Product Overview QED223: AlGaAs Infrared Emitting Diode
发布时间：
2018-07-31
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
ONSEMI（ON Semiconductor）
型号：
QED223; QED223A4R0; QED22X; QSD122; QSD123; QSD124
加工定制
Micro-Hybrid提供MEMS红外光源/探测器定制，支持封装形式、滤光片、惰性气体等参数调整，满足气体检测、火焰监测等场景需求。
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布莫让支持超微型单级/多级、微型单级/多级、超微型 TEC 封装产品定制，最小晶粒高度：0.3 mm； 最小横截面：0.2 mm； 最小节距：0.15 mm；能做到最小尺寸 1mm*1mm, 最高级数可达到 7 级。
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资料平台
| 数据手册 - 英文 |
产品概述QSD124：塑料硅红外光电晶体管
12/28/2017
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分申报QED223A4R0
2018-01-15
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产品概述QSD123：塑料硅红外光电晶体管
12/28/2017
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分申报QED223
2018-01-15
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QSD123：塑硅红外光电晶体管产品概述
2/10/2020
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分申报QSD124
2018-01-15
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QSD124塑料硅红外光电晶体管产品概述
7/19/2019
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QSD124材料成分声明
2019-09-11
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QSD124材料成分声明
2019-07-14
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| 数据手册 - 英文 |
QSD123塑料硅红外光电晶体管产品概述
7/19/2019
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材料成分申报QSD123
2018-01-15
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产品概述QED234:GaAs红外发光二极管
10/30/2017
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材料成分声明照片T13-4
2017-12-04
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明照片T13-4
2017-12-04
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| 数据手册 - 英文 |
QED123产品概述：AlGaAs红外发光二极管
10/30/2017
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QSD123材料成分声明
2019-07-14
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| 数据手册 - 英文 |
QED223:AlGaAs红外发光二极管
12/16/2017
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| 测试报告 - 英文 |
QSD123 PHOTOTR T13-4材料成分声明
2019-03-30
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| 数据手册 - 英文 |
红外硅光电晶体管QSD123
Rev. 2
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红外硅光电晶体管QSD123
Rev. 2
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QED223塑料红外发光二极管
Rev. 3
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QED223塑料红外发光二极管
Rev. 3
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| 测试报告 - 英文 |
QSD124 PHOTOTR T13-4材料成分声明
2019-03-30
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材料成分声明QSD124A4R0
2018-01-15
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| 数据手册 - 英文 |
QSD124：塑料硅红外光电晶体管
4/11/2020
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QSD124：塑料硅红外光电晶体管
12/16/2017
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明照片T13-4 T&R
2017-12-04
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材料成分声明照片T13-4 T&R
2017-12-04
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塑料硅红外光电晶体管
12/16/2017
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QSD123A4R0 PHOTOTR T13-4 T&R材料成分声明
2019-03-30
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材料成分声明QSD123A4R0
2018-01-15
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QSD123A4R0材料成分声明
2019-07-14
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QSD124A4R0材料成分声明
2019-07-14
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QSD124A4R0 PHOTOTR T13-4 T&R材料成分声明
2019-03-30
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QEE123:AlGaAs红外发光二极管
12/16/2017
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产品概述QEE123:AlGaAs红外发光二极管
10/30/2017
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QEE122:AlGaAs红外发光二极管
12/16/2017
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产品概述QEE122:AlGaAs红外发光二极管
10/30/2017
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世强AI
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应用/方案
激光二极管的振荡波长是怎样的？
激光二极管的发光原理：激光二极管中的P-N结由两个掺杂的砷化镓层形成。它有两个平端结构，平行于一端镜像（高度反射面）和一个部分反射。要发射的光的波长与连接处的长度正好相关。
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JieJie Microelectronics DC Input, 2.5A, Gate Driver Photo Coupler JOC3120R Series with High Isolation 5000VRMS
JieJie Microelectronics JOC3120R series combines an AlGaAs infrared emitting diode as the emitter which is optically coupled to an integrated circuit with a power output stage in a plastic DIP8 package with different lead forming options.
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【产品】高速10MBit/s逻辑门光电耦合器QXM600/01/11，内置一个850nm的AlGaAS LED
群芯微推出的高速10MBit/s逻辑门光电耦合器QXM600、QXM601、QXM611系列内部有一个850nm的AlGaAS LED，其光学耦合到具有选通输出的超高速集成光电检测器。这些器件采用5引脚外形封装，符合标准封装外形。
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【技术】浅析发光二极管有不同的颜色的原因
LED即发光二极管，是一种固态的半导体器件，它可以直接把电转化为光。发光二极体是由Ⅲ-Ⅳ族化合物，如GaAs（砷化镓）、GaP（磷化镓）、GaAsP（磷砷化镓）等半导体制成的，其中心是PN结。本文福特电子浅析发光二极管有不同的颜色的原因。
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【产品】包含AlGaAs LED的光电耦合器OR-340，可直接驱动1200V/50A的IGBT
奥伦德的OR-340光电耦合器包含一个AlGaAs发光二极管，该发光二极管通过光耦合到具有功率输出级的集成电路。该光耦提供的电压和高峰值输出电流使其非常适合直接驱动额定值高达1200V/50A的IGBT。
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MOC3043M:Triac驱动器输出光耦，6针DIP 400V过零
MOC3043M是一款6引脚DIP封装的400V零电压交叉三极管驱动输出光耦合器。该器件由AlGaAs红外发射二极管和单片硅检测器组成，用于逻辑系统与115VAC电源设备之间的接口，如电传打字机、固态继电器、工业控制、打印机、电机、电磁铁和家用电器等。其主要特点包括简化115VAC电源的逻辑控制、零电压交叉、dv/dt为2000V/μs典型值，1000V/μs保证值，峰值阻断电压为250V（MOC303XM）和400V（MOC304XM），以及安全性和法规认证。
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FODM452:5针MFP高速晶体管输出光耦
FODM452和FODM453是紧凑型5引脚MFP高速晶体管输出光电耦合器。这些器件由AlGaAs LED与高速光电检测晶体管耦合而成，适用于高共模瞬态免疫。特点包括高速1 MBit/s、高CMR（15kV/µs at VCM = 1500V）和宽工作温度范围（-40°C至85°C）。适用于能源生成与分配、工业电机和不间断电源等应用。
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FOD0721：高CMR，25Mbit/sec逻辑门光耦
FOD0721系列高速逻辑门光耦合器采用Fairchild的Optoplanar共平面封装技术和优化的IC设计，提供至少20kV/µs的共模噪声抑制能力。该产品由高速AlGaAs LED和CMOS检测IC组成，具有低功耗和高速度（40ns传播延迟，6ns脉冲宽度失真）的特点。产品适用于能源生成与分配、工业电机和不间断电源等领域，提供25Mbit/sec的数据传输速率，并兼容+5V CMOS。
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FODM453:5引脚MFP高速/高CMR晶体管输出光耦
FODM453是一款5引脚MFP高速/高共模瞬态免疫（CMR）晶体管输出光电耦合器。该产品采用AlGaAs LED与高速光电检测晶体管耦合，封装于紧凑的5引脚mini flat封装中。FODM453具有1 MBit/s的高速传输能力，以及15kV/µs的共模瞬态免疫性能，适用于能源生成与分配、工业电机和不间断电源等应用。产品保证在0-70°C的温度范围内性能稳定，并符合UL和VDE安全标准。
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Photo MOSFET Solid-state Relay Features High Input-to-Output Insulation Voltage of 5000 Vrms for 1min
The photo MOSFET solid-state relay HSSR-DA05-× of Hualian Electronics consists of an AlGaAs infrared emitting diode input stage optically coupled to a high-voltage output detector circuit. The detector consists of a high-speed photovoltaic diode array and driver circuitry to switch on/off two discrete high voltage MOSFETs.
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【产品】发射波长850nm的AlGaAs红外发光二极管KEEN5102AL，适用于红外光照明、夜视和虹膜照相机光源等
KODENSHI推出KEEN5102AL是其推出的一款AlGaAs高功率、低正向电压的GaAs红外发光二极管。该产品在发射波长850nm左右对速度和效率做了优化，使其在宽范围的正向电流内具有很高的辐射效率。适合用于红外光照明、夜视和虹膜照相机光源等应用场合。
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【产品】新一代镓铝砷红外LED OP123,OP124,OP223,OP224，可取代砷化镓红外发光二极管
TT ELECTRONICS推出新一代镓铝砷红外LED，如OP123，OP124，OP223，OP224，由于其在相同的输入电流（IF）水平下提供至少两倍的功率输出，并显著提高耦合效率，其性能显著优于砷化镓红外发光二极管，所以新一代镓铝砷红外LED必将取代砷化镓红外发光二极管成为行业主流。
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