MPSA75, MPSA77 Darlington Transistors PNP Silicon
发布时间：
2018-07-31
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
ONSEMI（ON Semiconductor）
型号：
MPSA75; MPSA77; MPSA75RLRPG; MPSA77G; BRD8011/D; MPSAxx
资料平台
| 数据手册 - 英文 |
MPSA75、MPSA77达林顿晶体管
Rev. 5
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| 测试报告 - 英文 |
SBRD81045T4G材料成分声明
2019-07-14
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| 测试报告 - 英文 |
SBRD81045T4G材料成分声明
2019-03-30
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| 技术文档 - 英文 |
MPSA20放大器晶体管NPN硅
Rev. 3
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| 数据手册 - 英文 |
MPSA27达林顿晶体管NPN硅
Rev.4
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| 测试报告 - 英文 |
SBRD81035CTLT4G材料成分声明
2019-07-14
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| 数据手册 - 英文 |
NST3906DP6T5G双通用晶体管
Rev.1
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明SBRD81035CTLT4G
2018-01-17
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| 数据手册 - 英文 |
BAW56M3T5G双开关二极管共阳极
Rev.0
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材料成分声明SBRD81045T4G
2018-01-16
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| 数据手册 - 英文 |
MMBFU310LT1G JFET晶体管N沟道
Rev.6
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| 测试报告 - 英文 |
阻隔整流器材料成分声明
2017-12-03
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| 测试报告 - 英文 |
阻隔整流器材料成分声明
2017-12-03
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| 数据手册 - 英文 |
ENGAFGHL50T65SQDC电场截止沟槽式IGBT 650 V，50 A，to-247
Rev. P0
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明
2017-12-04
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| 数据手册 - 英文 |
MPSA12达林顿晶体管NPN硅
Rev.1
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| 数据手册 - 英文 |
NSS12600CF8T1G 12 V，6.0 A，低VCE（sat）PNP晶体管
Rev.1
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| 测试报告 - 英文 |
SBRD81035CTLT4G REC DPAK特殊SHTKY材料成分声明
2019-03-30
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| 数据手册 - 英文 |
DMPSA63，MPSA64达林顿晶体管PNP硅
Rev.0
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| 测试报告 - 英文 |
SSBRD81045T4G材料成分声明
2019-07-14
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| 测试报告 - 英文 |
SSBRD81045T4G材料成分声明
2019-03-30
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| 数据手册 - 英文 |
NCV47822双高压侧开关，具有可调电流限制和诊断功能
Rev. 0
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| 测试报告 - 英文 |
MPSA42材料成分声明
2019-08-11
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| 数据手册 - 英文 |
CAT3649 6通道LED驱动器，具有32个调光级别和PWM
Rev.3
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| 测试报告 - 英文 |
MPSA29材料成分声明
2019-08-09
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| 数据手册 - 英文 |
BC618达林顿晶体管NPN硅
Rev.4
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明SSBRD81045T4G
2018-01-16
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| 数据手册 - 英文 |
带有单片偏置电阻网络的DTA144TT1偏置电阻晶体管PNP硅表面贴装晶体管
Rev.3
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| 数据手册 - 英文 |
带有单片偏置电阻网络的NSBC144WPDP6互补偏置电阻晶体管R1=47 kW，R2=22 kW NPN和PNP晶体管
Rev.1
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| 数据手册 - 英文 |
带输出寄存器的MC74LV594A 8位移位寄存器
Rev. 2
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明MPSA29RLRP
2018-01-11
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| 数据手册 - 英文 |
带有单片偏置电阻网络的NSBC123TPDP6互补偏置电阻晶体管R1=2.2 kW，R2=8 kW NPN和PNP晶体管
Rev.1
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明MPSA29-D26Z
2018-01-11
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| 数据手册 - 英文 |
MURA260T3G表面贴装超快功率整流器
Rev. 6
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| 测试报告 - 英文 |
MPSA29G材料成分声明
2019-08-10
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| 数据手册 - 英文 |
TCP-5068UB 6.8 pF无源可调谐集成电路
Rev. 0
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| 测试报告 - 英文 |
MPSA42ZL1材料成分声明
2019-08-14
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| 数据手册 - 英文 |
TCP-5039UB 3.9PF无源可调谐集成电路
Rev. 0
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明MPSA29G
2018-01-11
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| 数据手册 - 英文 |
TCP-5047UB 4.7 pF无源可调谐集成电路
Rev. 0
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| 测试报告 - 英文 |
MPSA42G材料成分声明
2019-09-14
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| 测试报告 - 英文 |
MPSA42G材料成分声明
2019-08-13
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| 数据手册 - 英文 |
TCP-5082UB 8.2 pF无源可调谐集成电路
Rev. P1
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世强AI
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应用/方案
5.0 V/2.0 A备用电源，适用于INTEL兼容ATX应用程序
本文档为ON Semiconductor公司提供的关于AND8241/DA 5.0 V/2.0 A待机电源的应用笔记。该电源适用于INTEL合规的ATX应用，详细介绍了其设计、工作原理和性能特点。内容包括变压器设计、CCM工作模式、Ramp补偿、过功率保护（OPP）、Brown-out检测、输出电容选择、EMI抑制等。此外，还提供了详细的电路图、PCB布局和物料清单。
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汽车解决方案手册
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产品概述MBRD1035CTL：肖特基功率整流器，开关模式，10A，35V
MBRD1035CTL是一款10A、35V的肖特基功率整流器，适用于低压、高频逆变器、续流二极管和极性保护二极管。该产品采用氧化层钝化和金属覆盖接触的先进几何构造，具有高度稳定的氧化钝化结、应力保护环、匹配的双晶圆结构，可并联使用以实现高电流输出。产品具有低正向压降、良好的热管理特性，符合UL94标准，并具备良好的焊接性能。
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产品概述MBRB1045：肖特基功率整流器，开关模式，10A，45V
MBRB1045是一款施密特功率整流器，采用金属-硅功率整流器中的施密特势垒原理。适用于低压、高频开关电源、续流二极管和极性保护二极管。具有应力保护、低正向电压、符合UL94标准、短热沉引线、与行业标准TO-220封装相似等特点。电气规格包括最大正向电压、最大正向电流、最大反向电流等。适用于开关电源、逆变器等应用。
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优化达林顿晶体管在电机驱动系统中的效率与可靠性设计 ——华轩阳电子TIP122-HXY的性能优势解析
本文分析了华轩阳电子TIP122-HXY达林顿晶体管在电机驱动系统中的效率与可靠性优化设计，重点探讨其在降低导通损耗、提升热可靠性及增强驱动能力方面的性能优势。
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【产品】输出耐压高至50V的达林顿晶体管LK5802，采用SOP8封装，每路500mA集电极输出电流
兰科半导体推出的LK5802是专为带MCU供电的达林顿晶体管，电路由两路达林顿管和一个稳压供电模块组成，每路达林顿管带有续流二极管，支持最大500mA电流输出，可用于驱动继电器等感性负载。
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【产品】HPC952×a-×光敏达林顿晶体管输出型光耦合器，采用达林顿晶体管输出，防静电等级500V
光敏达林顿晶体管输出型光耦合器是将红外LED芯片和光敏达林顿晶体管芯片封装在一起，以实现电——光——电转换。HPC952×a-×光敏达林顿晶体管输出型光耦合器，采用达林顿晶体管输出和双列直插式/贴片式4L塑料封装。
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