MUN5315DW1,NSBC114TP_代理商_研发采购服务

MUN5315DW1,NSBC114TPDXV6 Complementary Bias Resistor Transistors R1 = 10 kW, R2 = 8 kW NPN and PNP Transistors with Monolithic Bias Resistor Network

发布时间： 2018-07-31

类型：数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载

品牌：

ONSEMI（ON Semiconductor）

型号：

MUN5315DW1; NSBC114TPDXV6; MUN5315DW1T1G; SMUN5315DW1T1G; NSBC114TPDXV6T1G; BRD8011/D

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测试报告 - 英文	NSBC123JF3T5G材料成分声明 2019-08-14	下载
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测试报告 - 英文	NSBC114YDXV6T5材料成分声明 2019-09-01	下载
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数据手册 - 英文	ENGAFGHL50T65SQDC电场截止沟槽式IGBT 650 V，50 A，to-247 Rev. P0	下载
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数据手册 - 英文	MUN5334DW1，NSBC124XPDXV6互补偏置电阻晶体管R1=22kw，R2=47kw带单片偏置电阻网络的NPN和PNP晶体管 Rev.2	下载
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应用/方案

5.0 V/2.0 A备用电源，适用于INTEL兼容ATX应用程序

本文档为ON Semiconductor公司提供的关于AND8241/DA 5.0 V/2.0 A待机电源的应用笔记。该电源适用于INTEL合规的ATX应用，详细介绍了其设计、工作原理和性能特点。内容包括变压器设计、CCM工作模式、Ramp补偿、过功率保护（OPP）、Brown-out检测、输出电容选择、EMI抑制等。此外，还提供了详细的电路图、PCB布局和物料清单。

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汽车解决方案手册

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产品概述NSBC114EF3:NPN双极数字晶体管（BRT）

NSBC114EF3是一款NPN双极性数字晶体管，旨在替代单个设备及其外部偏置网络。该晶体管集成了两个电阻，一个串联基极电阻和一个基极-发射极电阻，简化了电路设计，减少了电路板空间和元件数量。适用于汽车和其他需要独特站点和控制变更要求的应用，符合AEC-Q101标准，并具备PPAP能力。该产品无铅、无卤素/无BFR，符合RoHS标准。

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产品概述MBRD1035CTL：肖特基功率整流器，开关模式，10A，35V

MBRD1035CTL是一款10A、35V的肖特基功率整流器，适用于低压、高频逆变器、续流二极管和极性保护二极管。该产品采用氧化层钝化和金属覆盖接触的先进几何构造，具有高度稳定的氧化钝化结、应力保护环、匹配的双晶圆结构，可并联使用以实现高电流输出。产品具有低正向压降、良好的热管理特性，符合UL94标准，并具备良好的焊接性能。

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产品概述MBRB1045：肖特基功率整流器，开关模式，10A，45V

MBRB1045是一款施密特功率整流器，采用金属-硅功率整流器中的施密特势垒原理。适用于低压、高频开关电源、续流二极管和极性保护二极管。具有应力保护、低正向电压、符合UL94标准、短热沉引线、与行业标准TO-220封装相似等特点。电气规格包括最大正向电压、最大正向电流、最大反向电流等。适用于开关电源、逆变器等应用。

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产品概述MUN5311DW1：互补双极数字晶体管（BRT）

MUN5311DW1是一款互补双极型数字晶体管（BRT），旨在替代单个设备及其外部偏置网络。该BRT包含一个单晶体管和由两个电阻组成的单片偏置网络，包括串联基极电阻和基极-发射极电阻。这种设计减少了系统成本和板空间，简化了电路设计。产品符合AEC-Q101标准，适用于汽车和其他需要独特站点和控制变更要求的应用。产品无铅、无卤素/无BFR，符合RoHS标准。

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【产品】-100mA/-50V数字晶体管DTA124EE3HZG，内置偏置电阻R1和R2均22kΩ

ROHM PNP型数字晶体管DTA124EE3HZG，R1和R2均22kΩ，符合AEC-Q101标准。电源电压-50V，输出电流-30mA，集电极电流-100mA，耗散功率150mW，结温150℃，互补NPN型DTC124EE3HZG。

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【产品】双偏置电阻晶体管与单片偏置电阻网络MUN5311DW~MUN5335DW，适于电路板空间有限的低功率表面安装应用

BRT（偏置电阻晶体管）包含一个晶体管，该晶体管具有由两个电阻组成的单片偏置网络，一种串联基极电阻和一种基极-发射极电阻。这些数字晶体管被设计来取代单个器件及其外部电阻偏置网络，BRT通过将这些单独的组件集成到单个设备中来消除它们。AiT推出的 MUN5311DW~MUN5335DW中，两个互补的BRT设备采用SC-88封装，非常适合于电路板空间有限的低功率表面安装应用。

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