Material Composition Declaration MC100EP16VBMNR4G
发布时间：
2018-07-31
类型：
测试报告，认证报告、性能测试报告
品牌：
ONSEMI（ON Semiconductor）
型号：
MC100EP16VBMNR4G
本资料为一份关于元器件的物料成分声明文件，详细阐述了MC100EP16VBMNR4G型号器件的物质构成。文件重点列出了制造商所列物品中含有的各类物质，并提供了符合RoHS指令要求的限制物质含量声明。内容涵盖了相关物质的CAS号、重量及单位等具体数据，同时注明了制造地点、有效日期及联系方式等关键信息，旨在为用户提供详尽且合规的材料成分依据。基于该方案，用户可通过世强硬创平台获取原厂授权的正品器件，相关产品支持单件起订、在线下单、样品申请、批量询价，并覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求。平台专职FAE团队提供选型、设计验证及调试支持，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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| 数据手册 - 英文 |
MC100EP16VB 3.3 V/5 V ECL差分接收器/驱动器，具有高增益和低增益
Rev. 9
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MC100EP16VB-3.3V/5VECL差分接收器/驱动器，具有高增益和低增益
Rev. 9
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MC100EP16VB 3.3 V/5 V ECL差分接收器/驱动器，具有高增益和低增益
Rev. 9
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明
2017-12-01
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材料成分声明
2017-12-01
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材料成分声明
2017-12-01
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材料成分声明
2017-12-01
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材料成分声明
2017-12-01
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材料成分声明
2017-12-01
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材料成分声明
2017-12-01
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材料成分声明
2017-12-01
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材料成分声明
2017-12-01
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材料成分声明
2017-12-01
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MC100EP16VBMNR4G材料成分声明
2020-4-13
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| 测试报告 - 英文 |
MC100EP16VBMNR4G材料成分声明
2019-07-17
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| 测试报告 - 英文 |
MC100EP16VBMNR4G材料成分声明
2019-03-31
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| 数据手册 - 英文 |
MC100EP16VB 3.3 V/5 V ECL高增益和低增益差分接收器/驱动器
Rev. 8
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MC100EP16VB高增益和低增益差分驱动器/接收器产品概述
3/29/2019
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| 测试报告 - 英文 |
材料成分声明MC100EP16VBDR2
2018-01-05
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MC10EP16、MC100EP16 3.3 V/5 V ECL差分接收器/驱动器
Rev. 8
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MC10EP16、MC100EP16 3.3 V/5 V ECL差分接收器/驱动器
Rev. 8
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MC10EP16、MC100EP16-3.3 V/5 VECL差分接收器/驱动器
Rev. 8
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MC10EP16、MC100EP16 3.3 V/5 V ECL差分接收器/驱动器
Rev. 8
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MC10EP16、MC100EP16 3.3 V/5 V ECL差分接收器/驱动器
Rev.8
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MC10EP16 MC100EP16 3.3 V/5 V ECL差分接收器/驱动器
Rev. 8
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MC10EP16、MC100EP16 3.3 V/5 V ECL差分接收器/驱动器
Rev. 7
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| 测试报告 - 英文 |
MC100EP16VBDR2材料成分声明
2020-4-13
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| 测试报告 - 英文 |
MC100EP16VBDR2材料成分声明
2020-01-23
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MC100EP16VBDR2材料成分声明
2019-10-29
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MC100EP16VBDR2材料成分声明
2019-07-17
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MC100EP16VBDR2材料成分声明
2019-03-31
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MC100EP16VBDG材料成分声明
2020-4-13
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MC100EP16VBDG材料成分声明
2019-07-17
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MC100EP16VBDG材料成分声明
2019-03-31
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| 技术文档 - 英文 |
半导体产品目录
2019/03/28
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MC100EP16差分驱动器/接收器产品概述
3/29/2019
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材料成分声明MC100EP16VBDTR2G
2018-01-05
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MC10EP16、MC100EP16 3.3 V/5 V ECL差分接收器/驱动器数据手册
Rev. 7
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MC100EP16VBDTR2G材料成分声明
2020-4-13
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MC100EP16VBDTR2G材料成分声明
2019-07-17
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MC100EP16VBDTR2G材料成分声明
2019-03-31
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产品概述MC100EP16VB：具有高增益和低增益的差分驱动器/接收器
10/28/2017
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MC100EP16VBD材料成分声明
2020-4-13
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MC100EP16VBD材料成分声明
2019-07-17
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应用/方案
MC100EP16VB：具有高增益和低增益的差分驱动器/接收器
MC100EP16VB是一款高性能差分驱动/接收器，具有高增益和低增益输出。该器件在功能上与EP16和LVEP16相当，但增加了高增益输出。其典型传播延迟为300 ps，增益大于200，最大频率超过3 GHz。支持PECL和NECL模式，适用于高速信号传输。产品具有温度补偿特性，适用于各种电子设备中的信号传输需求。
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MC100EP16：差分驱动器/接收器
MC100EP16是一款高性能的差分驱动/接收器，功能等同于EL16和LVEL16，但性能更优。具有220 ps的传播延迟，最高频率超过4 GHz。适用于ATE自动测试设备。支持PECL和NECL模式，具有安全钳位输入和默认低电平输出的特点。提供多种封装类型，包括SOIC-8、TSSOP-8和DFN-8。
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MC100EP16VA：高增益差分驱动器/接收器
MC100EP16VA是一款高性能差分驱动/接收器，具有高增益输出。该器件功能与EP16和LVEP16相当，但增益输出更高。其主要特点包括270 ps的典型传播延迟、大于20的增益、20 mV的最小输入电压摆幅和大于3 GHz的最大频率。该器件支持PECL和NECL模式，并提供多种封装类型。
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MC100EP16VC：具有高增益和使能输出的差分驱动器/接收器
MC100EP16VC是一款高性能差分驱动/接收器，具有高增益和使能输出功能。该器件在功能上与EP16和LVEP16器件等效，但具备更高的增益和使能输出。它提供同步的ENbar输入，以提供无毛刺的QHG和QHGbar输出门控。适用于晶体振荡器应用，可同步开启和关闭振荡器，无需增加额外的输出计数。该器件具有310 ps的典型Qbar延迟，380 ps的典型QHG和QHGbar延迟，增益大于200，最大频率超过3 GHz。支持PECL和NECL模式，具有开路输入默认状态和VBB输出。
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MC100EP16F：输出摆幅减小的差分驱动器/接收器
MC100EP16F是一款高性能差分接收/驱动器，具有100 ps的典型上升和下降时间，最大频率超过4 GHz。适用于PECL和NECL模式操作，具有宽电压范围和开放输入默认状态。该器件具有安全钳位输入，并支持单端输入条件。
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MC100EP16T：带内部终端的差分驱动器/接收器
MC100EP16T是一款高性能的差分驱动/接收器，具有内部终结电阻。该器件在无信号条件下对差分输入的特殊考虑可防止不稳定性。100系列包含温度补偿功能。其主要特点包括220 ps的典型传播延迟、最大频率超过3 GHz，支持PECL和NECL模式操作。该产品适用于低时钟抖动和低功耗应用。
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