Product Overview QED234: GaAs Infrared Emitting Diode
发布时间：
2018-07-31
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
ONSEMI（ON Semiconductor）
型号：
QED234; QSD122; QSD123; QSD124; QED233
加工定制
可定制变压器的常规尺寸从EE4.4到ETD49不等，温度范围：-40℃~150℃。自动化产品的起订数量：20KPCS，其它定制产品无起订量要求。
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可定制共模扼流圈、DIP功率扼流圈、大电流扼流圈、环形扼流圈/线圈等产品，耐温范围-40℃~125℃，电感量最高1200mH。
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资料平台
| 数据手册 - 英文 |
QSD123：塑硅红外光电晶体管产品概述
2/10/2020
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分申报QED234
2018-01-15
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QSD124塑料硅红外光电晶体管产品概述
7/19/2019
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分申报QSD124
2018-01-15
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QSD123塑料硅红外光电晶体管产品概述
7/19/2019
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| 测试报告 - 英文 |
QSD124材料成分声明
2019-09-11
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| 测试报告 - 英文 |
QSD124材料成分声明
2019-07-14
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产品概述QED223:AlGaAs红外发光二极管
10/30/2017
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材料成分申报QSD123
2018-01-15
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| 数据手册 - 英文 |
产品概述QSD124：塑料硅红外光电晶体管
12/28/2017
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| 测试报告 - 英文 |
QSD123 PHOTOTR T13-4材料成分声明
2019-03-30
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QED123产品概述：AlGaAs红外发光二极管
10/30/2017
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材料成分声明照片T13-4
2017-12-04
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材料成分声明照片T13-4
2017-12-04
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产品概述QSD123：塑料硅红外光电晶体管
12/28/2017
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QSD123材料成分声明
2019-07-14
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| 数据手册 - 英文 |
红外硅光电晶体管QSD123
Rev. 2
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红外硅光电晶体管QSD123
Rev. 2
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QED234:GaAs红外发光二极管
12/16/2017
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QSD124 PHOTOTR T13-4材料成分声明
2019-03-30
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| 数据手册 - 英文 |
QED234塑料红外发光二极管
Rev. 3
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QED234塑料红外发光二极管
Rev. 3
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明QSD124A4R0
2018-01-15
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明照片T13-4 T&R
2017-12-04
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材料成分声明照片T13-4 T&R
2017-12-04
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QSD124：塑料硅红外光电晶体管
4/11/2020
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QSD124：塑料硅红外光电晶体管
12/16/2017
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QSD123A4R0 PHOTOTR T13-4 T&R材料成分声明
2019-03-30
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| 数据手册 - 英文 |
塑料硅红外光电晶体管
12/16/2017
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材料成分声明QSD123A4R0
2018-01-15
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QSD123A4R0材料成分声明
2019-07-14
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QSD124A4R0 PHOTOTR T13-4 T&R材料成分声明
2019-03-30
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| 测试报告 - 英文 |
QSD124A4R0材料成分声明
2019-07-14
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产品概述QEE113:GaAs红外发光二极管
10/30/2017
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| 数据手册 - 英文 |
QEE113:GaAs红外发光二极管
12/16/2017
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产品概述QEE123:AlGaAs红外发光二极管
10/30/2017
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QEE123:AlGaAs红外发光二极管
12/16/2017
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QEE122:AlGaAs红外发光二极管
12/16/2017
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产品概述QEE122:AlGaAs红外发光二极管
10/30/2017
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QED123:AlGaAs红外发光二极管
12/16/2017
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QED223塑料红外发光二极管
Rev. 3
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QEE113塑料红外发光二极管
Rev. 2.2
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QEE113塑料红外发光二极管
Rev.2.2
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世强AI
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应用/方案
高性能光电耦合器SL3053，采用AIGaAs红外发射二极管作为发射器，隔离度高达5000VRMS
SLKOR光耦SL3053作为一款高性能光电耦合器，采用了AIGaAs红外发射二极管作为发射器，与具有不同引线成型选项的塑料DIP6封装中的单片硅随机相位光电三端双向可控硅开关元件进行光学耦合，提供了最稳定的隔离功能。
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【产品】高速10MBit/s逻辑门光电耦合器QXM600/01/11，内置一个850nm的AlGaAS LED
群芯微推出的高速10MBit/s逻辑门光电耦合器QXM600、QXM601、QXM611系列内部有一个850nm的AlGaAS LED，其光学耦合到具有选通输出的超高速集成光电检测器。这些器件采用5引脚外形封装，符合标准封装外形。
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【技术】浅析发光二极管有不同的颜色的原因
LED即发光二极管，是一种固态的半导体器件，它可以直接把电转化为光。发光二极体是由Ⅲ-Ⅳ族化合物，如GaAs（砷化镓）、GaP（磷化镓）、GaAsP（磷砷化镓）等半导体制成的，其中心是PN结。本文福特电子浅析发光二极管有不同的颜色的原因。
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【产品】包含AlGaAs LED的光电耦合器OR-340，可直接驱动1200V/50A的IGBT
奥伦德的OR-340光电耦合器包含一个AlGaAs发光二极管，该发光二极管通过光耦合到具有功率输出级的集成电路。该光耦提供的电压和高峰值输出电流使其非常适合直接驱动额定值高达1200V/50A的IGBT。
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【产品】GaAs红外发射二极管 SEL5001，高输出功率、高可靠性且易于安装
可天士（KODENSHI）公司的SEL5001是一款安装在透明塑料封装中的GaAs红外发射二极管，紧凑且易于安装。尺寸和等效电路图如下图所示：其耗散功率最大额定值为75mW，正向电流最大50mA，反向电压最高5V，工作温度范围为-25℃至85℃，存储温度范围为-30℃至85℃，焊接温度为260℃。正向电压典型值为1.4V（IF=50mA时），反向电流最大值为10uA（VR=5V时）
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【经验】不同热参数对GaAs LED光电参数的影响
TT ELECTRONICS推出的GaAs LED的输出功率（P0）是正向电流（IF）的函数。随着该正向电流的增加，输出功率也将增加。流过LED的正向电流产生热量（P0），这导致二极管的结温（ƟI）增加。随着结温升高，输出功率降低。 为了获得GaAs LED的最佳工作条件，必须知道不同的热参数及其对主要光电参数的影响。
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【产品】高隔离电压的新型光耦SLM352，内置AGaAs红外发射二极管，工作温度-55至100℃
SLKOR推出了一款新型光耦SLM352。SLM352采用了AGaAs红外发射二极管作为发射器，采用塑料SOP4封装。SLM352具有高隔离电压、灵活的CTR、晶体管输出等特点，能够在-55℃至100℃的温度范围内正常工作。
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