SIGC07T60SNC IGBT Chip in NPT-technology
发布时间：
2018-07-31
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
INFINEON（英飞凌）
型号：
SIGC07T60SNC; Q67041-A4672-A003; Q67041-A4672-A002; SGP06N60
加工定制
定制液冷板尺寸5mm*5mm~3m*1.8m，厚度2mm-100mm，单相液冷板散热能力最高300W/cm²。
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| 数据手册 - 英文 |
采用NPT技术的SIGC12T60NC IGBT芯片
Edition 2
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材料含量数据表SGP06N60
29. August 2013
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采用NPT技术的SGP06N60 SGD06N60快速IGBT
Rev. 2.2
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采用NPT技术的SIGC25T60UN高速IGBT芯片
Edition2
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采用NPT技术的SIGC25T60SNC IGBT芯片
Edition 2
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采用NPT技术的SIGC03T60SNCEdited IGBT芯片
Edition 2
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采用NPT技术的SIGC81T60NC IGBT芯片
Edition 2
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采用NPT技术的SIGC121T120R2CL IGBT芯片
Edition 2
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采用NPT技术的SIGC14T60SNC IGBT芯片
Edition 2
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采用NPT技术的SIGC156T120R2CL IGBT芯片
Edition 2
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采用NPT技术的SIGC18T60SNC IGBT芯片
Edition 2
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IGBT TRENCHSTOPTM IGBT3芯片SIGC39T65E
Rev. 2.0
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采用NPT技术的SIGC42T60NC IGBT芯片
Edition 2
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IGBT TRENCHSTOPTM IGBT3芯片SIGC28T65E
Rev. 2.0
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采用NPT技术的SIGC12T60SNC IGBT芯片
Edition 2
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SIGC15T60E IGBT3芯片
Edition 2.1
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采用NPT技术的SIGC121T60NR2C GBT芯片
Edition 2
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IGBT TRENCHSTOPTM IGBT3芯片SIGC68T170R3E
Rev. 2.4
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采用NPT技术的SIGC81T120R2CL IGBT芯片
Edition 2
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EMCON技术中的SIDC23D60E6快速开关二极管芯片
Edition 1
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采用NPT技术的SIGC25T120CL IGBT芯片
Edition 2
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IGBT TRENCHSTOPTM IGBT3芯片SIGC08T65E
Rev. 2.0
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采用NPT技术的SIGC16T120CL IGBT芯片
Edition 2
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SIGC08T60SE IGBT3芯片
Edition 2.0
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SIGC06T60E IGBT3芯片
Edition 2.1
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IGBT TRENCHSTOPTM IGBT3芯片SIGC76T65R3E
Rev. 2.0
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SIGC04T60E IGBT3芯片
Edition 2.1
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SIGC28T60E IGBT3芯片
Edition 1.0
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采用NPT技术的SIGC81T120R2C IGBT芯片
Eition 2.1
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SIGC06T60GE IGBT3芯片
Edition 2.1
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采用NPT技术的SIGC42T120C IGBT芯片
Edition 2.1
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IGBT槽顶™ IGBT3芯片SIGC128T170R3E
Rev. 2.4
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SIGC04T60GSE IGBT3芯片
Edition 2.0
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IGBT TRENCHSTOPTM IGBT3芯片SIGC84T120R3E
Rev. 2.5
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SIGC03T60E IGBT3芯片
Edition 1.0
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IGBT TRENCHSTOPTM IGBT3芯片SIGC57T120R3LE
Rev. 2.5
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SIGC04T60GE IGBT3芯片
Edition 2.1
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SIGC84T120R3E IGBT3芯片
Edition 2.2
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SIGC128T170R3E IGBT3电源芯片
Eition 2.1
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IGBT TRENCHSTOPTM IGBT3芯片SIGC06T65E
Rev. 2.0
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采用NPT技术的SIGC156T120R2C IGBT芯片
Edition 2.1
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SIGC76T60R3E IGBT3芯片
Edition 2.0
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采用NPT技术的SIGC25T120C IGBT芯片
Edition 2.1
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SIGC101T170R3E IGBT3电源芯片
Edition 2.1
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采用NPT技术的SIGC223T120R2CS IGBT芯片
Edition 2
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SIGC39T60E IGBT3芯片
Edition 1.0
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
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应用/方案
华润微电子 PDBG--IGBT产品介绍
本资料介绍了华润微电子的IGBT技术及其特点。内容包括8寸FRD工艺的特色，如全面的寿命控制手段、产品参数一致性、客制化参数调整等。此外，资料还详细介绍了华润微不同代次IGBT产品的技术特点、性能参数、应用领域和可靠性等级，如650V和1200V G5系列产品的优势和应用场景。最后，资料展示了华润微IGBT单管和模块产品的产品树，包括其应用领域和封装类型。
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瑞之辰推出首款SiC MOSFET PIM模块，可替代硅基IGBT芯片的模块，系统损耗降低三分之一
又有一家国内企业在车规级SiC技术的研发和应用方面实现了新的突破。深圳市瑞之辰科技有限公司推出了首款基于SiC MOSFET技术的PIM模块，实现了对硅基IGBT芯片的模块替代，在系统损耗方面降低了三分之一。与此同时，这款产品在技术上突破传统PIM模块灌封封装模式，模块体积减少约57％，而且使用了瑞之辰自主研发的10项工艺创新，模块可靠性得到大幅提升，非常适用于新能源汽车、充电桩、储能等新兴领域。
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森国科新推电焊机专用的1200V/40A IGBT芯片，最大结温175℃，易于并联使用
森国科推出的1200V 40A IGBT产品（型号：KG040N120HD-R）具有高效率、高可靠性和低功耗等优势，可与多种控制芯片兼容，方便与其他电子元件配合使用。这种兼容性简化了系统设计，降低了开发难度和成本广泛应用于工业焊接设备、功率因数校正应用等领域。
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新洁能650V Gen.7 IGBT “V”系列产品，非常适合光伏逆变、储能、UPS等应用
NCE新洁能650V Gen.7系列IGBT产品，基于微沟槽场截止技术，可大幅提高器件的元胞结构密度。本文要介绍的“V”系列产品具有较大的饱和电流和良好的导通损耗/开关损耗折中特性，非常适合光伏逆变、储能、UPS等应用。
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