2N6426, 2N6427 Darlington Transistors NPN Silicon
发布时间：
2018-07-31
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
ONSEMI（ON Semiconductor）
型号：
2N6426; 2N6427; 2N6426G; 2N6426RLRAG; 2N6427G; 2N6427RLRAG; 2N642x
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2N6426、2N6427达林顿晶体管
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2N6427/MMBT6427 NPN达林顿晶体管
2017/11/19
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BC618达林顿晶体管NPN硅
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BC618达林顿晶体管
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BCV26 PNP达林顿晶体管
Rev. C
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BCV26 PNP达林顿晶体管
2017/10/26
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MPSA75、MPSA77达林顿晶体管
Rev. 5
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MPSA13、MPSA14达林顿晶体管
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MPSA13、MPSA14达林顿晶体管
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BC516 PNP达林顿晶体管
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BC516 PNP达林顿晶体管
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MPSA12达林顿晶体管NPN硅
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MPSA28、MPSA29达林顿晶体管
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MPSA63、MPSA64达林顿晶体管
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BCV27 NPN达林顿晶体管
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BCV27 NPN达林顿晶体管
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BSP50 NPN达林顿晶体管
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DMPSA63，MPSA64达林顿晶体管PNP硅
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MPSA75，MPSA77达林顿晶体管PNP硅
Rev.5
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MMBTA63LT1G、MMBTA64LT1G、SMMBTA64LT1G达林顿晶体管PNP硅
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MPSA28、MPSA29 MPSA29是达林顿晶体管NPN硅的首选器件
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MMBTA63LT1G、MMBTA64LT1G、SMMBTA64LT1G达林顿晶体管
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MMBTA63LT1G、MMBTA64LT1G、SMMBTA64LT1G达林顿晶体管
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MMBTA63LT1 MMBTA64LT1G，SMMBTA64LT1G达林顿晶体管
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达林顿晶体管
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MJB5742T4G NPN硅功率达林顿晶体管
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MJB5742T4G NPN硅功率达林顿晶体管
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MJB5742T4G NPN硅功率达林顿晶体管
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MJB5742T4G NPN硅功率达林顿晶体管
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MJE5740、MJE5742 NPN硅功率达林顿晶体管
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MJE5740，MJE5742 NPN硅功率达林顿晶体管
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BC372、BC373高压达林顿晶体管
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高压达林顿晶体管
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技术论坛
您好，麻烦帮忙推荐一款国产的达林顿晶体管可替换安森美（ON）的 MC1413PG，需求PIN TO PIN 。
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应用/方案
BCV26:PNP达林顿晶体管
BCV26是一款PNP达林顿晶体管，适用于需要极高电流增益的应用，最大电流至800mA。该产品符合无铅标准，适用于多种通用应用。主要电气规格包括：持续电流1.2A，CEO反向击穿电压最小30V，饱和电压最大1V，最小电流增益10k，最小截止频率220MHz，封装类型为SOT-23-3。
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MMBTA64:PNP达林顿晶体管
MMBTA64是一款PNP达林顿晶体管，适用于需要极高电流增益的应用，最大电流为800mA。该产品符合无铅标准，适用于多种通用应用，具有SOT-23-3封装。主要电气规格包括反向漏电流、CEO反向击穿电压、集电极饱和电压、最小和最大电流增益以及最小特征频率。
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BC516:PNP达林顿晶体管
BC516是一款PNP达林顿晶体管，适用于需要极高电流增益的应用。该器件在1mA电流下具有极高的电流增益，适用于多种通用应用。其主要电气规格包括：连续电流1A，CEO反向击穿电压最小30V，饱和电压最大1V，最小电流增益30k，最小特征频率200MHz，封装类型为TO-92-3 LF。
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MMBTA63L:PNP双极达林顿晶体管
MMBTA63L是一款PNP双极型达林顿晶体管，适用于开关应用，如打印锤、继电器、电磁铁和灯驱动器。该器件采用SOT-23封装，适用于低功耗表面贴装应用。特点包括低rDS(on)提供高效率和延长电池寿命，小型SOT-23表面贴装封装节省板空间，无铅封装，适用于汽车和其他需要独特站点和控制变更要求的应用，AEC-Q101认证和PPAP能力。
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优化达林顿晶体管在电机驱动系统中的效率与可靠性设计 ——华轩阳电子TIP122-HXY的性能优势解析
本文分析了华轩阳电子TIP122-HXY达林顿晶体管在电机驱动系统中的效率与可靠性优化设计，重点探讨其在降低导通损耗、提升热可靠性及增强驱动能力方面的性能优势。
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【产品】输出耐压高至50V的达林顿晶体管LK5802，采用SOP8封装，每路500mA集电极输出电流
兰科半导体推出的LK5802是专为带MCU供电的达林顿晶体管，电路由两路达林顿管和一个稳压供电模块组成，每路达林顿管带有续流二极管，支持最大500mA电流输出，可用于驱动继电器等感性负载。
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BC517:NPN双极达林顿晶体管
BC517是一款NPN双极型达林顿晶体管，适用于开关应用，如打印锤、继电器、电磁铁和灯具驱动器。该器件采用TO-92封装，适用于中等功率应用。特点包括无铅封装、ESD保护、极性反转保护和数据线保护等。主要电气规格包括连续集电极电流、CEO反向击穿电压、饱和电压、最小和最大电流增益以及最小特征频率。
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BCV27:NPN达林顿晶体管
BCV27是一款NPN达林顿晶体管，适用于需要极高电流增益的应用，集电极电流可达1.0A。该产品符合无铅要求，适用于多种通用应用。主要电气规格包括：连续集电极电流1.2A，CEO反向击穿电压最小30V，饱和电压最大1V，最小电流增益10k，最小特征频率220MHz，封装类型为SOT-23-3。
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BSP50:NPN达林顿晶体管
BSP50是一款NPN达林顿晶体管，适用于需要极高电流增益的应用，集电极电流可达500 mA。该产品适用于多种通用应用，并符合无铅工艺要求。主要电气规格包括连续集电极电流、最大CEO反向击穿电压、最大VCE饱和电压、最小hFE和最小fT等。产品采用SOT-223-4/TO-261-4封装。
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NCV1413：达林顿晶体管阵列，高电压，大电流
NCV1413是一款高压、大电流的达林顿晶体管阵列，适用于驱动灯具、继电器或打印机锤等工业和消费类应用。该产品具有高击穿电压和内部抑制二极管，确保在感应负载下无问题。其峰值浪涌电流可达500 mA，适用于驱动白炽灯。MC1413B型号配备2.7 kΩ串联输入电阻，适用于5.0 V TTL或CMOS逻辑系统。产品符合AEC标准，具有无铅和卤素免费特性。
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MMBT6427:NPN达林顿晶体管
MMBT6427是一款NPN达林顿晶体管，适用于需要极高电流增益的应用，集电极电流可达1.0A。该产品符合无铅标准，适用于多种通用应用，具有SOT-23-3封装。主要电气规格包括连续集电极电流1.2A、CEO反向击穿电压最小40V、饱和压降最大1.5V、最小电流增益20k、最大电流增益200k。
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KSP13:NPN外延硅达林顿晶体管
KSP13是一款NPN型外延硅达林顿晶体管，具有30V的集电极-发射极电压和625mW的最大集电极功耗。适用于多种通用应用。产品规格包括连续集电极电流、最小击穿电压、最大饱和电压、最小电流增益和最小特征频率等。该产品采用Pb-free工艺，封装类型为TO-92-3。
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【产品】HPC952×a-×光敏达林顿晶体管输出型光耦合器，采用达林顿晶体管输出，防静电等级500V
光敏达林顿晶体管输出型光耦合器是将红外LED芯片和光敏达林顿晶体管芯片封装在一起，以实现电——光——电转换。HPC952×a-×光敏达林顿晶体管输出型光耦合器，采用达林顿晶体管输出和双列直插式/贴片式4L塑料封装。
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KSH122:NPN硅达林顿晶体管
KSH122是一款NPN硅达林顿晶体管，适用于通用电源和开关应用。该产品具有以下特点：D-PAK封装、高直流电流增益、内置阻尼二极管、适用于表面贴装（无后缀）、与TIP122电性能相似。适用于多种通用应用。产品规格包括无铅、无卤素版本，适用于不同的电气性能要求。
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BSP52:NPN双极达林顿晶体管
BSP52是一款NPN双极型达林顿晶体管，适用于开关应用，如打印锤、继电器、电磁铁和灯泡驱动器。该器件采用SOT-223封装，适用于中等功率表面贴装应用。特点包括：SOT-223封装可使用波焊或回流焊焊接，形成引脚可吸收焊接过程中的热应力，防止芯片损坏；提供12毫米卷带和卷盘包装，适用于不同需求；有PNP互补型号BSP62T1；提供无铅封装；适用于汽车和其他需要独特站点和控制变更要求的应用，符合AECQ101标准，并具备PPAP能力。
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MMBT6427L:NPN双极达林顿晶体管
MMBT6427L是一款NPN双极型达林顿晶体管，适用于开关应用，如打印锤、继电器、电磁铁和灯具驱动器。该器件采用SOT-23封装，适用于低功耗表面贴装应用。特点包括无铅封装、适用于汽车和其他需要独特站点和控制变更要求的应用，符合AEC-Q101标准并具备PPAP能力。
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