Material Composition Declaration LE25U40CMCQ00-AH
发布时间：
2018-07-31
类型：
测试报告，认证报告、性能测试报告
品牌：
ONSEMI（ON Semiconductor）
型号：
LE25U40CMCQ00-AH
本物质声明文件详细介绍了Onsemi品牌型号LE25U40CMCQ00-AH的材料成分构成，旨在满足环保合规要求。该文件由制造商提供，全面列出了产品内部所使用的各类材料及其具体含量，涵盖锡、银、铜、磷等关键物质。同时，资料明确声明该产品符合欧盟RoHS指令的环保标准，并附带了详细的制造商联系方式、具体产品信息、生产制造地点以及相关的环境合规声明，为用户在元器件选型及环保认证环节提供了权威的数据支撑。基于该方案，用户可通过世强硬创平台获取原厂授权的正品器件。Onsemi在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。针对文中所述器件，平台提供专职FAE团队支持选型、设计验证及调试，相关产品支持单件起订、在线下单、样品申请、批量询价，并覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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| 数据手册 - 英文 |
LE25U40CMC串行闪存产品概述
3/29/2019
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| 测试报告 - 英文 |
LE25U40CMCQ00-AH材料成分声明
2020-04-12
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| 测试报告 - 英文 |
LE25U40CMCQ00-AH材料成分声明
2020-02-10
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| 测试报告 - 英文 |
LE25U40CMCQ00-AH材料成分声明
2019-07-15
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| 测试报告 - 英文 |
LE25U40CMCQ00-AH材料成分声明
2019-03-31
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| 数据手册 - 英文 |
LE25U40CMC：串行闪存，4 Mb（512K x 8）
12/10/2017
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| 数据手册 - 英文 |
LE25U40CMC CMOS L SI串行闪存，4Mb（512K×8）
Rev. 1
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明LE25U40CMCQ00-AH
2017-12-05
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| 测试报告 - 英文 |
LE25U40CMC-AH材料成分声明
2020-04-12
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| 测试报告 - 英文 |
LE25U40CMC-AH材料成分声明
2019-07-15
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| 测试报告 - 英文 |
LE25U40CMC-AH材料成分声明
2019-03-31
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明LE25U40CMC-AH
2018-01-07
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明LE25U40CMC-AH
2017-12-05
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明LE25U40CMC-AH-2
2018-01-07
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明LE25U40CMC-AH-2
2017-12-05
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| 测试报告 - 英文 |
LE25U40CMC-AH-2材料成分声明
2020-04-12
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| 测试报告 - 英文 |
LE25U40CMC-AH-2材料成分声明
2019-07-15
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| 测试报告 - 英文 |
LE25U40CMC-AH-2材料成分声明
2019-03-31
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| 测试报告 - 英文 |
LE25U40CMCS00-AH材料成分声明
2020-04-12
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| 测试报告 - 英文 |
LE25U40CMCS00-AH材料成分声明
2019-07-15
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| 测试报告 - 英文 |
LE25U40CMCS00-AH材料成分声明
2019-03-31
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明LE25U40CMCS00-AH
2018-01-07
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明LE25U40CMCS00-AH
2017-12-05
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| 测试报告 - 英文 |
NLX1G99DMUTCG材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
NLX1G99DMUTWG材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
NLX1G99AMX1TCG材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
CAT93C46RYI-GT3A材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
S2D材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
NLAS3899BMNR2G材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
NTMFS2D6P02P8ZT1G材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
ES2DAF材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
NVMYS2D1N04CLTWG材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
FPAM50LH60G材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
NVMFS5C468NLWFT3G材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
MBR0530T1G材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
NVMFS2D3P04M8LT1G材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
SZ1SMA5938BT3G材料成分声明
2019-08-10
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| 数据手册 - 英文 |
BC857AL PNP双极晶体管产品概述
8/10/2019
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| 测试报告 - 英文 |
NSVBC857BLT3G材料成分声明
2019-08-10
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| 数据手册 - 英文 |
BC857CW 45 V，100 mA，PNP双极结晶体管产品概述
8/10/2019
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| 测试报告 - 英文 |
SBC857BLT1材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
BC857BLT3G材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
FSBF10CH60BTL材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
NSR0140P2T5H材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
74LCXR2245MTC材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
SZMMSZ5227BT1DS材料成分声明
2019-08-10
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| 测试报告 - 英文 |
DTA114EET1材料成分声明
2019-08-10
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世强AI
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应用/方案
LE25U40CMC：串行闪存，4 Mb（512K x 8）
LE25U40CMC是一款4M位（512K x 8位）配置的SPI总线闪存设备，具备高性能的双输出和双I/O功能。该设备使用单2.5V电源，适用于便携式信息设备等需要紧凑尺寸的应用。它具有小扇区擦除能力，适合存储参数或数据，且具有4K字节/小扇区、64K字节/扇区的扇区大小，支持小扇区擦除、扇区擦除、芯片擦除功能，以及页编程功能（256字节/页）。此外，LE25U40CMC还具备块保护功能、高可靠性读写和状态功能，如就绪/忙碌信息和保护信息。
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NCV890430MW33GEVB型
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NCV890430MW25GEVB型
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