MHz
Rev. 04.1
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| 测试报告 - 英文 |
材料含量数据表PTFC270051M V2 R1K
24. April 2015
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热增强高功率射频LDMOS FET 200 W，28 V，2620–2690 MHz PTFC262157FH
Rev. 03.1
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Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 200 W, 28 V, 2620 – 2690 MHz PTFC262157SH
Rev. 03
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热增强高功率射频LDMOS FET 320 W，28 V，2110–2170 MHz PTFB213208SV
Rev. 04
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坚固的LDMOS和氮化镓射频功率晶体管蜂窝，雷达，商业航空电子，ISM和广播应用
05 / 2016
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大功率射频LDMOS场效应晶体管340 W，30 V，1805–1880 MHz PTFB183408SV
Rev. 03
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大功率射频LDMOS场效应晶体管12w，28v，700–2200mhz PTFA220121M
Rev. 10
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坚固的LDMOS和氮化镓SiC射频功率晶体管雷达、商用航空电子设备、ISM应用
05/2017
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| 数据手册 - 英文 |
PTGA090304MD宽带LDMOS两级集成功率放大器数据表
Rev. 01
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热增强高功率射频LDMOSFET 32 W，28 V，2496–2690 MHz PTFC260362SC
Rev. 03
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热增强高功率射频LDMOS FET 208 W，48 V，746–960 MHz PTRA094252FC
Rev. 04
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热增强高功率射频LDMOS FET 55 W，28 V，1805–2170 MHz PXAC210552
Rev. 04
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大功率射频LDMOS场效应晶体管10W，28V，900–2700MHz PTFC270101M
04.2
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PXAC182002FC热增强高功率射频LDMOS FET 180 W，28 V，1805–1880 MHz
Rev. 02.3
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热增强高功率射频LDMOS FET 55 W，28 V，1805–2170 MHz PXAC210552FC
Rev. 02
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热增强高功率射频LDMOS FET330W，28V，1880–2025MHz PXAC203302FV
Rev. 02.1
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热增强高功率射频LDMOS FET 120 W，28 V，1800–2200 MHz PXAC201202FC
Rev. 05.1
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热增强高功率射频氮化镓高电子迁移率晶体管70 W，50 V，1805–2170 MHz GTVA220701FA
Rev. 02
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大功率射频LDMOS场效应晶体管350 W，28 V，2300–2400 MHz PXAC243502FV
Rev. 03.2
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PXAC192908FV热增强高功率RF LDMOS FET 240 W，28 V，1930–1995 MHz
Rev. 02.3
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热增强高功率射频LDMOSFET 120 W，28 V，2496–2690 MHz PXAC261212FC
Rev. 02.2
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热增强高功率射频LDMOS FET 55 W，28 V，1805–2170 MHz PXAC210552MD
Rev. 03
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热增强高功率射频LDMOS FET 140 W，28 V，1880–1920 MHz，2010–2025 MHz PXAC201602FC
Rev. 04.1
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热增强高功率射频LDMOS FET 90 W，28 V，1805–2170 MHz PXAC200902FC
Rev. 02.1
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热增强高功率射频LDMOS FET 300 W，50 V，703–960 MHz PTVA093002
Rev. 02
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热增强型大功率射频LDMOS FET 25W，28V，2495–2690MHz PTFC2602FC
Rev. 03.3
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热增强高功率射频LDMOS FET 28 W，28 V，1800–2200 MHz PTFC210202FC
Rev. 03.4
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热增强高功率射频LDMOSFET 140 W，28 V，2620–2690 MHz PTFC261402FC
Rev. 05
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热增强高功率射频LDMOS FET 280 W，28 V，2620–2690 MHz PTFC262808FV
Rev. 03
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热增强高功率射频LDMOS FET 280 W，28 V，2620–2690 MHz PTFC262808SV
Rev. 02.1
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热增强高功率射频氮化镓高电子迁移率晶体管340 W，48 V，2620–2690 MHz GTVA263202FC
Rev. 02
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热增强高功率射频LDMOSFET 12 W，50 V，390–450 MHz PTVA030121EA
Rev. 05.1
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热增强型大功率射频ldmosfet 1000w，50v，1030/1090mhz PTVA101K02EV
Rev. 02.1
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热增强高功率射频LDMOS FET 450 W，50 V，960–1215 MHz PTVA104501EH
Rev. 02.1
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热增强高功率射频LDMOS FET 200 W，50 V，960–1400 MHz PTVA102001EA
Rev. 02
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热增强高功率射频LDMOSFET 50 W，50 V，1200–1400 MHz PTVA120501EA
Rev. 02.1,
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热增强型高功率射频LDMOS FET 350 W，50 V，1200–1400 MHz PTVA123501EC PTVA123501FC
Rev. 05.1
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热增强高功率射频LDMOS FET 500 W，50 V，390–450 MHz PTVA035002EV
Rev. 05.2
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热增强高功率射频低密度半导体场效应晶体管700瓦，50伏，1200–1400兆赫
Rev. 03.3
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热增强高功率射频LDMOS FET 700 W，50 V，1200–1400 MHz PTVA127002EV
Rev. 03.2
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世强AI
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应用/方案
采用IRS2982S控制器IRXLED04的55W反激变换器设计
本文档详细介绍了使用IRS2982S控制器设计55W反激式转换器的过程。内容包括IRS2982S的功能概述、反激式转换器类型、原理图、尺寸设计、控制回路、物料清单、变压器规格和PCB布局。文档重点介绍了如何通过IRS2982S实现高效、稳定的LED驱动和通用开关电源设计。
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基站应用最爱这款4×4 mm2的宽频RF LDMOS
来自Infineon的PTFC270101M是一款性价比极高的RF LDMOSFET，能够提供出色的增益、高效率和高线性度，以及优秀的热稳定性，能够延长器件的寿命，并有效提高射频应用的功率传输性能。
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【产品】可应用于900MHz-2700MHz的LDMOS PTFC270101M，集成ESD保护
900MHz-2700MHz的超宽带5W、10W 推动级LDMOS向小型化，高增益演进！尺寸仅为4×4mm！
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【产品】工作频率范围为900MHz-2700MHz的高频射频放大器PTFC270101M，针对多标准蜂窝网络功率放大应用
PTFC270101M的工作频率范围为900MHz-2700MHz，具有20.5dB的增益，助力高精度模拟电路设计。
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【产品】采用了小型的注塑封装射频功率放大器PTFC270051M，适用于高密度集成电路
Infineon公司推出了主要针对射频功放应用的5W射频LDMOS FET，型号为PTFC270051M，是一款优秀的低功率高增益射频放大器
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【产品】工作频段2620MHz-2690MHz，280W输出功率18dB增益的射频放大器晶体管
INFINEON的PTFC262808FV可广泛应用于2620MHz-2690MHz频段的功率放大器中，具有18dB的增益。集成ESD保护，人体模型1C，轻松应对恶劣环境
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【产品】适用于2620MHz-2690MHz频段的200W级RF FET PTFC262157FH
PTFC262157FH是Infineon公司针对多标准蜂窝网络功率放大应用推出的一款200W级RF FET，19.5dB增益，宽视频带宽
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【产品】热增强型射频LDMOS功率放大器PTFC260202FC，为2495MHz-2690MHz频段应用而特殊设计
INFINEON的PTFC260202FC是一款应用于2495MHz-2690MHz频段的10W级低功率RF FET，性能稳定可靠性高。
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