SIGC12T60NC IGBT Chip in NPT-technology
发布时间：
2018-07-31
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
INFINEON（英飞凌）
型号：
SIGC12T60NC; Q67041-A4688-A001; FS10R06XL4
加工定制
定制液冷板尺寸5mm*5mm~3m*1.8m，厚度2mm-100mm，单相液冷板散热能力最高300W/cm²。
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| 数据手册 - 英文 |
采用NPT技术的SIGC07T60SNC IGBT芯片
Edition 2
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
包装大纲AG-EASY750-1-1
Revision 01.00
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| 技术文档 - 英文 |
采用NPT技术的SIGC25T60SNC IGBT芯片
Edition 2
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| 数据手册 - 英文 |
采用NPT技术的SIGC25T60UN高速IGBT芯片
Edition2
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
EconoPACK包装大纲™4模块AG-ECONO4-1-1 FS100R12PT4
Revision 01.00
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| 技术文档 - 英文 |
采用NPT技术的SIGC81T60NC IGBT芯片
Edition 2
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| 数据手册 - 英文 |
采用NPT技术的SIGC03T60SNCEdited IGBT芯片
Edition 2
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
包装大纲AG-ECONO3-3-1
Revision 01.00
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| 技术文档 - 英文 |
采用NPT技术的SIGC14T60SNC IGBT芯片
Edition 2
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| 数据手册 - 英文 |
采用NPT技术的SIGC121T120R2CL IGBT芯片
Edition 2
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
包装大纲AG-ECONO3-4-1
Revision 01.00
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
包装大纲AG-ECONO3-4-1
Revision 01.00
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| 技术文档 - 英文 |
采用NPT技术的SIGC18T60SNC IGBT芯片
Edition 2
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| 数据手册 - 英文 |
采用NPT技术的SIGC156T120R2CL IGBT芯片
Edition 2
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
包装大纲EconoPACK™4模块AG-ECONO4-1-1
Revision 01.00
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| 技术文档 - 英文 |
采用NPT技术的SIGC121T60NR2C GBT芯片
Edition 2
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| 数据手册 - 英文 |
EMCON技术中的SIDC23D60E6快速开关二极管芯片
Edition 1
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| 技术文档 - 英文 |
采用NPT技术的SIGC12T60SNC IGBT芯片
Edition 2
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| 数据手册 - 英文 |
IGBT TRENCHSTOPTM IGBT3芯片SIGC68T170R3E
Rev. 2.4
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
包装大纲MIPAQ™基本模块AG-ECONO3-4-1电路图IFS100B12N3E4\U B31
Revision 01.00
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| 技术文档 - 英文 |
采用NPT技术的SIGC42T60NC IGBT芯片
Edition 2
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| 数据手册 - 英文 |
IGBT TRENCHSTOPTM IGBT3芯片SIGC39T65E
Rev. 2.0
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
封装外形AG-EASY750-1-1电路图FS10R06VE3
revision:01.00
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| 技术文档 - 英文 |
采用NPT技术的SIGC81T120R2CL IGBT芯片
Edition 2
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| 数据手册 - 英文 |
IGBT TRENCHSTOPTM IGBT3芯片SIGC28T65E
Rev. 2.0
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
包装大纲EconoPIM™3模块AG-ECONO3-4-1
Revision 01.00
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| 技术文档 - 英文 |
采用NPT技术的SIGC25T120CL IGBT芯片
Edition 2
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| 数据手册 - 英文 |
SIGC15T60E IGBT3芯片
Edition 2.1
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
封装外形AG-EASY750-1-1电路图FS10R06VE3\ U B2
revision:01.00
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| 技术文档 - 英文 |
采用NPT技术的SIGC16T120CL IGBT芯片
Edition 2
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| 数据手册 - 英文 |
IGBT TRENCHSTOPTM IGBT3芯片SIGC08T65E
Rev. 2.0
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
包装大纲EconoPACK™4模块AG-ECONO4-1-1电路图FS100R07PE4
revision:01.00
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| 技术文档 - 英文 |
SIGC06T60E IGBT3芯片
Edition 2.1
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| 数据手册 - 英文 |
SIGC08T60SE IGBT3芯片
Edition 2.0
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| 技术文档 - 英文 |
SIGC04T60E IGBT3芯片
Edition 2.1
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| 数据手册 - 英文 |
SIGC28T60E IGBT3芯片
Edition 1.0
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| 技术文档 - 英文 |
采用NPT技术的SIGC81T120R2C IGBT芯片
Eition 2.1
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| 数据手册 - 英文 |
SIGC06T60GE IGBT3芯片
Edition 2.1
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| 技术文档 - 英文 |
采用NPT技术的SIGC42T120C IGBT芯片
Edition 2.1
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| 数据手册 - 英文 |
IGBT TRENCHSTOPTM IGBT3芯片SIGC76T65R3E
Rev. 2.0
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| 技术文档 - 英文 |
SIGC04T60GSE IGBT3芯片
Edition 2.0
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| 数据手册 - 英文 |
IGBT槽顶™ IGBT3芯片SIGC128T170R3E
Rev. 2.4
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| 技术文档 - 英文 |
SIGC03T60E IGBT3芯片
Edition 1.0
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| 数据手册 - 英文 |
IGBT TRENCHSTOPTM IGBT3芯片SIGC84T120R3E
Rev. 2.5
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| 技术文档 - 英文 |
SIGC04T60GE IGBT3芯片
Edition 2.1
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| 数据手册 - 英文 |
IGBT TRENCHSTOPTM IGBT3芯片SIGC57T120R3LE
Rev. 2.5
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SIGC128T170R3E IGBT3电源芯片
Eition 2.1
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世强AI
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应用/方案
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瑞之辰推出首款SiC MOSFET PIM模块，可替代硅基IGBT芯片的模块，系统损耗降低三分之一
又有一家国内企业在车规级SiC技术的研发和应用方面实现了新的突破。深圳市瑞之辰科技有限公司推出了首款基于SiC MOSFET技术的PIM模块，实现了对硅基IGBT芯片的模块替代，在系统损耗方面降低了三分之一。与此同时，这款产品在技术上突破传统PIM模块灌封封装模式，模块体积减少约57％，而且使用了瑞之辰自主研发的10项工艺创新，模块可靠性得到大幅提升，非常适用于新能源汽车、充电桩、储能等新兴领域。
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