NVMFS5C442NL: Power MOSFET 40V, 130A, 2.5 mOhm, Single N-Channel, SO8-FL, Logic Level.
发布时间：
2018-07-31
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
ONSEMI（ON Semiconductor）
型号：
NVMFS5C442NL; NVMFS5C442NLAFT1G; NVMFS5C442NLWFAFT1G
资料平台
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NVMFS5C442NL单N沟道功率MOSFET 40V，130A，2.5mΩ产品概述
3/28/2019
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NVMFS5C442NLWFT1G材料成分声明
2019-07-14
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NVMFS5C442NLWFT1G材料成分声明
2019-03-30
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NVMFS5C442NLWFT1G材料成分声明
2019-03-30
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NVMFS5C442NL：功率MOSFET 40V，130A，2.5mohm，单N沟道，SO8-FL，逻辑电平。
11/19/2017
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材料成分声明NVMFS5C442NLWFT1G
2018-01-17
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NVMFS5C442NL产品介绍
Rev. 8
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材料成分声明
2017-12-04
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材料成分声明
2017-12-04
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2017-12-04
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2017-12-04
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2017-12-04
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材料成分声明
2017-12-04
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NVMFS5C442NL功率MOSFET
Rev. 8
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NVMFS5C442NL功率MOSFET
Rev. 8
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NVMFS5C442NLWFT1G型
2019-07-14
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NVMFS5C442NLAFT1G材料成分声明
2020-01-23
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NVMFS5C442NLAFT1G材料成分声明
2019-10-29
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NVMFS5C442NLAFT1G材料成分声明
2019-07-14
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NVMFS5C442NLAFT1G材料成分声明
2019-03-30
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单通道，nV445毫伏，mFL
Rev. 7
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NVMFS5C442N：功率MOSFET 40V，140A，2.3mohm，单N沟道，SO8-FL。
12/28/2017
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材料成分声明NVMFS5C442NLAFT1G T6 40V S08FL
2018-01-17
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NVMFS5C442N：单通道N沟道功率MOSFET 40V、140A、2.3mΩ
2/21/2020
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NVMFS5C442N单N沟道功率MOSFET产品概述
3/28/2019
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材料成分声明T6 40V S08FL
2017-12-04
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NVMFS5C442N功率MOSFET 40 V，2.3 m ，140 A，单N-沟道
Rev. 3
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NVMFS5C442N功率MOSFET
Rev. 5
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NVMFS5C442N功率MOSFET
Rev. 5
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NVMFS5C442N功率MOSFET
Rev. 5
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NVMFS5C442NLWFT3G材料成分声明
2019-07-14
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NVMFS5C442NLWFT3G材料成分声明
2019-07-14
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NVMFS5C442NLWFT3G材料成分声明
2019-03-30
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NVMFS5C442NLWFT3G材料成分声明
2019-03-30
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材料成分声明T6-40V N 2.5 mOhms LL
2017-12-04
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材料成分声明T6-40V N 2.5 mOhms LL
2017-12-04
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材料成分声明T6-40V N 2.5 mOhms LL
2017-12-04
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材料成分声明T6-40V N 2.5 mOhms LL
2017-12-04
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材料成分声明NVMFS5C442NLWFT3G T6-40V N 2.5 mOhms LL
2018-01-17
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技术论坛
扫地机项目，有安森美的一颗N沟道MOS替换需求，型号为NVMFS5C604NLWFAFT1G，60 V, 1.2 mΩ, 287A，DFN5 5x6封装，有合适的替换吗，最好PTP。
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直放站项目，使用ONSEMI的N沟道MOSFET NVMFS6H858NLT1G，有没有可推荐的国产物料
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应用/方案
汽车启停电源参考设计
本资料介绍了ON Semiconductor公司提供的汽车启动停止电源参考设计，适用于ADAS、网关和娱乐信息系统等汽车应用。该设计采用非同步升压转换器，输入电压范围为3.0至7.0伏，可临时降至1.5伏，承受峰值40伏。设计包含NCV887801控制器、NVMFS5C442NL 40伏N沟道FET和NRVB460MFS 60伏肖特基二极管，提供自动唤醒、状态引脚诊断功能、低IQ、±2%输出精度和峰值电流模式控制等特性。
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NCV887801汽车启停电源参考设计
本资料介绍了ON Semiconductor提供的汽车启动停止电源参考设计TND6323/D，适用于汽车ADAS、网关和娱乐信息系统等应用。该设计采用非同步升压转换器，输入电压范围为3.0至7.0V，可临时降至1.5V，承受高达40V的峰值电压。设计包含NCV887801控制器、NVMFS5C442NL 40V N沟道FET和NRVB460MFS 60V肖特基二极管，提供自动唤醒、状态引脚诊断功能、低IQ、±2%输出精度和峰值电流模式控制等特性。
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产品概述NVMFS5C410NL：功率MOSFET 40V，330A，0.82 mOhm，单N沟道，SO8-FL，逻辑电平。
NVMFS5C410NL是一款40V、330A、0.82mΩ的单通道功率MOSFET，采用SO8-FL封装，适用于逻辑电平。该产品专为紧凑高效设计而设计，具有高热性能。它具有可湿边选项，适用于汽车应用，并通过AEC-Q101认证。产品特点包括小尺寸（5x6mm）、低RDS(on)、低QG和电容、可湿边选项、AEC-Q101认证和无铅。适用于汽车电池保护、开关、电源转换器、电磁阀驱动、电机控制等应用。
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产品概述NVMFS5C442N：功率MOSFET 40V，140A，2.3 mOhm，单N沟道，SO8-FL。
NVMFS5C442N是一款40V、140A、2.3mΩ的单通道功率MOSFET，采用5x6mm扁平引脚封装，适用于紧凑高效的设计。该产品具有低导通损耗、低驱动损耗，并提供可增强光学检查的湿边选项。产品符合AEC-Q101标准，适用于汽车应用，包括电池保护、开关、电源供应、电磁阀驱动、电机控制等。
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产品概述NVMFS6B03N：功率MOSFET 100V，145A，4.8 mOhm，单N沟道，SO8-FL。
NVMFS6B03N是一款100V、145A、4.8mΩ的单通道功率MOSFET，采用5x6mm扁平引脚封装，适用于紧凑高效的设计。该产品具有低导通电阻、低QG和电容、湿边选项等特点，符合AEC-Q101标准，适用于汽车应用。主要应用于高-低侧驱动器、功率开关、开关电源、电磁阀驱动器、电机控制等领域。
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产品概述NVMFS6B14NL：功率MOSFET 100 V，55 A，13 mΩ，单N沟道
NVMFS6B14NL是一款100V、55A、13mΩ的单通道MOSFET，适用于紧凑高效的设计，具有高热性能。该产品具有小尺寸（5x6mm）和低导通电阻，适用于汽车应用，符合AEC-Q101标准，并具备PPAP能力。主要特点包括低导通电阻、低QG和电容，以及可选的湿边选项以增强光学检查。该产品适用于高/低侧驱动器、H桥、开关电源、功率开关、电磁阀驱动器、电机控制以及负载开关等应用。
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产品概述NVMFS5885NL：功率MOSFET 60V，39A，15 mOhm，单N沟道，SO8-FL，逻辑电平。
NVMFS5885NL是一款60V、39A、15mΩ的单通道功率MOSFET，封装为SO8-FL，适用于逻辑电平。该产品适用于汽车应用，具有AEC-Q101认证，适用于紧凑高效的设计，具有高热性能。产品特点包括小封装尺寸、低导通电阻，适用于电机控制等应用。
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